The utility model belongs to the technical field of sensors, the Holzer integrated devices, including a compound semiconductor element and the formation of Holzer the Holzer signal amplification element in the element above, for the signal Holzer element amplification; the signal amplification element for compound semiconductor homojunction transistors or compound semiconductor heterojunction transistor. The signal amplifying element is arranged above the Holzer element, not only the integration degree is high, but also the influence of the substrate type on the signal amplifying element is avoided, and the utility model can be applied to a wide range of the components of the Holzer type, and the manufacturing cost is effectively reduced.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及传感领域,具体涉及一种化合物半导体线性霍尔集成器件。
技术介绍
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器,一般用于检测磁场及其变化。霍尔元件的灵敏度和材料的迁移率密切相关。为了进一步提升霍尔元件的灵敏度,人们采用化合物半导体替代硅,获得了高灵敏度、高线性度以及温度稳定性高的化合物半导体霍尔元件。目前,常用的化合物半导体霍尔元件包括砷化镓霍尔元件、砷化铟霍尔元件、锑化铟霍尔元件等,都有广阔的市场。然而,霍尔元件本身输出的信号较弱,在实际应用中,需要与后端放大电路匹配使用。为了减小霍尔元件产品的尺寸,人们开发了将霍尔元件与硅放大器封装在一起的结构。但这种方式较为繁琐,工艺不具有兼容性,而且因为两种材料具有不同的温度、压力特性等,在使用过程中,存在稳定性和可靠性问题。目前,已经报道的霍尔元件与硅放大器集成方式主要为:采用离子注入工艺,在砷化镓衬底上形成霍尔元件功能区和场效应晶体管功能区,通过场效应晶体管进行信号放大。然而,这种方式存在的问题在于,只能用于制造砷化镓霍尔器件产品,如果制造类似于砷化铟霍尔器件产品,衬底需更换成砷化铟,则无法制造场效应晶体管。
技术实现思路
为此,本技术所要解决的是现有霍尔集成器件产品单一、制备成本高的问题。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案如下:本技术提供一种霍尔集成器件,包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件,用于所述霍尔元件的信号放大;所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。可选地,所述信号放大元件为异质结晶体管。可选地,所述霍尔元件包括层叠设置的衬底、功能层和第一电 ...
【技术保护点】
一种霍尔集成器件,其特征在于,包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件,用于所述霍尔元件的信号放大;所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种霍尔集成器件,其特征在于,包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件,用于所述霍尔元件的信号放大;所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。2.根据权利要求1所述的霍尔集成器件,其特征在于,所述信号放大元件为异质结晶体管。3.根据权利要求2所述的霍尔集成器件,其特征在于,所述霍尔元件包括层叠设置的衬底、功能层和第一电极。4.根据权利要求3所述的霍尔集成器件,其特征在于,所述异质结晶体管包括层叠设置的亚集电区、集电区、基区、发射区、接触层和第二电极,以及分别形成在所述亚集电区和所述集电区上的第三电极和第四电极。5.根据权利要求4所述的霍尔集成器件,其特征在于,所述基区面积小于所述集电区面积,所述第四电极直接形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡双元,朱忻,黄勇,
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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