一种正交输入二分频器制造技术

本发明专利技术适用于分频器领域，提供一种正交输入二分频器，包括：输入外部电源并进行滤波后输出的滤波电路；与滤波电路的输出端连接的调谐电路；与滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的输出端OUTI、输出端OUTIB、输出端OUTQB和输出端OUTQ的混频级；分别与正交输入二分频器的输入端INI、输入端INIB、输入端INQ和输入端INQB连接以输入电压信号，并将电压信号转变为电流信号后输出至混频级的共源端的跨导级；与跨导级的共源端连接，通过注入外部电流源使跨导级构成可变电流源的电流源偏置电路。本发明专利技术通过注入外部电流源至电流源偏置电路，使跨导级构成可变电流源，以增加跨导级的电流，可有效提高正交输入二分频器的转换增益、线性度和工作频率范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于分频器领域，尤其涉及一种正交输入二分频器。
技术介绍
分频器广泛应用于通信领域，包括正交输入分频器、基于移相的分频器等。然而，现有的正交输入分频器的缺点在于其工作频率范围有限，不能良好的适用于工作频带范围要求较高的器件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种正交输入二分频器，旨在解决的现有的正交输入分频器的缺点在于其工作频率范围有限，不能良好的适用于工作频带范围要求较高的器件问题。本专利技术是这样实现的，一种正交输入二分频器，包括：输入外部电源并进行滤波后输出的滤波电路；与所述滤波电路的输出端连接的调谐电路；与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI、第二输出端OUTIB、第三输出端OUTQB和第四输出端OUTQ的混频级；分别与所述正交输入二分频器的第一输入端INI、第二输入端INIB、第三输入端INQ和第四输入端INQB连接以输入电压信号，并将所述电压信号转变为电流信号后输出至所述混频级的共源端的跨导级；与所述跨导级的共源端连接，通过注入外部电流源使所述跨导级构成可变电流源的电流源偏置电路。优选的，所述电流源偏置电路所注入的外部电流源的注入比可调，所述外部电流源的注入比与所述跨导级构成的可变电流源大小成正比；当提高所述外部电流源的注入比时，所述跨导级的转换增益增大、所述混频级的过驱电压减小、所述正交输入二分频器的频率范围增大。优选的，所述滤波电路包括第一电感L1和第二电感L2，第一电感L1和第二电感L2的中心抽头共接构成所述滤波电路的输入端，以输入外部电源；第一电感L1的两个输出端和第二电感L2的两个输出端均为所述滤波电路的输出端，其中，第一电感L1的两个输出端分别与所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI和第二输出端OUTIB一一对应连接，第二电感L2的两个输出端分别与所述正交输入二分频器的第三输出端OUTQB和第四输出端OUTQ一一对应连接。优选的，所述调谐电路包括与所述滤波电路的输出端连接的负载单元以及连接在所述负载单元和地之间的开关单元。优选的，所述负载单元包括作为所述滤波电路的负载使用的第一到第八电容C1～C8，所述开关单元包括第一到第八开关K1～K8；其中，第一电容C1和第二电容C2的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI；第三电容C3和第四电容C4的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第二输出端OUTIB；第五电容C5和第六电容C6的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第三输出端OUTQB；第七电容C7和第八电容C8的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第四输出端OUTQ；第一到第八电容C1～C8的另一端分别经第一到第八开关K1～K8接地。