一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路制造技术

本申请提供一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路，该射频开关电路包括多个并联的开关支路，每个开关支路包括串联连接的第一开关SE和第二开关SH，其中第一开关的输入端与信号输入端RFC连接，第二开关的输出端与地电位连接，信号输出端RF连接于第一开关和第二开关之间；控制电路，可单独控制第一开关和第二开关的通断；其中，当一个开关支路的第一开关闭合时，该支路的第二开关断开，其余开关支路的第一开关、第二开关断开，由控制电路提供直流电压偏置，使第二开关呈高阻抗，从而提高各个打开的支路间的隔离度。

Radio frequency switch circuit for improving open branch interval

This application provides a method to improve the open interval from the branch RF switch circuit of the RF switch, the switch branch circuit comprises a plurality of parallel, each branch switch includes first and second switch series SE switch SH is connected, wherein the first switch input end and the signal input end connected to the RFC, and the output end of second switch ground potential the connection, the signal output end RF is connected between the first switch and the second switch; the control circuit can be controlled separately, the first switch and the second switch; wherein, when the first switch is a switch branch, the second branch switch disconnect switch, the first switch other branch second switch off and by the control circuit provides a DC voltage bias, the second switch has high impedance, so as to improve the isolation between each branch open.

【技术实现步骤摘要】

本申请属于微电子
，特别涉及一种高隔离度的射频开关及其电路实现。
技术介绍
射频开关广泛应用于射频收发电路中，是一个不可或缺的模块，它可实现频段切换、天线调谐和阻抗调谐等功能。现有技术中，传输射频信号的相邻信号支路容易产生串扰，而包括射频开关的各开关支路之间隔离度差，其上的射频信号容易产生串扰和损耗，导致射频信号的输出质量差。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
本申请所要解决的技术问题为，提供一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路，该射频开关电路较传统开关电路具有损耗低和隔离度高等特点。为了解决以上技术问题，根据本申请实施例的一个方面，提供一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路，其特征在于：包括多个并联的开关支路，每个开关支路包括串联连接的第一开关SE和第二开关SH，其中第一开关的输入端与信号输入端RFC连接，第二开关的输出端与地电位连接，信号输出端RF连接于所述第一开关和所述第二开关之间；控制电路，可单独控制第一开关和第二开关的通断；其中，当一个开关支路的第一开关闭合时，该支路的第二开关断开，其余开关支路的第一开关、第二开关断开。根据本申请的实施例的另一个方面，每个开关支路的第一开关包括多个串联连接的MOSFET晶体管，每个开关支路的第二开关包括m个串联连接的MOSFET晶体管，其中第1个MOSFET晶体管的输入端与第一开关连接，第m个MOSFET晶体管的输出端与地电位连接，m≧2。根据本申请实施例的另一个方面，第一开关中的每个MOSFET晶体管的栅极与控制电路的VCa端连接，第二开关中的第1至k个MOSFET晶体管的栅极与控制电路的VCb端连接，第k+1至m个开关与控制电路的VCc端连接，1≤k≤m-1，其中当一个开关支路的第一开关中的所有MOSFET晶体管导通，该开关支路中第二开关中的所有MOSFET晶体管均断开，其余开关支路第一开关中的所有MOSFET晶体管关断，第二开关中的第1至k个MOSFET晶体管导通，第k+1至m个MOSFET晶体管关断。根据本申请实施例的另一个方面，优选地，当m为偶数时，k＝m/2，当m为奇数时，k＝(m+1)/2。