The invention relates to a photoelectric detector resistance and capacitance precision based on thin film of metal, including shell, fiber and mounted on the shell at the bottom of the ceramic thin film substrate, the ceramic film on the substrate with metal carrier and metal carrier resistance bridge is connected with the power module, bare chip components and passive components, the metal carrier a photodiode, the shell is provided with holes, the metal fiber is inserted through the opening in the shell and the end of the photoelectric diode and arranged correspondingly. The invention adopts precision thin film hybrid integrated circuit technology, the precision thin film plate shape and specific resistance of the load resistance, optimizing the conduction band and the bypass circuit layout design precision, the circuit realization of miniaturization and high performance. The peak distributed capacitance is introduced to achieve the peak bandwidth and expansion of the product, and the optimization and matching of the resistance can be realized.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电混合集成电路和光纤传感
,具体涉及一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器。
技术介绍
在光纤传感技术中,同常采用光电探测器进行微弱光信号检测。随着航天、航空、雷达、导弹等的尖端电子产品的发展,对高性能、高可靠系列光电探测器需求日益增加,目前的光纤传感领域应用的光电探测器基板是沿用光纤通信领域的光电探测器,都是基于厚膜混合集成电路技术,产品的温度特性有还有很大提升空间。另一方面通常光电探测器的跨阻增益和带宽是一对矛盾体,跨阻越大,带宽越小,这样在一些跨阻规格中就很难使带宽达到特定使用需求。所以有必要设计温度特性好、带宽可根据具体需要扩展的光电探测器。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于精密薄膜电阻和电容峰化技术的光电探测器,实现产品带宽峰化和扩展,使电路实现小型化和高性能。为实现上述目的,本专利技术采用了以下技术方案:一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,包括壳体、金属光纤及安装于壳体底部的陶瓷薄膜基板,所述陶瓷薄膜基板上设有金属载体及与金属载体电连接的电阻桥模块、裸芯片元件和无源器件,所述金属载体上设有光电二极管,所述壳体上设有开孔,所述金属光纤通过开孔插入壳体内且其端部与光电二极管呈相对设置。所述陶瓷薄膜基板上设有薄膜电阻和导带,所述金属载体、电阻桥模块、裸芯片元件和无源器件安装于导带上通过导带相互导通。所述薄膜电阻和导带通过薄膜溅射和光刻方法制作。所述电阻桥模块包括前级载体及与前级载体电连接的后级载体,所述前级载体的上表面焊接有前级电容及与前级电容并联的前级电阻,所述后级载体的上表面焊接有后级电阻,该后级电阻 ...
【技术保护点】
一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,其特征在于:包括壳体(1)、金属光纤(2)及安装于壳体(1)底部的陶瓷薄膜基板(3),所述陶瓷薄膜基板(3)上设有金属载体(4)及与金属载体(4)电连接的电阻桥模块(5)、裸芯片元件(6)和无源器件(7),所述金属载体(4)上设有光电二极管(8),所述壳体(1)上设有开孔,所述金属光纤(2)通过开孔插入壳体(1)内且其端部与光电二极管(8)呈相对设置。
【技术特征摘要】
1.一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,其特征在于:包括壳体(1)、金属光纤(2)及安装于壳体(1)底部的陶瓷薄膜基板(3),所述陶瓷薄膜基板(3)上设有金属载体(4)及与金属载体(4)电连接的电阻桥模块(5)、裸芯片元件(6)和无源器件(7),所述金属载体(4)上设有光电二极管(8),所述壳体(1)上设有开孔,所述金属光纤(2)通过开孔插入壳体(1)内且其端部与光电二极管(8)呈相对设置。2.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,其特征在于:所述陶瓷薄膜基板(3)上设有薄膜电阻(31)和导带(32),所述金属载体(4)、电阻桥模块(5)、裸芯片元件(6)和无源器件(7)安装于导带(32)上通过导带(32)相互导通。3.根据权利要求2所述的基于精密薄膜电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪金华,庄永河,李鸿高,尚玉凤,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十三研究所,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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