优选的，所述混频级包括第十一到第二十六NMOS管M11～M26，所述跨导级包括第七到第十PMOS管M7～M10和第三到第六NMOS管M3～M6；其中，第十一NMOS管M11、第十四NMOS管M14、第二十三NMOS管M23、第二十六NMOS管M26的栅极和第十一NMOS管M11、第十三NMOS管M13、第十九NMOS管M19、第二十一NMOS管M21的漏极均与所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI连接；第十二NMOS管M12、第十三NMOS管M13、第二十四NMOS管M24、第二十五NMOS管M25的栅极和第十二NMOS管M12、第十四NMOS管M14、第二十NMOS管M20、第二十二NMOS管M22的漏极均与所述正交输入二分频器的第二输出端OUTIB连接；第十六NMOS管M16、第十七NMOS管M17、第二十NMOS管M20、第二十一NMOS管M21的栅极和第十五NMOS管M15、第十七NMOS管M17、第二十四NMOS管M24、第二十六NMOS管M26的漏极均与所述正交输入二分频器的第三输出端OUTQB连接；第十五NMOS管M15、第十八NMOS管M18、第十九NMOS管M19、第二十二NMOS管M22的栅极和第十六NMOS管M16、第十八NMOS管M18、第二十三NMOS管M23、第二十五NMOS管M25的漏极均与所述正交输入二分频器的第四输出端OUTQ连接；第十一NMOS管M11和第十二NMOS管M12的源极共接于第七PMOS管M7的漏极；第十三NMOS管M13和第十四NMOS管M14的源极共接于第八PMOS管M8源极和第四NMOS管M4的漏极；第十五NMOS管M15和第十六NMOS管M16的源极共接于第七PMOS管M7源极和第三NMOS管M3的漏极；第十七NMOS管M17和第十八NMOS管M18的源极共接于第八PMOS管M8的漏极；第十九NMOS管M19和第二十NMOS管M20的源极共接于第九PMOS管M9的漏极；第二十一NMOS管M21和第二十二NMOS管M22的源极共接于第十PMOS管M10源极和第六NMOS管M6的漏极；第二十三NMOS管M23和第二十四NMOS管M24的源极共接于第九PMOS管M9的源极和第五NMOS管M5的漏极；第二十五NMOS管M25和第二十六NMOS管M26的源极共接于第十PMOS管M10的源极；第七到第十PMOS管M7～M10的栅极分别与所述正交输入二分频器的第一输入端INI、第二输入端INIB、第三输入端INQ和第四输入端INQB一一对应连接以输入电压信号；第三到第六NMOS管M3～M6的源极共接构成所述跨导级的共源端，第三到第六NMOS管M3～M6的栅极分别与所述正交输入二分频器的第一输入端INI、第二输入端INIB、第三输入端INQ和第四输入端INQB一一对应连接以输入电压信号。优选的，所述跨导级还包括第九到第十六隔直电容C9～C16和第一到第八偏置电阻R1～R8；其中，第一隔直电容C9和第十三隔直电容C13的一端共接于所述正交输入二分频器的第一信号输入端INI，第十隔直电容C10和第十四隔直电容C14的一端共接于所述正交输入二分频器的第二信号输入端INIB，第十一隔直电容C11和第十五隔直电容C15的一端共接于所述正交输入二分频器的第三信号输入端INQ，第十二隔直电容C12和第十六隔直电容C16的一端共接于所述正交输入二分频器的第四信号输入端INQB；第九到第十二隔直电容C9～C12的另一端分别与第一到第四偏置电阻R1～R4的一端一一对应共接于第三到第六M3～M6的栅极，第十三到第十六隔直电容C13～C16的另一端分别与第五到第八偏置电阻R5～R8的一端一一对应共接于第七到第十NMOS管M7～M10的栅极；第一到第四偏置电阻R1～R4的另一端共接，第五到第八偏置电阻R5～R8的另一端共接；所述正交输入二分频器的第一输入端INI、第二输入端INIB、第三输入端INQ和第四输入端INQB的输入的信号分别经过第九到第十二隔直电容C9～C12隔直且被第一到第八偏置电阻R1～R8偏置后，分别传输到第七到第十PMOS管M7～M10和第三到第六NMOS管M3～M6的栅极。优选的，所述电流源偏置电路包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2；其中，第一NMOS管M1的漏极注入电流源；第一NMOS管M1的栅极和漏极与第二NOMS管M2的栅极共接构成电流镜；第一NMOS管M1的源极和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正交输入二分频器，其特征在于，所述正交输入二分频器包括：输入外部电源并进行滤波后输出的滤波电路；与所述滤波电路的输出端连接的调谐电路；与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI、第二输出端OUTIB、第三输出端OUTQB和第四输出端OUTQ的混频级；分别与所述正交输入二分频器的第一输入端INI、第二输入端INIB、第三输入端INQ和第四输入端INQB连接以输入电压信号，并将所述电压信号转变为电流信号后输出至所述混频级的共源端的跨导级；与所述跨导级的共源端连接，通过注入外部电流源使所述跨导级构成可变电流源的电流源偏置电路。

