极紫外线覆盖层及其的制造与光刻方法技术

一种制造极紫外线反射构件的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。

Ultra violet ray covering layer and its manufacture and photoetching method

A method of manufacturing the extreme ultraviolet reflection component includes providing a substrate; forming a multilayer stacked on the substrate, the multilayer stack includes a plurality of reflective layer, these reflective layer having a first reflective layer and the second reflective layer to form a Prague reflector; and the formation of cover layer of the multilayer stack at the multilayer stack, the covering layer is made of titanium oxide, ruthenium oxide, niobium oxide, tungsten, molybdenum or ruthenium ruthenium ruthenium niobium is formed, and the covering layer by reducing oxidation and mechanical erosion to protect the multilayer stack.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及极紫外线光刻，具体而言，涉及用于极紫外线光刻的极紫外线反射构件的覆盖层、制造系统和光刻系统。
技术介绍
现代消费和工业电子系统变得越来越复杂。电子器件需要在更小和更柔性的封装中的更高密度的电子元件。随着元件密度增加，需要技术进步来满足对具有更小特征结构尺寸的更高密度器件的需求。极紫外线(extremeultraviolet；EUV)光刻，也称为软X射线投射光刻(softx‐rayprojectionlithography)，是一种用于0.13微米和更小的、最小的特征结构尺寸的半导体器件的制造的光刻工艺。极紫外线光一般可在5至50纳米的波长范围内，极紫外线光被大部分材料强烈地吸收。由于此原因，极紫外线系统通过光反射而非光透射来工作。极紫外线辐射可经由一系列反射元件而被投射并且被引导至半导体晶片上以形成高密度、小型特征结构尺寸的半导体器件，这些反射元件包括反射镜组件和涂覆有非反射掩膜图案的掩膜底版。极紫外线光刻系统的反射元件可包括多层反射材料涂层。由于极紫外线光的高功率水平，剩余的未反射极紫外线光会引起可使反射元件的反射率随着时间推移劣化并且可导致反射元件的有限寿命的热加热。鉴于对电子元件的日益变小的特征结构尺寸的需求，找到这些问题的答案愈加关键。鉴于随着不断增长的消费者期望而一直增加的商业竞争压力，找到这些问题的答案是关键的。另外，对降低成本、提高效率和性能，以及应对竞争压力的需要增加了找到这些问题的答案的关键必要性的更大的急迫性。这些问题的解决方案已经历了长期探索，但是先前发展并未指导或建议任何解决方案，因此，这些问题的解决方案长期以来已成为熟悉本领域技术人员的难题。
技术实现思路
本专利技术提供一种制造极紫外线反射构件的方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层和第二反射层以用于形成布拉格反射器(Braggreflector)；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层用于通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。本专利技术提供一种极紫外线反射构件，所述极紫外线反射构件包括：基板；多层堆叠，所述多层堆叠在所述基板上，包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层和第二反射层；以及覆盖层，所述覆盖层在所述多层堆叠上并覆盖所述多层堆叠，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层用于通过减少氧化与机械侵蚀来保护多层堆叠。本专利技术提供一种极紫外线反射构件生产系统，所述极紫外线反射构件生产系统包括：第一沉积系统，用于在基板上沉积多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层和第二反射层；以及第二沉积系统，用于在所述多层堆叠上形成覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成。本专利技术的某些实施方式具有上述内容之外的，或代替上述内容的其它步骤或构件。当参照附图时阅读以下详细描述，这些步骤或者构件对熟悉本领域的技术人员而言将变得显而易见。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式中的极紫外线光刻系统的示意图。图2是极紫外线反射构件生产系统的示例。图3是极紫外线反射构件的示例。图4是在制造的准备步骤中的图3的结构。图5是在制造的分层步骤中的图4的结构。图6是在制造的保护步骤中的图5的结构。图7是在制造的预图案化步骤中的图6的结构。图8是在制造的电镀步骤中的图5的结构。图9是在制造的氧化步骤中的图8的结构。图10是在制造的预图案化步骤中的图9的结构。