一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡，其结构包括电路板，电路板表面设有Raid控制器，电路板表面还设有与Raid控制器相连的高速连接器、DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组。Raid控制器位于电路板表面中部；高速连接器位于Raid控制器一侧，高速连接器上设有PCIE3.0总线和SAS3.0总线；DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组位于Raid控制器的相对侧，Raid控制器在进行数据处理时把相关数据短暂存储于DDR3内存颗粒，Flash模块连接器用于连接外部超级电容模块，且在Raid控制器与外部存储设备交互数据时，Raid控制器将处理后的数据传输至存储芯片组。本实用新型专利技术用于服务器主板上SAS3.0接口及硬盘扩展，具有占用空间小、兼容性好、传输速度快、安全性高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及服务器存储设备
，具体地说是一种具有数据保护功能的RaidMezz卡。
技术介绍
RAID卡是一种把多块独立的硬盘按不同方式组合起来形成一个硬盘阵列，从而提供比单个硬盘更高的存储性能和提供数据冗余的技术；RAID卡可以让很多磁盘驱动器同时传输数据，而这些磁盘驱动器在逻辑上又是一个磁盘驱动器，所以使用RAID可以达到单个的磁盘驱动器几倍、几十倍的性能。现有的RAID卡多采用PCIE标准卡的模式，扩展性较差，占用空间大，即使采用RaidMezz卡模式，一般也没有数据保护功能。
技术实现思路
本技术的技术任务是解决现有技术的不足，提供一种具有数据保护功能的RaidMezz卡。本技术的技术方案是按以下方式实现的：一种具有数据保护功能的RaidMezz卡，其结构包括电路板，电路板表面设置有Raid控制器，电路板表面还设置有与Raid控制器相连的高速连接器、DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组。Raid控制器位于电路板的表面中部，Raid控制器支持Raid等级有Raid0、1、5、6、10、50、60，Raid控制器还支持PCIE3.0x8及最多8个SAS3.0接口；高速连接器位于Raid控制器一侧，且高速连接器上设置有将外部主板连接于Raid控制器的PCIE3.0总线和SAS3.0总线；DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组位于Raid控制器的相对侧，Raid控制器在进行数据处理时把相关数据短暂存储于DDR3内存颗粒，Flash模块连接器用于连接外部超级电容模块，以在电路板异常掉电时将正在进行处理的数据从DDR3内存颗粒通过Flash模块连接器到超级电容模块中，且在Raid控制器与外部存储设备交互数据时，Raid控制器将处理后的数据传输至存储芯片组。在上述结构的基础上，存储芯片组包括用于存储控制器Firmware和配置程序的NANDFlash和NVRAM。优选Raid控制器选用LSI3108。优选高速连接器的个数为两个。优选DDR3内存颗粒的个数为五个。本技术的一种具有数据保护功能的RaidMezz卡与现有技术相比所产生的有益效果是：本技术设计合理，结构简单，用于服务器主板上SAS3.0接口及硬盘扩展，通过高速连接器引出PCIE3.0和SAS3.0总线，实现外部主板与Raid控制器之间的连接通信，减小电路板在外部主板上占用的空间，具有占用空间小、兼容性好、传输速度快、安全性高的优点。附图说明附图1是本技术水平放置时的结构俯视图；附图2是本技术的结构原理图。附图中的标记分别表示：1、高速连接器，2、Raid控制器，3、DDR3内存颗粒，4、Flash模块连接器，5、NANDFlash，6、NVRAM，7、电路板。具体实施方式下面结合附图1、2，对本技术的一种具有数据保护功能的RaidMezz卡作以下详细说明。如附图1、2所示，本技术的一种具有数据保护功能的RaidMezz卡，其结构包括电路板7，电路板7表面设置有Raid控制器2，Raid控制器2选用LSI3108。电路板7表面还设置有与Raid控制器2相连的高速连接器1、DDR3内存颗粒3、Flash模块连接器4和存储芯片组。其中，高速连接器1的个数为两个。DDR3内存颗粒3的个数为五个。存储芯片组包括用于存储控制器Firmware和配置程序的NANDFlash5和NVRAM6。Raid控制器2位于电路板7的表面中部，Raid控制器2支持Raid等级有Raid0、1、5、6、10、50、60，Raid控制器2还支持PCIE3.0x8及最多8个SAS3.0接口；高速连接器1位于Raid控制器2一侧，且高速连接器1上设置有将外部主板连接于Raid控制器2的PCIE3.0总线和SAS3.0总线。DDR3内存颗粒3、Flash模块连接器4和存储芯片组位于Raid控制器2的相对侧，Raid控制器2在进行数据处理时把相关数据短暂存储于DDR3内存颗粒3，Flash模块连接器4用于连接外部超级电容模块，以在电路板7异常掉电时将正在进行处理的数据从DDR3内存颗粒3通过Flash模块连接器4到超级电容模块中，且在Raid控制器2与外部存储设备交互数据时，Raid控制器2将处理后的数据传输至存储芯片组。本技术用于服务器主板上SAS3.0接口及硬盘扩展，通过PCIE3.0总线实现了外部主板与Raid控制器2的双向通行，同时，Raid控制器2通过SAS3.0总线连接外部硬盘，此外，还连接有DDR3内存颗粒3和存储芯片组，具有扩展性好、占用空间小的优点。综上所述，以上内容仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管该具体实施方式部分对本技术作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有数据保护功能的Raid Mezz卡，其特征在于，包括电路板，所述电路板表面设置有Raid控制器，电路板表面还设置有与Raid控制器相连的高速连接器、DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组；所述Raid控制器位于电路板的表面中部，Raid控制器支持Raid等级有Raid0、1、5、6、10、50、60，Raid控制器还支持PCIE3.0x8及最多8个SAS3.0接口；所述高速连接器位于Raid控制器一侧，且高速连接器上设置有将外部主板连接于Raid控制器的PCIE3.0总线和SAS3.0总线；所述DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组位于Raid控制器的相对侧，Raid控制器在进行数据处理时把相关数据短暂存储于DDR3内存颗粒，Flash模块连接器用于连接外部超级电容模块，且在Raid控制器与外部存储设备交互数据时，Raid控制器将处理后的数据传输至存储芯片组。

【技术特征摘要】
1.一种具有数据保护功能的RaidMezz卡，其特征在于，包括电路板，所述电路板表面设置有Raid控制器，电路板表面还设置有与Raid控制器相连的高速连接器、DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组；所述Raid控制器位于电路板的表面中部，Raid控制器支持Raid等级有Raid0、1、5、6、10、50、60，Raid控制器还支持PCIE3.0x8及最多8个SAS3.0接口；所述高速连接器位于Raid控制器一侧，且高速连接器上设置有将外部主板连接于Raid控制器的PCIE3.0总线和SAS3.0总线；所述DDR3内存颗粒、Flash模块连接器和存储芯片组位于Raid控制器的相对侧，Raid控制器在进行数据处理时把相关数据短暂存储于DD...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亮，薛广营，吴浩，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37