A semiconductor device includes: first external electrodes of the circular peripheral part; MOSFET chip; chip control circuit, the input voltage MOSFET of the drain and source, the signal of the voltage control based on MOSFET to the gate supply; second external electrode, compared with the MOSFET chip configuration on the opposite side to the first external electrode. Having an external terminal in the first external electrode round the outer peripheral part of the center shaft; the insulating substrate, the control circuit of the chip and the external electrode, drain and source and second external electrodes first external electrodes, MOSFET chip to overlap in the center axis of the configured MOSFET chip drain connection with the first external electrode, MOSFET chip source connected to the second external electrode.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种进行整流的半导体装置以及使用了该半导体装置的交流发电机和电力转换装置。
技术介绍
以往,在汽车中搭载有从动力进行发电的交流发电机。交流发电机为了将所获得的电力向电池充电,将所发生的交流电力整流成直流电力。作为该整流元件,一般使用了二极管。在专利文献1中使用了二极管作为整流元件。将该二极管芯片的上表面的端子与引线电极连接,将二极管芯片的下表面的端子与基础电极连接。并且,公开了如下技术:将由基础电极构成的封装经由焊锡固定在交流发电机的电极板上,或者通过压入来固定在交流发电机的电极板上进行使用。另外,近年来,作为所述交流发电机的整流元件,有时使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管,MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)。在专利文献2和专利文献3中公开了使用了交流发电机所使用的MOSFET的整流元件的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平10-215552号公报专利文献2:日本特开2003-33038号公报专利文献3:日本特表2011-507468号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而,如所述专利文献1那样,在使用二极管作为整流元件的技术中存在如下问题:在二极管存在因PN结而产生的内置电势(P半导体与N半导体的功函数之差),在正向上也存在电压降,电压损失、功率损失较大。另外,在所述专利文献2、3中,虽然使用MOSFET来避免了所述的内置电势的问题,但存在如下问题:MOSFET以方形(方形状)的封装搭载,与以往的使用了二极管的封装之间没有互换性。另外,若使用方形的MOSFE ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置具备:第1外部电极,其在一个面具有圆形的外周部;MOSFET芯片,其具有漏极、源极以及栅极;控制电路芯片,其输入所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极的电压或者电流,将基于该电压或者电流控制所述MOSFET芯片的信号向所述MOSFET芯片的所述栅极供给;第2外部电极,其相对于所述MOSFET芯片配置于所述第1外部电极的相反侧,在所述第1外部电极的圆形的外周部的中心轴上具有外部端子;以及绝缘基板,其使所述控制电路芯片与所述第1外部电极或所述第2外部电极电绝缘,所述第1外部电极、所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极以及所述第2外部电极以在所述中心轴方向上重叠的方式配置,所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的一方与所述第1外部电极电连接,所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的另一方与所述第2外部电极电连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.11 JP 2014-1847831.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置具备:第1外部电极,其在一个面具有圆形的外周部;MOSFET芯片,其具有漏极、源极以及栅极;控制电路芯片,其输入所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极的电压或者电流,将基于该电压或者电流控制所述MOSFET芯片的信号向所述MOSFET芯片的所述栅极供给;第2外部电极,其相对于所述MOSFET芯片配置于所述第1外部电极的相反侧,在所述第1外部电极的圆形的外周部的中心轴上具有外部端子;以及绝缘基板,其使所述控制电路芯片与所述第1外部电极或所述第2外部电极电绝缘,所述第1外部电极、所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极以及所述第2外部电极以在所述中心轴方向上重叠的方式配置,所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的一方与所述第1外部电极电连接,所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的另一方与所述第2外部电极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该半导体装置还具备连接到所述控制电路芯片的电源之间的电容器,所述MOSFET芯片和所述绝缘基板配置于所述第1外部电极上或所述第2外部电极上,所述控制电路和所述电容器配置于所述绝缘基板上。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,该半导体装置还具备齐纳二极管,所述齐纳二极管的第1主端子与所述第1外部电极电连接,所述齐纳二极管的第2主端子与所述第2外部电极电连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述齐纳二极管被内置于所述MOSFET芯片内。5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述MOSFET芯片的形状是长方形,在与所述长方形的长边邻接的位置配置所述电容器和所述控制电路芯片。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,在所述第1外部电极的所述圆形的外周部或者底面部具有绕所述圆形的外周部的中心轴的定位用的凹部或凸部。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述MOSFET芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员:石丸哲也,森睦宏,栗田信一,菅山茂,坂野顺一,恩田航平,
申请(专利权)人:株式会社日立功率半导体,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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