The invention discloses a two-dimensional nano film and preparation method thereof, the two-dimensional nano film preparation method comprises the following steps: (1) preparation of a mixture of B, N, mixed Mo, C and S powder, after mixing of B, N, Mo, C and S powder with high temperature and pressure treatment get, liquid mixture; (2) preparing a mixture of two mixture of Si powder and H2 powder, Si and H2 of high pressure treatment, obtaining a mixture of gas-liquid mixture like two; (3) into the culture medium: mixing the mixture and the mixture of two, and after ultrasonic treatment, mixture ultrasonic processing of a mixture of two and into the fixed form medium to medium and a mixture of a mixture of two high frequency magnetic electrode reaction on import, to generate two-dimensional nanosheets, which has matching medium fixed form shape. The production process of the two-dimensional nanosheets prepared by the method is simple and can store a large amount of information.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米材料领域,尤其涉及一种二维纳米片及其制备方法。
技术介绍
石墨烯二维纳米片的合成、性能及应用已成为材料科学家们最感兴趣的重要研究领域,学术界由此掀起了新一轮对二维材料的研究热潮。材料结构在由三维转变为二维以后,表现出了独特的表面结构和电子特性,具有了优良的力学、热学、电学和光学特性。例如,采用微机械剥离法对层状石墨进行剥离处理,即可得到二维的石墨烯,该石墨烯具有高透光率、高导热系数、高电子迁移率和极低的电阻率等性能,是近几年最具吸引力和科学研究价值的材料。目前广受关注的类石墨烯二维层状材料主要有过渡金属硫族化合物、过渡金属氧化物和金属氢氧化物,这些层状材料的前驱物因层片间的范德华相互作用力较弱,很容易将它们剥离成为二维的单层或多层的片状结构。然而,目前市场上的类石墨烯二维纳米片生产工艺复杂,电学性能不高,存储信息量也不大。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种二维纳米片的制备方法,旨在简化二维纳米片的生产工艺,提高其电学性能,增大信息存储量。为实现上述目的,本专利技术提供的二维纳米片的制备方法,包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和所述混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维 ...
【技术保护点】
一种二维纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和所述混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维纳米片,所述二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状。
【技术特征摘要】
1.一种二维纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备混合物一:混合B、N、Mo、C和S粉末,对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理,得到液相的混合物一;(2)制备混合物二:混合Si粉末和H2,对Si粉末和H2进行高温加压处理,得到气液混合状的混合物二;(3)导入培养基:混合所述混合物一和所述混合物二,并进行超声波处理,将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基,对导入到所述固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理,生成二维纳米片,所述二维纳米片具有与所述固定形态的培养基相匹配的形状。2.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法,其特征在于,所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3。3.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4~13:4~13:0~5:7~17:5~15。4.如权利要求3所述的二维纳米片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为9:9:5:12:10。5.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,混合所述B、N、Mo、C和S粉末的混合...
【专利技术属性】
技术研发人员:张瑞,郑国义,郑杰思,
申请(专利权)人:深圳市循真科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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