剂量率测定装置制造方法及图纸

本发明专利技术的剂量率测定装置中，三台半导体检测器(22)以闪烁检测器(21)的中心轴为中心彼此等间隔且相对于与中心轴垂直相交的平面彼此等角度地配置在不会阻挡放射线射入到闪烁检测器(21)的位置上。基于根据第二波高频谱而求出的平均波高值来决定能量补偿系数，对根据从闪烁检测器(21)输出的直流电压而求出的高量程剂量率的能量特性进行补偿，所述第二波高频谱利用从上述半导体检测器(22)输出的模拟电压脉冲来获得。

Dose rate measuring device

The dose rate measuring device, three Taiwan semiconductor detector (22) with a scintillation detector (21) of the center axis and spaced each other and relative to the center axis perpendicular to the plane of the configuration in each other will not block the radiation incident upon the scintillation detector (21) position. The average wave height according to the second wave spectrum and calculated on the basis of the value of the energy compensation coefficient, according to from the scintillation detector (21) to compensate the high range of dose rate energy characteristics of output DC voltage and calculated, the second wave of high spectrum utilization from the semiconductor detector (22) analog voltage to obtain the pulse output.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及设置在反应堆设施等设施周边的剂量率测定装置。
技术介绍
以往，在反应堆设施以及使用后燃料再处理设施等设施的周边设置了与测定对象的放射线水平相对应的灵敏度以及精度的多个剂量率测定装置，用来对从自然放射线水平到事故时的高放射线水平的大范围内的剂量率进行测定。然而，在将多个剂量率测定装置靠近设置的情况下，彼此可能成为放射线射入的障碍物。此外，由于准备多个剂量率测定装置，因此存在装置成本变高的问题。因此，要求利用单个剂量率测定装置进行与大范围剂量率相对应的测定。针对该需求，专利文献1揭示了一种剂量率测定装置，其在铊激活碘化钠闪烁检测器上实施铅屏蔽体，并根据测定现场的剂量率水平来自动切换剂量率的测定方式。在该剂量率测定装置中，在低剂量率区域的剂量率(以下称为低量程剂量率)的测定中采用波高辨别偏置调制方式(DBM方式：DiscriminationBiasModulation)，而在高剂量率区域的剂量率(以下称为高量程剂量率)的测定中采用电流测定方式。所谓DBM方式中，是将闪烁检测器所输出的电流脉冲转换为模拟电压脉冲来进行放大，并将高频噪声去除，在DBM电路中以剂量率对其进行加权来作为与剂量率成正比的重复频率的脉冲，基于该脉冲来计算低量程剂量率。此外，所谓电流测定方式，是将闪烁检测器所输出的直流电流输入到电压/频率转换器来作为与电压成正比的重复频率的脉冲，并基于该脉冲来计算高量程剂量率。另外，作为依赖γ射线的能量而产生的误差的能量特性在低量程剂量率和高量程剂量率中不同，而且，根据γ射线的能量，低量程剂量率和高量程剂量率的最佳切换点不同，因此，在以固定的剂量率切换两个测定方式的情况下，会在切换点处产生输出能量特性的阶差。对此，专利文献1中，通过在检测器上设置铅遮蔽体来使上述阶差变小。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开昭61-104282号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在专利文献1所揭示的剂量率测定装置中，通过在铊激活碘化钠闪烁检测器上设置铅屏蔽体，从而能在一定程度上抑制高剂量率区域的能量特性引起的误差以及在切换点上产生的阶差这两者，但另一方面，存在低量程剂量率原本的输出能量特性变差的问题。