本申请的有益效果在于：本申请的射频开关电路多个开关支路均包括与信号输出端串联的第一开关和与信号输出端并联的第二开关，当其中的一个开关支路的第一开关导通时，其余开关支路被打开，并且由控制电路提供直流电压偏置，使其余开关支路的第二开关呈现高阻抗，从而达到提高射频开关电路中打开的各个开关支路间隔离度的目的。参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本申请提高打开的支路间隔离度的射频开关电路示意图；图2是本申请用MOSFET晶体管实现的单刀多掷射频开关电路示意图；图3是图2中RF1支路闭合时的等效电路示意图。具体实施方式参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。如图1所示的射频开关电路，包括n个并联的开关支路以及控制电路。其中，开关支路i包括串联连接的第一开关SEi和第二开关SHi，信号输出端RFi连接于所述第一开关和所述第二开关之间；控制电路可单独控制第一开关和第二开关的通断。RFC为射频信号输入端，[RF1,RF2,RF3…RFn]分别为n个射频信号输出端，与每个信号输出端串联的第一开关[SE1,SE2,SE3…SEn]分别与信号输入端RFC连接，与每个信号输出端并联的第二开关[SH1,SH2,SH3…SHn]分别与信号地连接。当RF1的信号传输支路闭合时，即第一开关SE1闭合时，射频信号的通路为从RFC输入到RF1输出，而从RFC到其余信号输出端的路径均不闭合。此时，RF1的信号传输支路的第一开关SE1闭合，第二开关SH1断开；其它信号传输支路的第一开关[SE2,SE3…SEn]均断开，第二开关[SH2,SH3…SHn]也断开。上述各个第一开关和第二开关的控制信号由控制电路提供。其余信号传输支路闭合时第一开关和第二开关的通断情况与上述情况类似。图2是用MOSFET晶体管实现的一个单刀多掷射频开关具体电路图，每个开关支路的第一开关由i个MOSFET晶体管串联构成，每个开关支路的第二开关由m个MOSFET晶体管串联构成。控制电路提供若干个直流电压控制信号：[VC1a,VC2a,VC3a…VCna]分别控制第一开关管[M11,M21,M31,…Mn1](各由i个MOSFET晶体管串联构成)，[VC1b,VC2b,VC3b…VCnb]分别控制第二开关管[M12,M22,M32,…Mn2](各由k个MOSFET晶体管串联构成)，[VC1c,VC2c,VC3c…VCnc]分别控制第三开关管[M13,M23,M33,…Mn3](各由m-k个MOSFET晶体管串联构成)。当RF1的信号传输支路闭合时，第一开关支路中的第一开关管M11全部导通，第二开关管M12和第三开关管M13全部断开；其它开关支路的第一开关管[M21,M31,…Mn1]均断开，第二开关管[M22,M32,…Mn2]均断开，第三开关管[M23,M33,…Mn3]均导通。其中优选地，当m为偶数时，k＝m/2，当m为奇数时，k＝(m+1)/2。图3为图2中RF1的信号传输支路闭合时的等效电路，当MOSFET晶体管关断时其等效为一个电容，导通时等效为一个电阻。不导通的信号传输路径RF2,RF3…RFn中的第二开关等效为电阻R与电容C的串联，该RC串联电路呈现出很高的阻抗，因此可以大幅提高各个打开的开关支路间的隔离度，保证了射频信号的输出质量。本申请所提出的上述技术方案中每个开关支路包括串联连接的第一开关和第二开关，信号输出端连接于第一开关和第二开关之间；当其中的一个开关支路的第一开关导通时，其余开关支路被打开，并且由控制电路提供直流电压偏置，使其余开关支路的第二开关呈本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路，其特征在于：所述射频开关电路包括：多个并联的开关支路，每个开关支路包括串联连接的第一开关和第二开关，其中第一开关的输入端与信号输入端连接，第二开关的输出端与地电位连接，信号输出端连接于所述第一开关和所述第二开关之间；以及控制电路，其能够单独控制第一开关和第二开关的通断；其中，当一个开关支路的第一开关闭合时，该支路的第二开关断开，其余开关支路的第一开关和第二开关断开。

【技术特征摘要】
1.一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路，其特征在于：所述射频开关电路包括：多个并联的开关支路，每个开关支路包括串联连接的第一开关和第二开关，其中第一开关的输入端与信号输入端连接，第二开关的输出端与地电位连接，信号输出端连接于所述第一开关和所述第二开关之间；以及控制电路，其能够单独控制第一开关和第二开关的通断；其中，当一个开关支路的第一开关闭合时，该支路的第二开关断开，其余开关支路的第一开关和第二开关断开。2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于：每个开关支路的第一开关包括多个串联连接的MOSFET晶体管，每个开关支路的第二开关包括m个串联连接的MOSFET晶体管，其中，在第二开关中，第1个MOSFET晶体管的输入端与第一开关连接，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱欣恩，杨澄思，卢煜旻，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31