Method, device structure of the invention discloses a full wet etching is formed, which comprises the following steps: on a semiconductor substrate bonding of quartz glass, and the quartz glass thinning; tungsten titanium alloy layer formed on the thin quartz glass after reduction in the; in the titanium tungsten alloy formed on the aluminum layer or Al Cu alloy layer; forming a photoresist and photoresist pattern; to resist the graphic of the mask, the aluminum corrosion liquid wet etching to the aluminum layer or alloy layer; wet photoresist removal; and the aluminum layer or copper layer after wet etching for mask the film, using titanium tungsten etching solution for wet corrosion of the titanium tungsten alloy layer, wherein the tungsten titanium corrosion liquid containing alkaline solution and hydrogen peroxide, and the pH value between 6 and 8. The invention optimizes the technological process steps and effectively reduces the production cost.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子领域,具体涉及一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法。
技术介绍
钛钨合金因其对红外敏感的特性而被广泛应用于热成像传感器。通常,钛钨合金热成像单元多需要采用金属布线来完成互联。为了在布线的同时不对钛钨合金造成损伤,现有技术中多采用剥离方法蒸镀金来实现互联。在图1、图2中分别示出了金剥离工艺前后的器件结构示意图。钛钨合金热成像器件包括硅衬底100、石英玻璃101、光刻胶赋形层102以及钛钨合金103。之后,在钛钨合金103上通过金剥离工艺形成金104以实现互联。但是该制造方法存在以下问题:剥离工艺会产生很多金属碎屑,容易造成钛钨合金单元短路,影响产品良率。此外,由于需要采用金来进行互联,导致器件成本提高。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法,包括以下步骤:在半导体衬底上键合石英玻璃,并对所述石英玻璃进行减薄;在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层;在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层;形成光刻胶并进行光刻图形化;以所述图形化后的光刻胶为掩膜,采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀;湿法去除光刻胶;以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜,采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀。其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水,并且所述钛钨腐蚀液的pH值介于6~8之间。优选为,所述半导体衬底为硅衬底。优选为,所述碱性溶液为无机碱或有机碱性。优选为,所述碱性溶液为氨水。优选为,所述钛钨合金层的湿法腐蚀工艺温度为25℃~65℃。优选为,所述铝层或铝铜合金层的湿法腐蚀工艺温度为25℃~65℃。优选为,所述光刻胶 ...
【技术保护点】
一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:在半导体衬底上键合石英玻璃,并对所述石英玻璃进行减薄;在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层;在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层;形成光刻胶并进行光刻图形化;以所述图形化后的光刻胶为掩膜,采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀;利用湿法去除光刻胶;以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜,采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀。
【技术特征摘要】
1.一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:在半导体衬底上键合石英玻璃,并对所述石英玻璃进行减薄;在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层;在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层;形成光刻胶并进行光刻图形化;以所述图形化后的光刻胶为掩膜,采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀;利用湿法去除光刻胶;以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜,采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀。2.根据权利要求1所述的全湿法腐蚀形成器件结构的方法,其特征在于,所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水,并且所述钛钨腐蚀液的pH值介于6~8之间。3.根据权利要求1所述的全湿法腐蚀形成器件结构的方法,其特征在于,所述半导体衬底为硅衬底。4.根据权利要求1所述的全湿法腐蚀形成器件结构的方法,其特征在于,所述碱性溶液为...
【专利技术属性】
技术研发人员:许开东,
申请(专利权)人:江苏鲁汶仪器有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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