半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够降低电感和感应磁场的影响，能够使大电流从一个器件流向其它器件的半导体装置。所述半导体装置具备第一区域的第一器件和第二区域的第二器件以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体，对于连接导体而言，该连接导体中所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。连接导体使电流从第一器件流向第二器件，并在连接导体的至少一部分中，使电流沿从第二器件朝向第一器件的方向流动。

Semiconductor device

The present invention provides a semiconductor device which can reduce the influence of inductance and induced magnetic field and can make large current flow from one device to another. The semiconductor device has second components of the first region and the second region of the first device and the first device and the second device is electrically connected with the connecting conductor for connecting conductor, the connection between the reverse current path comprises a conductor in the adjacent to at least a portion of each other. The connecting conductor causes the current to flow from the first device to the second device, and at least a portion of the connecting conductor, so that the current flows in a direction from the second device to the first device.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，对作为处理大电力的半导体装置的功率半导体模块而言，通过例如使电流向一个方向流动的配线电极与电流向与该一个方向相反方向流动的另一配线电极平行并接近，从而消除在各配线电极中产生的电感和感应磁场(例如，参照专利文献1和专利文献2)。专利文献1：日本特开平9-172139号公报专利文献2：日本特开2002-353407号公报
技术实现思路
技术问题然而，根据功率半导体模块所具有的电路结构，有时不存在能够以消除电感和感应磁场的方式配置的电流路径。例如，在仅有单纯从一个器件向其它器件供给电流的电流路径的情况下，由于没有在相反方向流通大致相同电流的电流路径，所以会对外部或内部的器件产生电感和感应磁场的影响。技术方案在本专利技术的第一形态中，提供一种半导体装置，具备：第一区域的第一器件和第二区域的第二器件；以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体，在连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。(通常的公开)(项目1)半导体装置可以具备第一区域的1个以上的第一器件。半导体装置可以具备第二区域的1个以上的第二器件。半导体装置可以具备将第一器件和第二器件电连接的连接导体。在连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分可以邻接。(项目2)连接导体可以使电流从第一器件流向第二器件。在连接导体的至少一部分中可以使电流沿着从第二器件朝向第一器件的方向流动。(项目3)连接导体可以使电流从第二器件流向第一器件。在连接导体的至少一部分中可以使电流沿着从第一器件朝向第二器件的方向流动。(项目4)连接导体可以具有在第一器件侧朝向远离第二器件的方向的第一电流路径。连接导体可以具有从第一电流路径折回并朝向接近于第二器件的方向的第二电流路径。(项目5)连接导体可以具有在第二器件侧朝向远离第一器件的方向的第三电流路径。连接导体可以具有从第三电流路径折回并朝向接近于第一器件的方向的第四电流路径。(项目6)在连接导体中，相互邻接的电流路径彼此可以形成平行平板结构。(项目7)半导体装置在第一区域可以具备多个第一器件。连接导体可以分别将多个第一器件并联连接。(项目8)半导体装置可以在第二区域具备多个第二器件。连接导体可以分别将多个第二器件并联连接。(项目9)连接导体可以具备包括第一电流路径、第二电流路径、第三电流路径和第四电流路径的主导体部。连接导体可以具备将第一电流路径与多个第一器件中的各个第一器件之间进行连接的多个第一连接部。连接导体可以具备将第三电流路径与多个第二器件中的各个第二器件之间进行连接的多个第二连接部。(项目10)半导体装置在第一区域可以具备多个第一器件。半导体装置在第二区域可以具备多个第二器件。多个第一器件和多个第二器件可以沿着从第一区域朝向第二区域的方向排列。(项目11)连接导体还可以具备端子部，该端子部与外部连接并与外部交换电流。(项目12)半导体装置还可以具备基板。在半导体装置中，第一区域和第二区域可以设置在基板。(项目13)基板可以为绝缘基板。(项目14)第一器件和第二器件可以为绝缘栅双极晶体管或功率MOSFET。应予说明，上述的
技术实现思路
未列举本专利技术的所有必要特征。另外，这些特征群的再组合也能够成为专利技术。附图说明图1表示本实施方式的半导体装置10的构成例。图2表示本实施方式的半导体装置10的上表面图的一个例子。图3表示搭载于本实施方式的半导体装置10的电路的一个例子。图4表示本实施方式的基板100的一个例子。图5表示本实施方式的半导体装置10的一个例子。图6表示由本实施方式的半导体装置10构成的三级电路的第一工作例。图7表示图6所示的三级电路的第二工作例。图8表示图6所示的三级电路的第三工作例。图9表示图6所示的三级电路的第四工作例。图10表示图6所示的三级电路的第五工作例。图11表示图6所示的三级电路的第六工作例。符号说明10：半导体装置100：基板102：第一区域104：第二区域110：第一器件120：第二器件130：连接导体132：第一电流路径134：第二电流路径136：第三电流路径138：第四电流路径142：第一连接部144：第二连接部146：端子部210：第三器件212：第五器件220：第四器件222：第六器件230：连接导体232：第三连接部234：第四连接部240：连接导体242：第五连接部250：连接导体252：第六连接部具体实施方式以下，通过专利技术的实施方式说明本专利技术，但以下的实施方式不限定涉及权利要求的专利技术。另外，实施方式中说明的特征的所有组合并不限定为专利技术的解决方案所必须的。图1表示本实施方式的半导体装置10的构成例。对于半导体装置10而言，在搭载于该半导体装置10的多个器件间交换电流时，以降低电感和感应磁场的影响的方式流通该电流。由此，降低该电流对于外部或内部造成的影响。即，降低由器件的开关引起的该电流的变化所产生的浪涌电压。半导体装置10具备第一器件110、第二器件120和连接导体130。另外，半导体装置10还具备基板100。基板100搭载器件和连接该器件的电路板等。基板100优选是在一个面搭载有器件等的单面安装型基板。基板100优选为DCB(DirectCopperBonding：直接铜键合)基板和/或AMB(ActiveMetalBlazed：活性金属钎焊)基板等绝缘基板。在此，对本实施方式的基板100具有第一区域102和与该第一区域102邻接的第二区域104的例子进行说明。在图1中，第一区域102和第二区域104作为在基板100的一个面沿着X轴方向并排的区域示出。1个以上的第一器件110搭载于第一区域102。在第一区域102可以搭载有多个第一器件110。另外，作为一个例子，第一器件110沿着从第一区域102朝向第二区域104的方向排列。1个以上的第二器件120搭载于第二区域104。在第二区域104可以搭载有多个第二器件120。另外，作为一个例子，第二器件120沿着从第一区域102朝向第二区域104的方向排列。图1表示3个第一器件110和3个第二器件120沿着X轴方向排列的例子。第一器件110和第二器件120是例如在电力设备的控制等中使用的电力用半导体元件，是二极管、晶体管、晶闸管(Thyristor)、双向可控硅(Triac)等电力控制用器件。作为一个例子，第一器件和第二器件是反向阻断绝缘栅双极晶体管(RB-IGBT)。另外，第一器件110和第二器件120也可以是将多个这些电力控制用器件连接而成的电路。连接导体130将第一器件110和第二器件120电连接。连接导体130根据第一器件110和第二器件120之间的电压差，使电流从第一器件110流向第二器件120，或者使电流从第二器件120流向第一器件110。连接导体130包括多个电流路径，该连接导体130所包括的相互相反方向的电流路径彼此的至少一部分邻接。优选连接导体130由铜和/或铝等电导率高的金属构成，另外，优选连接导体130一体地形成。连接导体130具有第一电流路径132、第二电流路径134、第三电流路径136、第四电流路径138、第一连接部142、第二连接部144和端子部146。第一电流路径132在第一器件110侧朝向远离第二器件120的方向延伸。即，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一区域的1个以上的第一器件；第二区域的1个以上的第二器件；以及将所述第一器件和所述第二器件电连接的连接导体，在所述连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.05 JP 2015-0433161.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一区域的1个以上的第一器件；第二区域的1个以上的第二器件；以及将所述第一器件和所述第二器件电连接的连接导体，在所述连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体使电流从所述第一器件流向所述第二器件，并且在所述连接导体的至少一部分中，使电流沿从所述第二器件朝向所述第一器件的方向流动。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体使电流从所述第二器件流向所述第一器件，并且在所述连接导体的至少一部分中，使电流沿从所述第一器件朝向所述第二器件的方向流动。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具有第一电流路径和第二电流路径，所述第一电流路径在所述第一器件侧朝向远离所述第二器件的方向，所述第二电流路径从所述第一电流路径折回并朝向接近于所述第二器件的方向。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述连接导体具有第三电流路径和第四电流路径，所述第三电流路径在所述第二器件侧朝向远离所述第一器件的方向，所述第四电流路径从所述第三电流路径折回并朝向接近于所述第一器件的方向。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述连接导体中，相互邻接的所述电流路径彼此形成平行平板结构。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：网秀夫，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP