The invention belongs to the technical field of polycrystalline silicon solar cells, in particular to a preparation process of a silica passivation layer for polycrystalline silicon solar cells. The passivation reaction was adopted to promote the pretreatment of the surface of silicon wafer by liquid Arabia rubber, which made the passivation degree of silicon wafer more uniform and controllable, and met the clean and pollution-free operation process.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多晶硅太阳能电池
,特别涉及一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺。
技术介绍
太阳能电池是一种半导体器件,能够将太阳的光能转换成热能,由于工作时无需水、油、燃料等资源,只需要有光就能发电,因此被称为当代清洁、无污染的可再生资源,而且安装维护简单,使用寿命长、可以实现无人值守,在各领域越来越得到普遍的应用。多晶硅太阳能电池由于存在大量表面缺陷,影响了电池性能,为了获得较高的光电转换效率,都需要对电池表面进行二氧化硅钝化工艺,钝化层的作用可以概括为:钝化太阳能电池正面,使光生载流子在该界面处的复合速率减小;减小光的反射。但是由于太阳能电池的硅片与氧气在钝化反应时,钝化温度较高,因此反应后的硅片表面钝化程度往往不好控制,影响电池的性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于:氧气与硅片反应实现钝化的工艺中,钝化程度往往不易控制,影响电池的性能,对此本专利技术提供了一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺,具体操作为:(1)将钝化反应促进液均匀涂刷在扩散后的硅片表面,并低温烘干,其中,钝化反应促进液为阿拉伯胶以45~70g/L的质量浓度溶于去离子水所形成的溶液,涂刷后的烘干温度为60~80℃;(2)将经过步骤(1)处理的硅片置于高温环境下,并同时通入氮气和氧气的混合气体对硅片进行氧化,高温环境的温度为700~800℃,氮气和氧气的体积比为1~15:1,通入氮气和氧气的时间为10~30分钟;(3)完成步骤(2)的氧化后,停止通氧,在氮气气氛下将环境温度降至退火温度进行退火处理,冷却,其中,退火温度为300~400℃,退火时 ...
【技术保护点】
一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺,其特征在于:所述的制备工艺为,(1)将钝化反应促进液均匀涂刷在扩散后的硅片表面,并低温烘干;(2)将经过步骤(1)处理的硅片置于高温环境下,并同时通入氮气和氧气的混合气体;(3)完成步骤(2)的氧化后,停止通氧,在氮气气氛下将环境温度降至退火温度进行退火处理,冷却。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺,其特征在于:所述的制备工艺为,(1)将钝化反应促进液均匀涂刷在扩散后的硅片表面,并低温烘干;(2)将经过步骤(1)处理的硅片置于高温环境下,并同时通入氮气和氧气的混合气体;(3)完成步骤(2)的氧化后,停止通氧,在氮气气氛下将环境温度降至退火温度进行退火处理,冷却。2.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺,其特征在于:步骤(1)中所述的钝化反应促进液为阿拉伯胶以45~70g/L的质量浓度溶于去离子水所形成的溶液。3.如权利要求1所述的多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺,其特征在于:步骤(1)中,烘干温度为60~80℃。4.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙铁囤,汤平,姚伟忠,
申请(专利权)人:常州亿晶光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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