由此，在单个剂量率测定装置中进行与大范围的剂量率相对应的测定的情况下，难以在测定对象的放射线的整个能量范围内获得良好的输出能量特性，也难以通过抑制低量程剂量率和高量程剂量率的切换点的阶差来获得良好的能量特性，因此，如何实现这一点成为课题。本专利技术鉴于上述问题，其目的在于获得一种剂量率测定装置，其输出能量特性在测定对象的放射线的整个能量范围内都良好，在整个测定区域中的线性良好，且切换点的阶差得到抑制。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术所涉及的剂量率测定装置包括：检测部，该检测部具有第一放射线检测单元和第二放射线检测单元，所述第一放射线检测单元检测放射线并输出模拟电压脉冲和直流电压，所述第二放射线检测单元利用三个以上的传感器部来检测放射线并输出模拟电压脉冲；以及测定部，该测定部具有低量程剂量率运算单元、高量程剂量率运算单元和能量补偿系数决定单元，所述低量程剂量率运算单元将利用从第一放射线检测单元输出的模拟电压脉冲所获得的第一波高频谱转换为低量程剂量率，所述高量程剂量率运算单元将从第一放射线检测单元输出的直流电压转换成高量程剂量率，所述能量补偿系数决定单元基于根据第二波高频谱而求出的平均波高值来决定对于高量程剂量率的能量补偿系数，所述第二波高频谱利用从第二放射线检测单元输出的模拟电压脉冲来获得，第二放射线检测单元的各传感器部以第一放射线检测单元的中心轴为中心彼此等间隔且相对于与中心轴垂直相交的平面彼此等角度地设置在不阻挡放射线射入到第一放射线检测单元的位置上，高量程剂量率运算单元将高量程剂量率与从能量补偿系数决定单元获取到的能量补偿系数相乘，来对高量程剂量率的能量特性进行补偿。专利技术效果根据本专利技术所涉及的剂量率测定装置，基于根据第二波高频谱而求出的平均波高值来决定能量补偿系数，对根据从第一放射线检测单元输出的直流电压求出的高量程剂量率的能量特性进行补偿，其中，所述第二波高频谱利用从具有三个以上传感器部的第二放射线检测单元输出的模拟电压脉冲来获得，因此，能获得一种剂量率测定装置，其在测定对象的放射线的整个能量范围中，输出能量特性均良好，整个测定量程的线性良好，且切换点的阶差得到抑制。关于本专利技术的上述以外的目的、特征、观点及效果，可通过参照附图的以下本专利技术的详细说明变得更加清楚。附图说明图1是表示本专利技术实施方式1所涉及的剂量率测定装置的整体结构的图。图2是表示本专利技术实施方式1所涉及的剂量率测定装置的检测部的图。图3是表示本专利技术实施方式1所涉及的半导体检测器相对于测定空间的有效面积的图。图4是表示本专利技术实施方式1所涉及的半导体检测器的平均波高值与能量补偿系数的对应表的图。图5是表示本专利技术实施方式1所涉及的剂量率测定装置中低量程剂量率以及高量程剂量率的能量特性的图。图6是表示本专利技术实施方式1所涉及的剂量率测定装置中放射线的输入剂量率与最佳切换点的关系的图。图7是表示本专利技术实施方式2所涉及的剂量率测定装置的整体结构的图。图8是表示本专利技术实施方式2所涉及的剂量率测定装置的闪烁光纤检测器的图。图9是表示本专利技术实施方式2所涉及的剂量率测定装置的检测部的图。图10是表示本专利技术实施方式3所涉及的剂量率测定装置的运算部的图。图11是表示本专利技术实施方式3所涉及的剂量率测定装置中高电压与暗电流剂量率的对照表的图。图12是表示本专利技术实施方式4所涉及的剂量率测定装置的整体结构的图。图13是表示本专利技术实施方式5所涉及的剂量率测定装置的整体结构的图。图14是对本专利技术实施方式5所涉及的闪烁检测器的低剂量率区域中的增益漂移补偿动作进行说明的图。具体实施方式实施方式1.下面，基于附图说明本专利技术实施方式1所涉及的剂量率测定装置。图1示出本实施方式1所涉及的剂量率测定装置的整体结构，图2示出本实施方式1所涉及的剂量率测定装置的检测部。另外，在以下说明所使用的各图中，对图中相同或相当的部分标注相同的标号。剂量率测定装置1的检测部2具有对放射线进行检测并输出模拟电压脉冲以及直流电压的第一放射线检测单元、以及利用三个以上的传感器部来检测放射线并输出模拟电压脉冲的第二放射线检测单元。本实施方式1中，如图1所示，具备闪烁检测器21作为第一放射线检测单元，并具备三台半导体检测器22a、22b、22c作为第二放射线检测单元。