图11是覆盖层的侵蚀的示例。图12是在本专利技术的进一步的实施方式中的制造极紫外线反射构件的方法的流程图。具体实施方式以下实施方式被足够详细地描述，以使得熟悉本领域的技术人员能够制造和使用本专利技术。应理解的是其他实施方式基于本公开将是明显的，并且可在不脱离本专利技术的保护范围的前提下对系统、工艺或者机械做出变化。在以下描述中，将给出众多特定细节来提供对本专利技术的透彻理解。然而，显而易见的是，可在没有这些特定细节的情形下实践本专利技术。为了避免模糊本专利技术，一些熟知的电路、系统配置和工艺步骤并未被详细公开。表示系统的实施方式的这些附图是半图解的，并且未按比例绘制，特别而言，这些尺寸中的一些出于清晰呈现的目的而在附图中被夸张表示。类似地，尽管附图中的视图出于便于描述的目的而大体地表示为相似的方向，但是这些附图中的此类描绘在很大程度上是任意的。一般地，本专利技术能以任何方向操作。在公开和描述具有一些共有特征结构的多个实施方式时，为了清晰并易于说明、描述和理解这些实施方式，将以相似的元件符号来描述相似或相同的特征结构。出于解释目的，如本文所使用的用词“水平面”定义为平行于掩膜底版的平面或表面的平面，与所述平面的方向无关。用词“垂直”是指与刚刚定义的水平面垂直的方向。用词，如在附图中所表示的那样，诸如“上方”、“下方”、“底部”、“顶部”、“侧面”(如在“侧壁”中)、“更高”、“更低”、“上部”、“在……之上”和“在……之下”是相对于水平面定义的。用词“在……上”表明在构件之间存在直接接触。用词“直接在……上”表明在构件之间存在不具有介入构件的直接接触。如本文所使用的用词“工艺”包括在形成所描述的结构的过程中按需要进行材料或光刻胶的沉积、图案化、曝光、显影、蚀刻、溅射、清洁、注入及/或材料或光刻胶的移除。用词“约”和“大致”表明构件的尺寸可在工程公差内测定。现参阅图1，其中表示了在本专利技术的第一实施方式中的极紫外线光刻系统100的示意图。所述极紫外线光刻系统100可包括用于产生极紫外线光112的极紫外线光源102，一组反射元件，以及目标晶片110。这些反射元件可包括聚光器104、反射掩膜106、光学缩小组件108、掩膜底版、反射镜，或其组合。所述极紫外线光源102可生成极紫外线光112。所述极紫外线光112是具有在5至50纳米(nm)范围内的波长的电磁辐射。例如，所述极紫外线光源102可包括激光器、激光器产生的等离子体、放电产生的等离子体、自由电子激光器、同步辐射，或其组合。所述极紫外线光源102可生成具有多种特性的极紫外线光112。所述极紫外线光源102可产生在一定波长范围内的宽带(broadband)极紫外线辐射。例如，所述极紫外线光源102可生成具有波长在5至50nm范围内变化的极紫外线光112。所述极紫外线光源102可产生具有窄带宽的极紫外线光112。例如，所述极紫外线光源102可生成在13.5nm的极紫外线光112。即波长峰值的中心是13.5nm。聚光器104是用于反射和聚焦所述极紫外线光112的光学单元。所述聚光器104可反射并集中来自极紫外线光源102的极紫外线光112，以照射这些反射掩膜106。虽然所述聚光器104被表示为单一构件，但应理解所述聚光器104可包括一个或多个反射构件，诸如凹面镜、凸面镜、平面镜，或其组合，以用于反射并集中所述极紫外线光112。例如，所述聚光器104可以是单一凹面镜，或具有凸的、凹的和平的光学构件的光学组件。所述反射掩膜106是具有掩膜图案114的反射构件。所述反射掩膜106创建光刻图案，以形成将形成在目标晶片110上的电路布局。所述反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造极紫外线反射构件的方法，包含以下步骤：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层用于通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.11 US 62/023,438;2015.04.24 US 14/696,3221.一种制造极紫外线反射构件的方法，包含以下步骤：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层用于通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤包括：使用物理气相沉积形成所述覆盖层，以及形成厚度在20埃与50埃之间的所述覆盖层，并且所述覆盖层对极紫外线光是透明的。3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤包括：形成具有5.5或更大的莫氏硬度的所述覆盖层。4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤包括：在所述多层堆叠上形成金属层，所述金属层由钛、钌或者铌形成；以及通过氧化所述金属层的一部分来形成金属氧化物层，所述金属氧化物层由氧化钛、氧化钌或者氧化铌形成，以用于形成所述覆盖层。。5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖层的步骤包括：形成具有小于0.2纳米均方根(RMS)的表面粗糙度的所述覆盖层。6.一种极紫外线反射构件，包含：基板；多层堆叠，所述多层堆叠在所述基板上，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述这些反射层对具有第一反射层与第二反射层；以及覆盖层，所述覆盖层在所述多层堆叠上并覆盖所述多层堆叠，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡拉·比斯利，拉尔夫·霍夫曼，马耶德·A·福阿德，鲁迪·贝克斯特罗姆三世，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US