【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子制造领域,具体涉及一种应用于15纳米技术节点以后的锗基NMOS器件结构。
技术介绍
基于硅的CMOS器件在沟道尺寸进一步缩小时面临着物理和技术挑战,同时硅材料的迁移率不足以满足更快、更低功耗的器件性能的要求。锗材料以其迁移率特性优于硅,集成工艺与硅CMOS技术兼容。可以通过采用锗材料作为沟道,提升CMOS器件的性能。同时由于锗材料的N型欧姆接触电阻率不能满足CMOS技术不断推进的要求,需要进一步优化器件结构,满足在15纳米技术节点以后的CMOS技术的要求。
技术实现思路
为了解决锗基NMOS器件源漏电阻的难题,本专利技术提供一种锗基NMOS器件结构,采用锗的鳍状结构确定器件栅长,通过选区外延制作硅锗源漏区,从而在提高沟道迁移率的同时,实现了源漏寄生电阻的降低。本专利技术提出的器件结构满足15纳米技术节点以后CMOS器件对特征尺寸和寄生的要求。本专利技术提出的锗基NMOS器件结构,依次包括:一掺杂浓度为1×1018cm-3的P型锗衬底和衬底上形成的15纳米宽的鳍状结构(101);一200纳米厚度的氧化硅隔离层(102);一200纳米厚度的硅锗源漏欧姆接触层(103);一锗鳍状结构上形成的3纳米厚度的氧化铝介质层(104);一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极层(105);一在硅锗源漏欧姆接触层上形成的源漏金属电极(106)。在上述方案中,P型掺杂的锗衬底的掺杂浓度与器件栅长尺寸有关,掺杂浓度为1×1018cm-3范围内。在上述方案中,锗鳍状结构的宽度与规定的栅长一致,为15纳米宽。在上述方案中,硅锗源漏欧姆接触层在氧化硅隔离层与锗鳍状结构之间 ...
【技术保护点】
一种锗基NMOS器件结构,其结构包括一掺杂浓度为1×1018cm‑3的P型锗衬底和衬底上形成的15纳米宽的鳍状结构(101);一200纳米厚度的氧化硅隔离层(102);一200纳米厚度的硅锗源漏欧姆接触层(103);一锗鳍状结构上形成的3纳米厚度的氧化铝介质层(104);一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极层(105);一在硅锗源漏欧姆接触层上形成的源漏金属电极(106)。
【技术特征摘要】
1.一种锗基NMOS器件结构,其结构包括一掺杂浓度为1×1018cm-3的P型锗衬底和衬底上形成的15纳米宽的鳍状结构(101);一200纳米厚度的氧化硅隔离层(102);一200纳米厚度的硅锗源漏欧姆接触层(103);一锗鳍状结构上形成的3纳米厚度的氧化铝介质层(104);一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极层(105);一在硅锗源漏欧姆接触层上形成的源漏金属电极(106)。2.根据权利要求1所述的一种锗基NMOS器件结构,其特征在于锗衬底的鳍状结构宽度与器件设计栅长一致。3.根据权利要求1所述的一种锗...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘丽蓉,王勇,丁超,
申请(专利权)人:东莞市广信知识产权服务有限公司,东莞华南设计创新院,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。