【技术特征摘要】
1.一种正交输入二分频器，其特征在于，所述正交输入二分频器包括：输入外部电源并进行滤波后输出的滤波电路；与所述滤波电路的输出端连接的调谐电路；与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI、第二输出端OUTIB、第三输出端OUTQB和第四输出端OUTQ的混频级；分别与所述正交输入二分频器的第一输入端INI、第二输入端INIB、第三输入端INQ和第四输入端INQB连接以输入电压信号，并将所述电压信号转变为电流信号后输出至所述混频级的共源端的跨导级；与所述跨导级的共源端连接，通过注入外部电流源使所述跨导级构成可变电流源的电流源偏置电路。2.如权利要求1所述的正交输入二分频器，其特征在于，所述电流源偏置电路所注入的外部电流源的注入比可调，所述外部电流源的注入比与所述跨导级构成的可变电流源大小成正比；当提高所述外部电流源的注入比时，所述跨导级的转换增益增大、所述混频级的过驱电压减小、所述正交输入二分频器的频率范围增大。3.如权利要求1所述的正交输入二分频器，其特征在于，所述滤波电路包括第一电感L1和第二电感L2，第一电感L1和第二电感L2的中心抽头共接构成所述滤波电路的输入端，以输入外部电源；第一电感L1的两个输出端和第二电感L2的两个输出端均为所述滤波电路的输出端，其中，第一电感L1的两个输出端分别与所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI和第二输出端OUTIB一一对应连接，第二电感L2的两个输出端分别与所述正交输入二分频器的第三输出端OUTQB和第四输出端OUTQ一一对应连接。4.如权利要求1所述的正交输入二分频器，其特征在于，所述调谐电路包括与所述滤波电路的输出端连接的负载单元以及连接在所述负载单元和地之间的开关单元。5.如权利要求4所述的正交输入二分频器，其特征在于，所述负载单元包括作为所述滤波电路的负载使用的第一到第八电容C1～C8，所述开关单元包括第一到第八开关K1～K8；其中，第一电容C1和第二电容C2的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI；第三电容C3和第四电容C4的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第二输出端OUTIB；第五电容C5和第六电容C6的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第三输出端OUTQB；第七电容C7和第八电容C8的一端与所述滤波电路的输出端共接于所述正交输入二分频器的第四输出端OUTQ；第一到第八电容C1～C8的另一端分别经第一到第八开关K1～K8接地。6.如权利要求1所述的正交输入二分频器，其特征在于，所述混频级包括第十一到第二十六NMOS管M11～M26，所述跨导级包括第七到第十PMOS管M7～M10和第三到第六NMOS管M3～M6；其中，第十一NMOS管M11、第十四NMOS管M14、第二十三NMOS管M23、第二十六NMOS管M26的栅极和第十一NMOS管M11、第十三NMOS管M13、第十九NMOS管M19、第二十一NMOS管M21的漏极均与所述正交输入二分频器的第一输出端OUTI连接；第十二NMOS管M12、第十三NMOS管M13、第二十四NMOS管M24、第二十五NMOS管M25的栅极和第十二NMOS管M12、第十四NMOS管M14、第二十NMOS管M20、第二十二NMOS管M22的漏极均与所述正交输入二分频器的第二输出端OUTIB连接；第十六NMOS管M16、第十七NMOS管M17、第二十NMOS管M20、第二十一NMOS管M21的栅极和第十五NMOS管M15、第十七NMOS管M17、第二十四NMOS管M24、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁庆，傅海鹏，马建国，
申请(专利权)人：深圳市华讯方舟微电子科技有限公司，华讯方舟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44