The invention discloses a high conductance calcium carbide graphene / copper based layered composite material and a preparation method thereof, which is characterized in that the composite material by CVD graphene and plate-like copper base composite composed of alternating layered structure, the thickness of layer is a single crystal, and (111) crystal plane height is taken to. The method is as follows: (1) by chemical vapor deposition (CVD) technique in plate-like copper substrate surface growth and induced copper substrate along the graphene (111) preferred orientation, the prepared graphene sandwich shaped coated copper substrate; (2) a plurality of graphene coated copper substrate by hot pressing a high conductance calcium carbide sintering densification of graphene / Cu based layered composite materials. The layered composite material prepared by the invention has the advantages of high conductivity, higher conduction level than that of pure silver and easy production.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高导电金属基复合材料材料领域,具体的,涉及一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及其制备方法。
技术介绍
近年来,随着电子、传导技术的发展,电极材料、信号保真等领域对导体的传导性能提出了高于纯银(≥62.9×106S/m,108%IACS)的要求(IACS为国际退火铜标准)。对现有技术的文献检索发现,文献(1)“CopperBetterthanSilver:ElectricalResistivityoftheGrain-FreeSingle-CrystalCopperWire”(铜优于银:单晶铜线的电阻率)(CrystalGrowth&Design,Vol.10,No.6,2010,2780-2784)通过旋转提拉法制备铜单晶,然后利用电火花线切割技术获得单晶铜导线,电导率(65.7×106S/m,113%IACS)高于纯银,文献(2)“Fabricationofthebestconductorfromsingle-crystalcopperandthecontributionofgrainboundariestotheDebyetemperature”(由单晶铜制造最好的导体及晶界对德拜温度的贡献)(CrystEngComm,2012,14,1463–1467)在此基础上引入热等静压技术,进一步降低材料内部的点缺陷密度,使单晶铜导线的电导率(67.9×106S/m,117%IACS)高于单晶银(67.1×106S/m,115%IACS),可以满足当前电子、传导技术对于高导电性能的发展要求。但是通过旋转提拉法制备单晶技术对生产条件极为苛 ...
【技术保护点】
一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于:所述复合材料包括板状铜基底以及石墨烯,所述石墨烯与铜基底交替复合构成层状结构,层内厚度方向铜基底为单晶态,且表现为高度取向(111)晶面,层内水平方向铜基底为单晶或多晶态。
【技术特征摘要】
2016.08.10 CN 20161065252671.一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于:所述复合材料包括板状铜基底以及石墨烯,所述石墨烯与铜基底交替复合构成层状结构,层内厚度方向铜基底为单晶态,且表现为高度取向(111)晶面,层内水平方向铜基底为单晶或多晶态。2.根据权利要求1所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于:所述板状铜基底上下表面均匀沉积石墨烯,并诱导铜基底沿(111)择优取向,得到三明治状的石墨烯包覆铜基底。3.根据权利要求2所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于,所述的三明治状的石墨烯包覆铜基底中,铜基底为箔材或板材,层厚为1μm~500μm,铜基底的纯度≥99%。4.根据权利要求2所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于,所述的三明治状的石墨烯包覆铜基底中,石墨烯的层数为1~10层。5.根据权利要求1-4任一项所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料,其特征在于,所述铜基底的片数为2片以上。6.一种权利要求1-5任一项所述的高导电石墨烯/铜基层状复合材料的制...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊定邦,曹沐,谭占秋,范根莲,李志强,张荻,
申请(专利权)人:上海交通大学,
类型:发明
国别省市:上海;31
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