液晶介质和包含其的液晶显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种优选具有向列相和负介电各向异性的液晶介质，其包含：a)一种或多种式(I)的化合物和b)一种或多种选自式(II)和(III)的化合物的化合物其中参数具有如权利要求1指示的各个含义，涉及其在电光显示器中，尤其在基于VA、ECB、PALC、IPS或FFS效应的有源矩阵显示器中的用途，涉及含有此类型液晶介质的此类型的显示器，且涉及式I的化合物用于减少包含一种或多种式(II)和/或式(III)的化合物的液晶介质的双折射率色散的用途。

Liquid crystal medium and liquid crystal display including the same

The invention relates to a liquid crystal medium preferably has to, nematic and negative dielectric anisotropy comprising: a) one or more type compounds (I) and b) one or more selected from type (II) and (III) compound parameters of these compounds have various meanings such as claim 1 instructions that relates to its in electro-optic displays, especially in the use of active matrix display VA, ECB, PALC, IPS or FFS effect based on the display of this type containing this type of liquid crystal material, and relates to a compound of formula I for reducing contains one or more type (II) and / or (III) uses birefringence dispersion of liquid crystal compounds in the medium.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及尤其用于液晶显示器的新的液晶介质，和涉及这些液晶显示器，尤其涉及使用ECB(电控双折射)效应、IPS(平面内切换型)或FFS(边缘场切换型)效应(均使用介电负性液晶)的液晶显示器。最后一种偶尔也称为UB-FFS(超亮FFS)效应。对于第一效应，使用呈垂面初始配向的介电负性液晶，并且后两种呈沿面(即平面)初始配向。根据本专利技术的液晶介质特征在于尤其小的双折射率波长色散。这也使得根据本专利技术的显示器中的小的色移。电控双折射、ECB效应或DAP(配向相畸变)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,“Deformationofnematicliquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields”,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。随后是J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)及G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)的论文。J.Robert和F.Clerc(SID80DigestTechn.Papers(1980),30)、J.Duchene(Displays7(1986),3)以及H.Schad(SID82DigestTechn.Papers(1982),244)的论文已经显示出液晶相必须具有高数值的弹性常数K3/K1比、高数值的光学各向异性Δn和Δε≤-0.5的介电各向异性值以适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB效应的电光显示元件具有垂面表面配向(VA技术＝垂直配向)。介电负性液晶介质也可用于使用所谓的IPS(平面内切换型)效应的显示器。然而根据本申请，使用呈沿面配向的介电负性液晶的IPS或FFS效应是优选的。此效应在电光显示元件中的工业应用需要必须满足多种多样的要求的LC相。此处尤其重要的是对湿气、空气和物理影响(诸如热、红外、可见和紫外区域中的辐射以及直流(DC)电场和交流(AC)电场)的耐化学性。此外，需要可工业使用的LC相具有在合适的温度范围中的液晶中间相和低粘度。迄今已公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括满足所有这些要求的单一化合物。因此，一般制备2至25、优选3至18种化合物的混合物，以便获得可用作LC相的物质。矩阵液晶显示器(MLC显示器)是已知的。可用于个别像素的个别切换的非线性元件为例如有源元件(即，晶体管)。于是使用术语“有源矩阵”，其中一般而言，使用薄膜晶体管(TFT)，其通常配置于作为基板的玻璃板上。在两种技术之间作出区别：包含化合物半导体(诸如CdSe)的TFT或基于多晶和尤其非晶硅的TFT。后一种技术当前在世界范围内具有最大商业重要性。TFT矩阵应用于显示器一个玻璃板的内侧，同时另一个玻璃板于其内侧携带透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且几乎对图像无不利影响。该技术也可扩展至全色功能显示器，其中红、绿和蓝色滤光器的镶嵌块(mosaic)以如此方式设置以致滤光器元件以相对于每个可切换像素设置。迄今使用最多的TFT显示器在透射方面通常用交叉偏振器操作且为背光型。对于TV应用，使用ECB(或VAN)盒或FFS盒，然而监视器通常使用IPS盒或TN(扭转向列)盒，且笔记本电脑、膝上型计算机和移动应用通常使用TN、VA或FFS盒。此处术语MLC显示器涵盖了具有整合式非线性元件的任意矩阵显示器，即除了有源矩阵外，也包括带有无源元件的显示器，例如变阻器或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。此类型的MLC显示器尤其适合于TV应用、监视器和笔记本，或适合于具有高信息密度的显示器，例如，在汽车制造或航空器构造中。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题外，MLC显示器也会出现因液晶混合物不够高的比电阻而产生的问题[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay84,Sept.1984:A210-288MatrixLCDControlledbyDoubleStageDiodeRings,pp.141ff.,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay84,Sept.1984:DesignofThinFilmTransistorsforMatrixAddressingofTelevisionLiquidCrystalDisplays,第145页及以下,Paris]。随着电阻的降低，MLC显示器的对比度变差。由于与显示器内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻通常随着MLC显示器的寿命下降，因而高(初始)电阻对于经长期操作后必须具有可接受电阻值的显示器而言非常重要。除IPS显示器(例如：Yeo,S.D.，论文15.3:“AnLCDisplayfortheTVApplication”，SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers，XXXV,第II册，第758和759页)和长久已知的TN显示器之外，使用ECB效应的显示器已作为所谓的VAN(垂直配向向列型)显示器成为当前尤其对于电视应用最重要的三种最近类型的液晶显示器中的一种。此处可提及最重要的设计：MVA(多域垂直配向型，例如：Yoshide，H.等人，论文3.1:“MVALCDforNotebookorMobilePCs...”,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers，XXXV,第I册，第6至9页，和Liu，C.T.等人，论文15.1:“A46-inchTFT-LCDHDTVTechnology…”，SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV，第II册,第750至753页)、PVA(图案化垂直配向型)，例如：Kim,SangSoo，论文15.4:“SuperPVASetsNewState-of-the-ArtforLCD-TV”,SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV，第II册，第760至763页)和ASV(先进超视图，例如：Shigeta，Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi,论文15.2:“DevelopmentofHighQualityLCDTV”，SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,第II册，第754至757页)。VA效应的较现代版本为所谓的PAVA(光配向VA)和PSVA(经聚合物稳定的VA)。一般形式下，该技术在例如Souk,Jun,SIDSeminar2004,SeminarM-6:“RecentAdvancesinLCDTechnology”，SeminarLectureNotes,M-6/1至M-6/26，本文档来自技高网...

