The present invention provides easy manufacturing, high level of P type organic semiconductor material and use of the photoelectric conversion type P organic semiconductor material that has high photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element layer, and organic thin film solar cell, specifically in polymer matrix, provided with at least 1 of the general formula (1) Pi derivatives structural unit represented by and containing (A) as the Pi derivatives of P type organic semiconductor materials (B) and photoelectric conversion material n type organic semiconductor materials. The general conditions of the general formula (1) are as specified in this specification,
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有特定的结构的新型p型有机半导体材料、光电转换材料及使用了该光电转换材料的光电转换元件。
技术介绍
近年来,正在积极研究能够持续利用、资源不会枯竭、环境污染小的太阳能电池(太阳光发电)。太阳能电池大致分为Si系或非Si系的无机系太阳能电池和色素敏化型或有机薄膜型的有机系太阳能电池。无机系太阳能电池一般光电转换效率高,但是由于需要高真空、或者需要高温热处理,因此具有制造成本变高这样的缺点。另一方面,有机系太阳能电池由于能够利用涂布法或印刷法等制膜,所以制造成本低,能够以大面积制膜。此外,作为优点,还可列举出与无机系太阳能电池相比能够将元件变轻。特别是,有机薄膜型的太阳能电池由于印刷法优异,也容易在薄膜等上制膜,所以认为柔性太阳能电池也是容易的。但是,有机系太阳能电池的光电转换效率大多较低,所以高光电转换效率化成为课题。目前,作为可得到有机薄膜型的太阳能电池中的高光电转换效率的材料,可列举出由p型有机半导体材料的P3HT〔聚(3-己基噻吩)〕与n型有机半导体材料的PCBM〔[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯〕的混合材料构成的本体异质结(参照非专利文献1等)。此外,作为p型有机半导体材料,有时也使用并五苯等低分子化合物,但是一般认为高分子型的材料适合于利用涂布来制造元件,低成本化和大画面化容易。作为对p型有机半导体材料所要求的特征,可列举出在材料中具有平面性高的π共轭平面。这是因为能够期待高π-π相互作用和高载流子输送效率,所以结果是能够提供高的光电动势。专利文献1~3中,公开了高分子型的p型有机半导体。现有技术文献专利文献专利文献1:美国专利 ...
【技术保护点】
一种苉衍生物,其具有至少1个下述通式(1)所表示的结构单元,式中,A1及A2分别独立地表示单环,R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、‑SiR7R8R9、‑NR10R11基、或者具有取代基的或未取代的烃基,R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一个不为氢原子,R7、R8、R9、R10或R11分别独立地表示氢原子或者具有取代基的或未取代的烃基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.21 JP 2014-2145511.一种苉衍生物,其具有至少1个下述通式(1)所表示的结构单元,式中,A1及A2分别独立地表示单环,R1、R2、R3、R4、R5及R6分别独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-SiR7R8R9、-NR10R11基、或者具有取代基的或未取代的烃基,R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一个不为氢原子,R7、R8、R9、R10或R11分别独立地表示氢原子或者具有取代基的或未取代的烃基。2.根据权利要求1所述的苉衍生物,其具有至少1个上述通式(1)所表示的结构单元、以及至少1个选自下述组Y或组Z中的结构单元,<组Y>式中,X1及X4表示S、O或NR12,k表示1~4的整数,R12表示被取代的或未取代的烃基,组Y所表示的结构单元中的氢原子也可以被卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-NR13R14基、被取代的或未取代的烃基或者被取代的或未取代的杂环基取代,R13及R14表示被取代的或未取代的烃基,<组Z>式中,X2表示S或NR15,X3表示S、NR15、CR16R17或SiR16R17,X5表示S、O或NR15,R15、R16及R17表示被取代的或未取代的烃基,组Z所表示的结构单元中的氢原子也可以被卤素原子、氰基、硝基、羟基、羧基、硫醇基、-NR18R19基、被取代的或未取代的烃基或者被取代的或未取代的杂环基取代,R18及R19表示被取代的或未取代的烃基。3.根据权利要求1或2所述的苉衍生物,其具有至...
【专利技术属性】
技术研发人员:西原康师,兵头惠太,森裕树,
申请(专利权)人:株式会社艾迪科,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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