涂布型绝缘膜形成用组合物制造技术

技术编号:15253585 阅读:128 留言:0更新日期:2017-05-02 19:01
本发明专利技术提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明专利技术的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂,环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。

Coating composition for forming insulating film

The present invention provides excellent solubility, stability and safety of the formation of organic material insulating film can be formed by coating a relatively low dielectric constant, high insulation resistance, wettability and high insulating film forming an insulating film is formed by coating the upper layer to the composition. The invention of the insulating film forming composition containing the cyclic olefin copolymer and the solvent, cyclic olefin copolymer is a copolymer of cyclic olefin and chain olefins; solvent containing the following formula (1) said compounds and the standard boiling point is 100 degrees above and below 300 DEG c.. In the formula (1), the ring Z is a saturated or unsaturated ring hydrocarbon, which is selected from 5 to 6 yuan, and a ring in the benzene ring, and R1 is a radical or an acyl group. The ring Z has at least a R1O group as a substituent. In the case of having more than 2 substituents, the 2 substituents are optionally bonded with each other to form a ring with the carbon atoms which form the ring Z.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含作为溶质的环状烯烃共聚物和溶解该共聚物的溶剂、涂布性优异、且可通过涂布法而形成上位层的、具有润湿性的涂膜的绝缘膜形成用组合物。本申请基于2014年9月3日在日本提出申请的日本特愿2014-179447号要求优先权,并将其内容援引于此。
技术介绍
一般而言,作为绝缘膜的材料,包括二氧化硅、氮化硅等无机材料、环状烯烃共聚物、聚酰亚胺、聚对二甲苯、无定形氟树脂、聚丙烯酸树脂等有机材料,可根据用途、要求特性而区分使用。以往,在液晶显示器中,无机材料为主流,但近年来,由于提出了显示器的柔性化、削减成本的要求,因此已开始了向有机材料的替代。就无机材料而言,利用蒸镀法形成绝缘膜,而对于有机材料而言,在能够通过涂布法而容易且廉价地形成绝缘膜的方面、可获得轻质且柔软的绝缘膜的方面是优异的。如果有效地利用上述优点,则能够通过涂布法而大量、迅速且廉价地形成大面积的电子器件(非专利文献1)。作为电子器件,例如有机薄膜晶体管被认为可通过1)栅电极的印刷、2)栅极绝缘膜的印刷、3)半导体的印刷、4)源电极、漏电极的印刷的共计4次的印刷而制造。在通过涂布法来制造电子器件时,将上述有机材料制成墨液化或糊料化是重要的,但就上述聚酰亚胺而言,存在在溶剂中的溶解性低的问题。另外,作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸虽然在溶剂中的溶解性高,但为了制成聚酰亚胺需要在高温下进行加热(专利文献1),因此存在对基材、被印刷材料造成损伤的问题。另外,利用聚对二甲苯形成涂膜时,需要进行基于加热的热分解(专利文献2)。因此,不适于利用涂布法的电子器件的制造。此外,无定形氟树脂虽然可通过涂布法而形成涂膜,但由于所得涂膜的润湿性低,因此难以在该涂膜上通过涂布法来形成上位层(upperlayer),采用的是利用蒸镀法来形成电极、有机半导体等上位层的方法、在形成上述上位层之后跟随无定形氟树脂的涂布工序的方法、在无定形氟树脂的涂膜上隔着由无机材料形成的密合层形成上位层的方法(专利文献3)。但是,存在仅利用涂布法来制造电子器件困难、或形状产生制约的问题。另一方面,环状烯烃共聚物的溶剂润湿性高。并且,环状烯烃共聚物的相对介电常数低、绝缘电阻值高。但是,环状烯烃共聚物存在在溶剂中的溶解性低、即使制成墨液而容易发生析出、相分离的问题。作为改善溶解性的方法,已知有对环状烯烃共聚物进行化学修饰的方法,但也存在因化学修饰而导致绝缘性能降低的问题(专利文献4、5)。作为上述有机材料的墨液化所主要使用的溶剂,已被使用的有甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二氧杂环己烷、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、环己酮、乙二醇系醚等,但出于下述理由,正寻求它们的替代品,即:由于挥发性过高而难以实现涂膜表面的平滑化、由于被视为是高度关注物质(SVHC)的管理对象物因而难以在工业中使用。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-064662号公报专利文献2:日本特开2010-283332号公报专利文献3:日本特开2010-278173号公报专利文献4:日本特开2008-111033号公报专利文献5:日本特开2009-167433号公报非专利文献非专利文献1:印刷电子技术(printedelectronics技术)菅沼克昭、棚网弘(ISBN978-4-7693-1280-2)
技术实现思路
专利技术要解决的问题因此,本专利技术的目的在于提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数(比誘電率,relativepermittivity)低、绝缘电阻值高、润湿性高、通过涂布法而形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。解决问题的方法本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究,结果发现,通过将环状烯烃共聚物和特定的安全的溶剂组合,能够稳定地形成适于涂布法的墨液,而通过涂布该墨液,能够形成相对介电常数低、绝缘电阻值高的绝缘膜,且该绝缘膜是具有润湿性的、且能够通过涂布法而形成上位层。本专利技术是基于这些见解而完成的。即,本专利技术提供含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂的绝缘膜形成用组合物。环状烯烃共聚物:环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂:包含以下述式(1)表示、且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。[化学式1](式中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。)另外,本专利技术提供上述的绝缘膜形成用组合物,其中,环状烯烃共聚物是任选具有取代基的降冰片烯和/或环十二烯与碳原子数2~8的链状α-烯烃的共聚物。另外,本专利技术提供上述的绝缘膜形成用组合物,其中,溶剂包含选自环己基甲基醚、环己醇乙酸酯、甲氧基苯、乙氧基苯及环戊基甲基醚中的至少1种化合物。另外,本专利技术提供粘度[25℃、剪切速度10(1/s)时]为0.1~5000mPa·s的上述的绝缘膜形成用组合物。即,本专利技术涉及下述方案。[1]一种绝缘膜形成用组合物,其含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂。环状烯烃共聚物:环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂:包含以式(1)表示、且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物(式中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环)。[2]上述[1]所述的绝缘膜形成用组合物,其中,环状烯烃共聚物含有环状烯烃共聚物总量的50~90重量%的源自环状烯烃的单体单元,含有环状烯烃共聚物总量的10~50重量%的源自链状烯烃的单体单元。[3]上述[1]或[2]所述的绝缘膜形成用组合物,其中,环状烯烃共聚物中的源自环状烯烃的单体单元和源自链状烯烃的单体单元的总含量为环状烯烃共聚物总量的50重量%以上。[4]上述[1]~[3]中任一项所述的绝缘膜形成用组合物,其中,环状烯烃共聚物的玻璃化转变温度(基于ISO11375-1,-2,-3)为40~220℃。[5]上述[1]~[4]中任一项所述的绝缘膜形成用组合物,其中,环状烯烃共聚物的重均分子量(基于GPC、且经过聚苯乙烯换算的重均分子量)为3000~200000。[6]上述[1]~[5]中任一项所述的绝缘膜形成用组合物,其中,环状烯烃共聚物是任选具有取代基的降冰片烯和/或环十二烯与碳原子数2~8的链状α-烯烃的共聚物。[7]上述[1]~[6]中任一项所述的绝缘膜形成用组合物,其是含有作为溶质的环状烯烃共聚物、和溶剂的绝缘膜形成用组合物,并且,绝缘膜形成用组合物中包含的溶质总量中环状烯烃共聚物所占的比例为50重量%以上。[8]上述[1]~[7]中任一项所述的绝缘膜形成用组合物,其中,溶剂包含选自环己基甲基醚、环己醇乙酸酯、甲氧基苯、乙氧基苯及环戊基甲基醚中的至少1种化合物。[9]上述[1]~[8]中任一项所述的绝缘膜形成用组合物,其中,溶剂含有以式(1)表示、且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物,且该化合物的含量为绝缘膜形成用组合物中包含的溶剂总量中的50重量%以上。[10]上述[8]或[9]所述的绝缘膜形成用组合物,其中,溶剂含有选自环己基甲基醚、环己醇乙酸酯、甲本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种绝缘膜形成用组合物,其含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂,环状烯烃共聚物:环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂:包含以下述式(1)表示、且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物,式(1)中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基,环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.03 JP 2014-1794471.一种绝缘膜形成用组合物,其含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂,环状烯烃共聚物:环状烯烃和链状烯烃的共聚物;溶剂:包含以下述式(1)表示、且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物,式(1)中,环Z为选自5~6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环,R1为烃基或酰基,环Z至少具有R1O基作为取代基,在具有2个以上取代基的情况下,2个取代基任选相互键合...

【专利技术属性】
技术研发人员:赤井泰之铃木阳二横尾健
申请(专利权)人:株式会社大赛璐
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1