【技术保护点】
液晶介质，其包含a)一种或多种式I的化合物其中a、b和c彼此独立地表示整数0或1，(a+b+c)为1、2或3，R11和R12彼此独立地表示H或具有1至5个C原子的烷基，和b)一种或多种选自式II和式III的化合物的化合物其中其中R21表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基、具有2至7个C原子的未被取代的烯基或具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基，R22表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基、具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基或具有2至6个C原子的未被取代的烯基氧基，和l表示0或1，R31表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基或具有2至7个C原子的未被取代的烯基，R32表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基、具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基或具有2至6个C原子的未被取代的烯基氧基，和表示

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.08 EP 14002782.21.液晶介质，其包含a)一种或多种式I的化合物其中a、b和c彼此独立地表示整数0或1，(a+b+c)为1、2或3，R11和R12彼此独立地表示H或具有1至5个C原子的烷基，和b)一种或多种选自式II和式III的化合物的化合物其中其中R21表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基、具有2至7个C原子的未被取代的烯基或具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基，R22表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基、具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基或具有2至6个C原子的未被取代的烯基氧基，和l表示0或1，R31表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基或具有2至7个C原子的未被取代的烯基，R32表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基、具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基或具有2至6个C原子的未被取代的烯基氧基，和表示2.根据权利要求1的介质，其特征在于其包含一种或多种选自式I-1至式I-3的化合物的式I的化合物其中参数具有权利要求1所指示的含义。3.根据权利要求1或2的介质，其特征在于其包含一种或多种式IV的化合物其中R41表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基或具有2至7个C原子的未被取代的烯基，和R42表示具有1至7个C原子的未被取代的烷基或具有1至6个C原子的未被取代的烷氧基。4.根据权利要求1至3中至少一项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式V的化合物其中R51和R52彼此独立地具有权利要求1中对于R21和R22给出的含义之一，至若存在，各自彼此独立地表示Z51至...

【专利技术属性】
技术研发人员：真边笃孝，S·巴兰，L·雷特苏，B·舒勒，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE