The invention discloses a method for manufacturing a MEMS device. The manufacturing method comprises: a release layer for bonding solution on the surface of SOI film or bare wafer carrier after spraying temporary bonding; adhesive layer to SOI or carrier spin coated on the bare silicon wafer bonding is temporary; the SOI and carrier of the bare silicon wafer temporary bonding together and curing; alkali resistant corrosion in the surface of the rotary piece bonding carrier of silicon coated layer bare; corrosion of the underlying silicon substrate SOI film, in order to remove the basal part of corrosion; removal of alkali resistant adhesive and clean bonding film; etching the buried oxide layer; the bonding layer is pasted on the tablet device side UV membrane bond; pieces de bonding to remove the bare silicon wafer carrier; cleaning device layer, remove the solution after the bonding layer on the surface layer of residual release device, in order to get the device. The manufacturing method of the invention can produce ultrathin devices with the thickness of 10um or even below, meanwhile, the utility model has the advantages of excellent thickness uniformity, high manufacturing precision and convenient mass production.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种MEMS器件的制造方法。
技术介绍
随着MEMS(全称Micro-Electro-MechanicalSystem,即微机电系统)技术的不断发展,要求半导体加工可以处理薄衬底,再加上封装体积的限制,使得很多类型的MEMS传感器芯片的制作工艺都面临着减薄的问题。受到消费类电子如手机、音乐播放器、照相机、游戏系统以及汽车传感器如胎压传感器、电喷系统压力传感器等的驱动,MEMS器件的尺寸和厚度都在不断的减小。为满足这些产品的制造需求,减薄器件晶圆已是大势所趋。而常规的磨片减薄工艺,若要保证芯片磨片后仍具有良好均匀性,则减薄极限为50um(微米)。即便如此,对于表面应力变化极为敏感的器件(如压力传感器芯片),使用常规磨片减薄后会影响到器件的输出特性,若无法精确控制磨片量、磨片均匀性及磨片力,就无法实现量产。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中在生产制造MEMS器件时,常规的磨片减薄工艺在保证厚度均匀性的前提下减薄极限较大,难以制造厚度均匀性较好的超薄器件。为了弥补制造精度不够高的缺陷,从而提供了一种MEMS器件的制造方法。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种MEMS器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层,并进行后烘;S2、于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层;S3、将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起,并进行固化;S4、在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层;S5、利用碱腐蚀液对SOI片的底层硅基体进行腐蚀,以将基 ...
【技术保护点】
一种MEMS器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层,并进行后烘;S2、于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层;S3、将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起,并进行固化;S4、在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层;S5、利用碱腐蚀液对SOI片的底层硅基体进行腐蚀,以将基底部分腐蚀去除,并停止于埋氧层;S6、去除抗碱胶层并清洗键合片;S7、腐蚀去除埋氧层;S8、将键合片粘贴于UV膜上,其中器件层与UV膜粘贴;S9、将键合片解键合以移除载体裸硅片;S10、清洗器件层,去除解键合后残留于器件层表面的释放层,以得到器件。
【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层,并进行后烘;S2、于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层;S3、将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起,并进行固化;S4、在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层;S5、利用碱腐蚀液对SOI片的底层硅基体进行腐蚀,以将基底部分腐蚀去除,并停止于埋氧层;S6、去除抗碱胶层并清洗键合片;S7、腐蚀去除埋氧层;S8、将键合片粘贴于UV膜上,其中器件层与UV膜粘贴;S9、将键合片解键合以移除载体裸硅片;S10、清洗器件层,去除解键合后残留于器件层表面的释放层,以得到器件。2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,步骤S3中的临时键合及S9中的解键合在室温下进行。3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,载体裸硅片的厚度在300um-...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛维佳,陈倩,袁霞,
申请(专利权)人:上海先进半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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