The invention relates to the technical field of wafer production equipment, in particular to a silicon membrane to water water device, comprising a water tank, one end of the tank for input of silicon wafer, the other end of the sink for a silicon chip. The output end of the water tank is rotatably arranged for conveying roller conveyor drive motor for silicon chip. The transport roller rotates with the water tank, the water tank is provided with a pressure plate, a pressure plate is positioned above the feed roller, the pressing plate has a horizontal section and a guide section, wherein the guiding section is located near the sink input end of the horizontal plane, the invention can effectively the removal of silicon water film excess water, which paved the way for a uniform water film on the silicon wafer, good applicability, reduce production cost, avoid the water film on the wafer will overflow in the groove groove etching caused by acid etching The concentration of the solution becomes small, in order to meet the requirements of the concentration should increase for acid, increase the cost of production of the intangible in.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片生产设备
,尤其是涉及一种硅片水膜去水装置。
技术介绍
所谓刻蚀,实际上就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展;刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称,成为微加工制造的一种普适叫法,而湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。刻蚀机利用水膜喷淋覆盖技术,在硅片上喷淋水膜,利用SiO2亲水性将水吸附在表面,使扩散面PN结不易遭到破坏,在减小漏电同时最大限度的增加受光面积,提升效率。在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径,而在实际生产过程中,硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小,为了达到要求的浓度,要不断的增加供酸量,无形中增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:为了解决硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小,为了达到要求的浓度,要不断的增加供酸量,无形中增加了生产成本的问题,现提供了一种硅片水膜去水装置。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种硅片水膜去水装置,其特征在于:包括水槽,所述水槽的一端为硅片的输入端,所述水槽的另一端为硅片的输出端,所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊,所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机,所述水槽上设有压平板,所述压平板位于所述输送辊上方,所述压平板具有水平段和导向段,所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端,所述水平段为平面,所述导向段沿硅片的输送方向为向下 ...
【技术保护点】
一种硅片水膜去水装置,其特征在于:包括水槽(1),所述水槽(1)的一端为硅片(2)的输入端(101),所述水槽(1)的另一端为硅片(2)的输出端(102),所述水槽(1)内转动设置有用于输送硅片(2)的输送辊(3),所述水槽(1)外设有用于驱动输送辊(3)转动的电机(4),所述水槽(1)上设有压平板(5),所述压平板(5)位于所述输送辊(3)上方,所述压平板(5)具有水平段(501)和导向段(502),所述导向段(502)位于水槽(1)上靠近输入端(101)的一端,所述水平段(501)为平面,所述导向段(502)沿硅片(2)的输送方向为向下倾斜的第一斜面,所述导向段(502)的低端与所述水平段(501)固定连接,所述压平板(5)下底面设有分液板(6),所述分液板(6)位于导向段(502)处,所述分液板(6)下底面与所述水平段(501)下底面相互水平设置,所述分液板(6)沿输送辊(3)轴向的两侧均设有第二斜面,所述分液板(6)两侧的第二斜面沿硅片(2)的输送方向由内向外逐渐向上倾斜,所述水槽(1)上设有用于控制压平板(5)靠近或者远离输送辊(3)的调节机构。
【技术特征摘要】
1.一种硅片水膜去水装置,其特征在于:包括水槽(1),所述水槽(1)的一端为硅片(2)的输入端(101),所述水槽(1)的另一端为硅片(2)的输出端(102),所述水槽(1)内转动设置有用于输送硅片(2)的输送辊(3),所述水槽(1)外设有用于驱动输送辊(3)转动的电机(4),所述水槽(1)上设有压平板(5),所述压平板(5)位于所述输送辊(3)上方,所述压平板(5)具有水平段(501)和导向段(502),所述导向段(502)位于水槽(1)上靠近输入端(101)的一端,所述水平段(501)为平面,所述导向段(502)沿硅片(2)的输送方向为向下倾斜的第一斜面,所述导向段(502)的低端与所述水平段(501)固定连接,所述压平板(5)下底面设有分液板(6),所述分液板(6)位于导向段(502)处,所述分液板(6)下底面与所述水平段(501)下底面相互水平设...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙铁囤,汤平,姚伟忠,
申请(专利权)人:常州亿晶光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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