另外，以下说明中，在无需特意区别三台半导体检测器22a、22b、22c的情况下，统称并记为半导体检测器22。闪烁检测器21中使用无机闪烁检测器、塑料闪烁检测器等。本实施方式1中，使用代表无机闪烁检测器的铊激活碘化钠(以下称为NaI(Tl))闪烁检测器。闪烁检测器21在低剂量率区域中，输出离散的模拟电压脉冲，该离散的模拟电压脉冲具有与由NaI(Tl)闪烁所吸收的放射线的能量成正比的电压，在高剂量率区域中，输出与所吸收的放射线的能量成正比的直流电压。此外，对于半导体检测器22，例如使用Si-PIN光电二极管检测器。半导体检测器22具备半导体传感器作为传感器部，对射入到各个传感器部的放射线的能量进行吸收，并输出具有与所吸收的能量成正比的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种剂量率测定装置，其特征在于，包括：检测部，该检测部具有第一放射线检测单元和第二放射线检测单元，所述第一放射线检测单元检测放射线并输出模拟电压脉冲和直流电压，所述第二放射线检测单元利用三个以上的传感器部来检测放射线并输出模拟电压脉冲；以及测定部，该测定部具有低量程剂量率运算单元、高量程剂量率运算单元和能量补偿系数决定单元，所述低量程剂量率运算单元将利用从所述第一放射线检测单元输出的模拟电压脉冲所获得的第一波高频谱转换为低量程剂量率，所述高量程剂量率运算单元将从所述第一放射线检测单元输出的直流电压转换成高量程剂量率，所述能量补偿系数决定单元基于根据第二波高频谱而求出的平均波高值来决定对于所述高量程剂量率的能量补偿系数，所述第二波高频谱利用从所述第二放射线检测单元输出的模拟电压脉冲来获得，所述第二放射线检测单元的所述各传感器部以所述第一放射线检测单元的中心轴为中心，彼此等间隔且相对于与所述中心轴垂直相交的平面彼此等角度地设置在不阻挡放射线射入到所述第一放射线检测单元的位置上，所述高量程剂量率运算单元将所述高量程剂量率与从所述能量补偿系数决定单元获取到的能量补偿系数相乘，来对所述高量程剂量率的能量特性进行补偿。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种剂量率测定装置，其特征在于，包括：检测部，该检测部具有第一放射线检测单元和第二放射线检测单元，所述第一放射线检测单元检测放射线并输出模拟电压脉冲和直流电压，所述第二放射线检测单元利用三个以上的传感器部来检测放射线并输出模拟电压脉冲；以及测定部，该测定部具有低量程剂量率运算单元、高量程剂量率运算单元和能量补偿系数决定单元，所述低量程剂量率运算单元将利用从所述第一放射线检测单元输出的模拟电压脉冲所获得的第一波高频谱转换为低量程剂量率，所述高量程剂量率运算单元将从所述第一放射线检测单元输出的直流电压转换成高量程剂量率，所述能量补偿系数决定单元基于根据第二波高频谱而求出的平均波高值来决定对于所述高量程剂量率的能量补偿系数，所述第二波高频谱利用从所述第二放射线检测单元输出的模拟电压脉冲来获得，所述第二放射线检测单元的所述各传感器部以所述第一放射线检测单元的中心轴为中心，彼此等间隔且相对于与所述中心轴垂直相交的平面彼此等角度地设置在不阻挡放射线射入到所述第一放射线检测单元的位置上，所述高量程剂量率运算单元将所述高量程剂量率与从所述能量补偿系数决定单元获取到的能量补偿系数相乘，来对所述高量程剂量率的能量特性进行补偿。2.如权利要求1所述的剂量率测定装置，其特征在于，包括剂量率切换单元，该剂量率切换单元求出补偿了所述能量特性的高量程剂量率与所述低量程剂量率的比，基于该比以及补偿了所述能量特性的高量程剂量率，来对所述低量程剂量率和补偿了所述能量特性的高量程剂量率进行切换并进行输出。3.如权利要求1或2所述的剂量率测定装置，其特征在于，所述第二放射线检测单元中配置有所述各传感器部，使得从与所述中心轴平行的方向对所述各传感器部的敏感面进行透视而得到的面积的总和、与从垂直于所述中心轴的方向对所述各传感器部的敏感面进行透视而得到的面积相等。4.如权利要求1至3的任一项所述的剂量率测定装置，其特征在于，使用所述传感器部为半导体传感器的半导体检测器作为所述第二放射线检测单元。5.如权利要求1至3的任一项所述的剂量率测定装置，其特征在于，使用所述传感器部为闪烁光纤的闪烁光纤检测器作为所述第二放射线检测单元。6.如权利要求1至5的任一项所述的剂量...

【专利技术属性】
技术研发人员：茂木健一，相场俊英，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP