液晶面板及其光阻图案形成方法技术

本发明专利技术提供了一种液晶面板及其光阻图案形成方法，该方法包括：在基板上涂布光阻材料层；在所述光阻材料层上设置带有图案的遮挡层；对所述遮挡层进行光照，以在所述光阻材料层上形成光阻图案；其中，所述遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。相对于现有技术，本发明专利技术提供的液晶面板及其光阻图案形成方法，通过通过将面板上光阻材料层不同位置对应的遮挡层图案线宽设置为不同，具体为遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽，以克服现有技术中由于整个基板上光阻材料层不同位置的溶剂残留量不同，还利用相同线宽的遮挡层进行光照而产生的最终形成光阻图案线宽存在差异的技术问题。

Liquid crystal panel and resist pattern forming method thereof

The present invention provides a liquid crystal panel and method of forming resist pattern, the method comprises the following steps: coating a photoresist layer on the substrate; the shielding layer is arranged on the patterned photoresist layer; the light of the shielding layer, by forming a photoresist pattern on the photoresist layer on the line width; the block pattern layer on the local position than other location pattern. Compared with the prior art, the invention provides a liquid crystal panel and a method for forming a resist pattern by the panel on resistance of different material layers corresponding to the position of the shielding layer pattern width for different settings, for the central position of the pattern width specific line width of the shielding layer is greater than the location around the pattern, to overcome the existing technology in the substrate polishing resistance material layer at different positions of the different solvent residue, also use the same width of the shielding layer of light and produce the final formation of technical problems of the photoresist pattern width difference.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶面板制作工艺的
，具体是涉及一种液晶面板及其光阻图案形成方法。
技术介绍
液晶面板的光阻层形成过程中，一般是利用光照透过遮挡层照射光阻材料层，以将遮挡层上的图案形成于光阻材料层上。然而现有技术中，在制作同一块基板上的光阻图案时，遮挡层的图案线宽一般都是均匀相同的，但是很多时候光阻材料层在去除溶剂的过程中，由于整个基板上光阻材料层不同位置的溶剂去除情况不尽相同，光阻材料层中残留溶剂的含量不一致，这种情况下，如果还是利用线宽均匀相同的遮挡层进行遮挡照射时，就会导致在显影液中的溶解速度不一样，进而会导致最终形成的光阻图案的线宽有差异。固定位置的光阻图案的线宽差异很难通过设备和工艺改善，因为设备和工艺方式都是基板整面性的，无法对局部进行区别对待。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种液晶面板及其光阻图案形成方法，以解决现有技术中基板不同位置形成的光阻图案线宽存在差异的技术问题。为解决上述问题，本专利技术实施例一方面提供了一种用于液晶面板上的光阻图案形成方法，所述方法包括：在基板上涂布光阻材料层；在所述光阻材料层上设置带有图案的遮挡层；对所述遮挡层进行光照，以在所述光阻材料层上形成光阻图案；其中，所述遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。根据本专利技术一优选实施例，所述遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽。根据本专利技术一优选实施例，所述基板上设有接触孔。根据本专利技术一优选实施例，基板上接触孔的直径为4um。根据本专利技术一优选实施例，所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.2-1um。根据本专利技术一优选实施例，所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.3-0.6um。根据本专利技术一优选实施例，所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.5um。根据本专利技术一优选实施例，所述在光阻材料层上设置带有图案的遮挡层的步骤之前还包括利用减压干燥法去除所述光阻材料层中的溶剂。根据本专利技术一优选实施例，所述利用减压干燥法去除所述光阻材料层中的溶剂的步骤具体为：在涂布有光阻材料层上的基板环周设置抽气干燥泵。为解决上述技术问题，本专利技术实施例还提供一种液晶面板，所述液晶面板上的光阻图案通过上述实施例中任一项所述的方法形成。相对于现有技术，本专利技术提供的液晶面板及其光阻图案形成方法，通过通过将面板上光阻材料层不同位置对应的遮挡层图案线宽设置为不同，具体为遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽，以克服现有技术中由于整个基板上光阻材料层不同位置的溶剂残留量不同，还利用相同线宽的遮挡层进行光照而产生的最终形成光阻图案线宽存在差异的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术用于液晶面板上的光阻图案形成方法一优选实施例的流程示意图；图2是抽气孔在基板中位置分布的示意图；图3是基板曝光前的曝光位置示意图；图4是基板曝光后的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本专利技术，但不对本专利技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本专利技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1是本专利技术用于液晶面板上的光阻图案形成方法一优选实施例的流程示意图，该方法包括但不限于以下步骤。步骤S100，在基板上涂布光阻材料层。基板上设有接触孔(即导线连接孔)，本实施例中以4um孔径的接触孔为例，当然，在其他实施例中接触孔还可以为其他的孔径数值。光阻材料一般包括树脂(resin)，感光剂(sensitizer)，溶剂(solvent)三种成分混合而成，关于具体的材料种类以及混合比例，在本领域技术人员的理解范围内，此处不再一一列举。步骤S200，利用减压干燥法去除光阻材料层中的溶剂。该步骤用于挥发掉光阻材料层中的溶剂(溶剂一般占光阻总量的80％)，优选采用减压干燥法进行，减压干燥法的工作方式就是通过DryPump(抽气干燥泵)来抽取VCDChamber(减压干燥腔)，使腔内减小压力而增大挥发来实现目的。请参阅图2，图2是抽气孔在基板中位置分布的示意图。其中抽气孔110分布在基板100的环周，图示中实施例为设置在基板100的四个角落，每一抽气孔110一般对应设置一抽气干燥泵。实际使用中发现，离抽气孔110越近的区域溶剂挥发的越快越多；越远的区域挥发的相对较少。这样就会出现由于抽气程度的不同而导致的基板100的周围区域和中间区域溶剂含量不相同的情况，带来的结果就是两个区域的CD(线宽，CriticalDimension)大小也不相同(溶剂的含量不一致，导致在显影液中的溶解速度不一样，进而导致CD有差异)。CD的差异在大面积基板上的位置是固定，在各种产品上都有体现。步骤S300，在光阻材料层上设置带有图案的遮挡层。为解决基板上最终形成的光阻图案线宽在不同位置存在差异的问题，本专利技术实施例采用的技术方案为：在遮挡层上对应不同位置光阻材料层的线宽设置为不相同，具体地，遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。进一步优选地，设置遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽，因为现有技术的设置抽气孔110方式，一般会导致中间位置光阻材料层的中溶剂残留多，而四周位置光阻材料层的中溶剂残留少，最终产生中部线宽会比较窄的情况。根据已经有的产品收集数据，确定中间位置和四周位置CD的差值。以4umHole为例，优选地，遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.2-1um；进一步优选地，遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.3-0.6um；最优选地，遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.5um。步骤S400，对遮挡层进行光照，以在光阻材料层上形成光阻图案。光罩(遮挡层)设计时打破原来的设计规则，相同的Pattern(图样)，整个光罩区域CD大小一致。光罩中部的CD比四周位置的CD大0.5um，偏大0.5um区域宽度由基板上偏小的具体宽度值决定。利用曝光过程中MaskBlade(遮挡层)不同Scan(扫描区)遮蔽来实现拼接，实现将光罩的Pattern转移到基板上的光阻材料层，同时不改变不需要改变区域的CD传统光罩设计。请一并参阅图3和图4，图3是基板曝光前的曝光位置示意图，图4是基板曝光后的示意图。图中浏览区1-4虚线框以外的位置为遮挡区，不进行曝光；虚线框以内的位置为非遮挡区，进行曝光；其中，位于基板中部位置区域的光阻材料层对应的遮挡层上，虚线与浏览区边沿位置分别相对于现有设计的情况来讲加宽了一定的距离(图中表示L的位置)。以4um连接孔为例，利用遮挡层(光罩)上的CD大小不一致来消除因为机台造成的CD差异，根据数据监测，现有技术的情况一般会导致CD偏小0.5um，因此遮挡层(光罩)设计时，在偏小的区域(靠近基板中部位置)的CD值(L)故意做大0.5um。而在其他线宽结构的面板制作过程中，本领域技术人本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶面板上的光阻图案形成方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上涂布光阻材料层；在所述光阻材料层上设置带有图案的遮挡层；对所述遮挡层进行光照，以在所述光阻材料层上形成光阻图案；其中，所述遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。

【技术特征摘要】
1.一种用于液晶面板上的光阻图案形成方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上涂布光阻材料层；在所述光阻材料层上设置带有图案的遮挡层；对所述遮挡层进行光照，以在所述光阻材料层上形成光阻图案；其中，所述遮挡层上的局部位置图案的线宽大于其他位置图案的线宽。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮挡层的中部位置图案的线宽大于四周位置图案的线宽。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板上设有接触孔。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，基板上接触孔的直径为4um。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述遮挡层的中部位置图案的线宽比四周位置图案的线宽大0.2-1um。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：龚成波，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42