The invention relates to the field of semiconductor technology, in particular to a trench type field effect transistor and a manufacturing method thereof. Trench field effect transistor of the invention includes a substrate, a manufacturing n epitaxial layer, P type region, n+ active region, and trench trench polysilicon gate and gate oxide layer within the trench also includes a dielectric layer, the dielectric layer of the polysilicon gate near the groove bottom side is divided into the two part respectively on both sides of the body region near the P type, P type doping area is formed between the polysilicon gate and close to the corresponding groove is arranged at one side of the bottom of the trench and N epitaxial layer. The invention can effectively reduce the gate leakage parasitic capacitance, improve switching speed.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法。技术背景沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(TrenchMOSFET)是近几年迅速发展起来的新型功率器件。TrenchMOSFET具有高输入阻抗,低驱动电流,没有少子存储效应,开关速度快,工作频率高,电流自调节能力强,电流分布均匀,容易通过并联方式增加电流容量,具有较强的功率处理能力,热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿等优良特征,已广泛应用于各种电子设备中,如高速开关电路,开关电源,不间断电源,高功率放大电路,高保真音响电路,射频功放电路,电力转换电路,电机变频电路,电机驱动电路,固体继电器,控制电路与功率负载之间的接口电路等。现有技术TrenchMOSFET常规结构,沟槽底部栅氧化层的厚度和其他位置的栅氧化层厚度相同,比较薄,导致较大的栅-漏寄生电容,使得开关速度降低,从而导致器件性能降低。中国专利ZL201010129265.3公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,使用单方向的氧化层增厚步骤,使沟槽底部的氧化层会比沟槽内其他部分的氧化层厚,因而能有效地降低元件的寄生电容(Qgd)效应,提升高压半导体装置的电性效能。本专利技术提供另一种不同的方式有效减小栅-漏寄生电容。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种有效减小栅-漏寄生电容的沟槽式场效应晶体管,提高开关速度。本专利技术的另一目的是提供上述沟槽式场效应晶体管的制造方法。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种沟槽式场效应晶体管,包括衬底,形成在所述衬底表面的n-外延层,形成在所述n-外延层表面的 ...
【技术保护点】
一种沟槽式场效应晶体管,包括衬底,形成在所述衬底表面的n‑外延层,形成在所述n‑外延层表面的p型体区,所述p型体区顶部设有n+有源区,沟槽延伸通过所述n+有源区与p型体区直到所述n‑外延层,所述沟槽内有多晶硅栅极和栅氧化层,所述栅氧化层形成在沟槽表面,其特征在于:所述沟槽内还包含介电常数不大于栅氧化层的绝缘介质层,所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧分割成分别靠近两侧p型体区的两部分,并且所述多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧对应的沟槽底部与n‑外延层之间形成p型掺杂区,所述多晶硅栅极靠近沟槽底部的一侧的投影在p型掺杂区内。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽式场效应晶体管,包括衬底,形成在所述衬底表面的n-外延层,形成在所述n-外延层表面的p型体区,所述p型体区顶部设有n+有源区,沟槽延伸通过所述n+有源区与p型体区直到所述n-外延层,所述沟槽内有多晶硅栅极和栅氧化层,所述栅氧化层形成在沟槽表面,其特征在于:所述沟槽内还包含介电常数不大于栅氧化层的绝缘介质层,所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧分割成分别靠近两侧p型体区的两部分,并且所述多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧对应的沟槽底部与n-外延层之间形成p型掺杂区,所述多晶硅栅极靠近沟槽底部的一侧的投影在p型掺杂区内。2.根据权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管,其特征在于:所述绝缘介质层的介电常数小于栅氧化层。3.根据权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管,其特征在于:所述绝缘介质层顶部到沟槽底部的距离大于n+有源区底部到沟槽底部的距离。4.根据权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管,其特征在于:所述绝缘介质层材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。5.根据权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管,其特征在于:所述p型掺杂区掺杂浓度小于p型体区掺杂浓度。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:李风浪,李舒歆,
申请(专利权)人:东莞市联洲知识产权运营管理有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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