一种MOSFET驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种MOSFET驱动电路，该MOSFET驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管。第二三极管和第三三极管组成图腾柱，第一三极管和第四三极管为MOSFET提供驱动电流，逻辑电路供电电压通过第一电阻和第四电阻分压，第四电阻的端电压作为基准电压，提供PWM电压基准。本实用新型专利技术采用分立器件组合电路，解决了小幅度的PWM信号驱动高门限栅极电压值的MOSFET驱动问题，电路简单。

MOSFET driving circuit

The utility model relates to a MOSFET drive circuit, the MOSFET driving circuit includes a first transistor, a second transistor, the third transistor, the fourth transistor, a first resistor, a second resistor, a third resistor and the fourth resistor, wherein, the first transistor and the third transistor PNP type transistor, the second transistor and the fourth transistor the tube is a NPN type triode. The second transistor and the third triode consisting of totem pole, a first triode and fourth transistor drive current is MOSFET, the logic circuit supply voltage through the first resistor and the fourth resistor divider, voltage resistance fourth is used as the reference voltage, PWM voltage reference. The utility model adopts the discrete component combination circuit to solve the problem of the MOSFET driving of the high threshold gate voltage value of the small amplitude PWM signal.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种驱动控制电路，具体涉及一种MOSFET驱动电路。
技术介绍
传统MOSFET饱和导通的条件是栅极(G)电压大于源极(S)电压，饱和导通的门限电压VGS(th)一般在3V-5V之间。在一些控制电路的应用中，逻辑部分一般都是使用典型的5V或者3.3V供电；功率部分一般都会使用12V或者更高的电压。当使用传统的图腾柱驱动N沟道耗尽型MOSFET时，如图1所示，VCC2的电压为5V或者3.3V，由于三极管的PN结压降为0.7V，那么MOSFET的栅源极驱动电压为4.3V或者2.6V，显然不能满足MOSFET可靠导通的要求。为了解决这一问题，通常会借助专用的驱动芯片来提供可靠的栅源极驱动电压，如图2所示，这样会增加了器件的成本和电路的复杂程度。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提出了一种MOSFET驱动电路，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管；第一三极管的集电极与功率电路供电电压连接，发射极同时与第三电阻的一端和第四三极管的集电极连接，基极与第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极同时与第二电阻的一端以及第三三极管的发射极连接，基极同时与第一电阻的一端、第四电阻的一端以及第三三极管的基极连接；第三三极管的集电极与第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极接地；第一电阻的另一端连接逻辑电路供电电压；第二电阻的另一端连接PWM的信号输入端；第三电阻的另一端连接N沟道耗尽型MOSFET的栅极；第四电阻的另一端接地。进一步，根据权利要求1所述的电路，其特征在于，N沟道耗尽型MOSFET的源极接地，漏极经负载接电压。进一步，逻辑电路供电电压通过第一电阻和第四电阻分压，第四电阻的端电压作为基准电压。本技术的有益效果：本技术通过简单的分立器件组合电路，解决了小幅度的PWM信号驱动高门限栅极电压值的MOSFET驱动问题，电路简单，成本也大大低于专用驱动芯片的成本。附图说明图1是现有技术的一种MOSFET驱动电路的结构示意图；图2是现有技术的另一种MOSFET驱动电路的结构示意图；图3是本技术提出的MOSFET驱动电路的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。但本领域技术人员知晓，本技术并不局限于附图和以下实施例。本技术提出了一种MOSFET驱动电路，如图3所示。该MOSFET驱动电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q4、第四三极管Q5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，其中，第一三极管Q1和第三三极管Q4为PNP型三极管，第二三极管Q2和第四三极管Q5为NPN型三极管。第一三极管Q1的集电极C与功率电路供电电压VCC2连接，发射极E同时与第三电阻R3的一端和第四三极管Q5的集电极C连接，基极B与第二三极管Q2的集电极C连接。第二三极管Q2的发射极E同时与第二电阻R2的一端以及第三三极管Q4的发射极E连接，基极B同时与第一电阻R1的一端、第四电阻R4的一端以及第三三极管Q4的基极B连接。第三三极管Q4的集电极C与第四三极管Q5的基极B连接。第四三极管Q5的发射极E接地GND。第一电阻R1的另一端连接逻辑电路供电电压VCC1。第二电阻R2的另一端连接PWM的信号输入端PWM_IN。第二电阻R2用于限制第二三极管Q2和第三三极管Q4的基极电流。第三电阻R3的另一端连接N沟道耗尽型MOSFETQ3的栅极G。第三电阻R3用于限制MOSFETQ3的栅极电流。第四电阻R4的另一端接地GND。N沟道耗尽型MOSFETQ3的源极S接地GND，漏极D经负载Rload接VDC。逻辑电路供电电压VCC1通过第一电阻R1和第四电阻R4分压，第四电阻R4的端电压作为基准电压VREF，提供PWM电压基准。其中，VCC2可以为功率电路供电电压，也可以为其他电压，一般要求VCC1≤VCC2。第二三极管Q2和第三三极管Q4组成图腾柱。第一三极管Q1和第四三极管Q5为MOSFETQ3提供驱动电流，第一三极管Q1或第四三极管Q5三极管导通时，只有一个Vce的压降,这个压降通常为0.3V左右。当PWM的信号输入端PWM_IN为低电平时，由于基准电压VREF＞VCC1，因此第二三极管Q2导通，第三二极管Q4截止，从而第一三极管Q1导通，第四三极管Q5截止；第一三极管Q1为MOSFETQ3提供驱动电流，加在MOSFETQ3栅极G的电压为VCC2减去Vce(0.3V左右)，大于门限电压，因此OSFETQ3导通。当PWM的信号输入端PWM_IN为高电平时，由于基准电压VREF＜VCC1，因此第三三极管Q4导通，第二三极管Q2截止，从而第四三极管Q5导通，第一三极管Q1截止；第四三极管Q5为MOSFETQ3提供驱动电流，加在MOSFETQ3栅极G的电压为Vce(0.3V左右)，小于门限电压，驱动MOSFETQ3关断。以上，对本技术的实施方式进行了说明。但是，本技术不限定于上述实施方式。凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET驱动电路，其特征在于，该MOSFET驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管；第一三极管的集电极与功率电路供电电压连接，发射极同时与第三电阻的一端和第四三极管的集电极连接，基极与第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极同时与第二电阻的一端以及第三三极管的发射极连接，基极同时与第一电阻的一端、第四电阻的一端以及第三三极管的基极连接；第三三极管的集电极与第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极接地；第一电阻的另一端连接逻辑电路供电电压；第二电阻的另一端连接PWM的信号输入端；第三电阻的另一端连接N沟道耗尽型MOSFET的栅极；第四电阻的另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET驱动电路，其特征在于，该MOSFET驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管；第一三极管的集电极与功率电路供电电压连接，发射极同时与第三电阻的一端和第四三极管的集电极连接，基极与第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极同时与第二电阻的一端以及第三三极管的发射极连接，基极同时与第一电阻的一端、第四电...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹波，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44