The invention discloses a method, a preparation of silicon heterojunction solar cell includes providing a N type silicon wafer; in the N type silicon side deposited intrinsic amorphous silicon film and N type amorphous silicon layer deposited on the other side of the intrinsic amorphous silicon film and P type amorphous silicon layer; in the P type amorphous silicon layer and the N type amorphous silicon layer deposited on the transparent conductive film; respectively in P non transparent conductive film layer of amorphous silicon layer and the N type amorphous silicon layer deposited on the barrier layer; respectively on both sides of the barrier layer deposition copper layer; copper gate electrode is formed on the copper wire on both sides of the layer. The copper layer is deposited by evaporation method, and the surface loss caused by the barrier layer is small, and the method can not be used as a seed copper layer, thereby saving the cost and making the process simple.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种硅基异质结电池的制备方法。
技术介绍
硅基异质结电池片是目前高效太阳能电池片研发的方向之一。硅基异质结电池片的衬底一般以N-型单晶硅片为主,一面通过与非晶硅薄膜形成P-N结作为发射极,另一面用以相同方法沉积的同类型的非晶硅层作为背接触。当非晶硅薄膜在硅片正反两边依次形成之后,下一步是通过PVD溅射的方法在正反两边依次沉积一层透明导电膜层,而后用电镀法在透明导电膜层表面形成铜金属栅线。在电镀铜栅线电极之前,需要用PVD溅射的方法沉积阻挡层和种子层作为电镀铜与导电氧化物之间的过渡结合层。近年来硅成本下降使得硅太阳能电池被广泛采用。为了提高硅太阳能电池的转换效率:两种技术已被广泛应用。其一是去除前栅格和汇流条和在背面集成发射极和集电极,称为指叉背接触(IBC)。另一个是基于异质结技术来增加开路电压。通常通过PECVD沉积含有氢的硅薄膜,厚度小于10nm,用来钝化体硅表面缺陷。硅薄膜的光带隙比结晶硅更高形成异质结。异质结对称结构和背面散射光可用于增加电流,双面太阳能模块可以产生10-20%高的功率输出。其中采用N型硅作为衬底的太阳能电池,光可以通过p型或n型掺杂的薄膜的一面入射。为了增加转换效率,通过高导电性的铜电极减小串联电阻,且降低了成本。其一般是采用溅射的方法来实现铜的沉积,然后溅射工艺其速度往往太慢,因此需要较长的时间来完成铜的沉积,无法达到厚度应至少小于10um的理想状态,因此传统的溅射法并不是最适合的铜的沉积。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题,本专利技术提供了一种硅基异质结电池的制备方法,其制备的太阳能器 ...
【技术保护点】
一种硅基异质结电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供N型硅片;在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层,另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层;分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层;分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层;分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层;分别在两面的铜层上形成铜栅线电极。
【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供N型硅片;在N型硅片的一面上沉积本征非晶硅膜层和N型非晶硅层,另一面上沉积本征非晶硅膜层和P型非晶硅层;分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层上沉积透明导电膜层;分别在P型非晶硅层和N型非晶硅层的透明导电膜层上沉积阻挡层;分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层;分别在两面的铜层上形成铜栅线电极。2.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法,其特征在于:所述分别在两面的铜层上形成铜栅线电极具体为:分别在两面的铜层上铺设耐酸干膜,通过曝光和显影在铜层上形成栅线图案,然后通过刻蚀铜层,形成铜栅线电极。3.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法,其特征在于:所述分别在两面的铜层上形成铜栅线电极具体为:分别在两面的铜层上印刷胶层形成栅线图案,然后通过刻蚀铜层,去除胶层形成铜栅线电极。4.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法,其特征在于:所述分别在两面的铜层上形成铜栅线电极具体为:通过CVD沉积的方式在铜层上沉积抗腐蚀绝缘层,然后通过激光刻蚀形成栅线图案,化学刻蚀铜层及去除绝缘层形成金属铜栅线电极。5.根据权利要求1所述的硅基异质结电池的制备方法,其特征在于:所述分别在两面的阻挡层上蒸镀铜层具体为:在真空环境中,将铜通过电阻丝加热、电子束加热或激光轰击加热...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨与胜,王树林,
申请(专利权)人:福建金石能源有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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