一种保护装置、供电装置及终端制造方法及图纸

技术编号:15226321 阅读:141 留言:0更新日期:2017-04-27 06:07
本发明专利技术提供一种保护装置、供电装置及终端,该保护装置包括第一过压保护单元、浪涌保护单元和第二过压保护单元,第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元以及待保护单元按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间;第一过压保护单元、第二过压保护单元分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受直流电压的影响;浪涌保护单元用于加载在自身的电压或电流出现浪涌时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受浪涌的影响;解决了VBUS线路上的浪涌问题,也可解决VBUS线路上的直流高压问题,降低了客退率,提升用户体验。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及终端
,尤其涉及一种保护装置、供电装置及终端。
技术介绍
目前,手机防浪涌方案有3种:方案1、在VBUS(USB电压)线路上对GND(地端)并联大功率浪涌管;方案2、在VBUS线路上对GND并联OVP(OverVoltageProtection,过压保护)芯片;方案3、在VBUS线路上对GND先并联大功率浪涌管,在大功率浪涌管后边再对GND并联OVP芯片。现有技术的缺陷:方案1、大功率浪涌管只对us(微秒)级别的浪涌电压或浪涌电流有防护作用,虽然峰值功率很高,但平均功率较低,遇到ms(毫秒)级别的直流高压时很快会烧毁,导致VBUS对GND短路,此时手机由于无法充电导致客退;方案2、VBUS线路上有直流高压时,OVP芯片能够在100ns(纳秒)级别的时间内断开VBUS与后端PMU(PowerManagementUnit,电源管理单元)芯片的连接,保护后端芯片;但受限于OVP芯片的面积,其浪涌防护能力较弱;当出现较大的浪涌电压时,OVP芯片会烧毁,即OVP芯片对GND短路,亦即VBUS对GND短路,此时手机由于无法充电导致客退;方案3、虽然具有较高的浪涌以及直流高压的防护能力,当VBUS线路上出现ms级别以上的直流高压时,OVP芯片会断开VBUS与后端芯片的连接,但OVP断开以后,如果VBUS上的直流高压依然存在,那么OVP前端的大功率浪涌也会很快烧毁而导致VBUS与GND的短路,此时手机由于无法充电导致客退。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是,提供一种保护装置、供电装置及终端,解决现有技术中,在出现浪涌或直流高压导致VBUS对GND短路,造成终端由于无法充电导致客退的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种保护装置,包括第一过压保护单元、浪涌保护单元和第二过压保护单元,第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元以及待保护单元按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间;第一过压保护单元、第二过压保护单元分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受直流电压的影响;浪涌保护单元用于加载在自身的电压或电流出现浪涌时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受浪涌的影响。其中,第一过压保护单元对应的阈值与第二过压保护单元对应的阈值相等,或者第一过压保护单元对应的阈值大于第二过压保护单元对应的阈值。其中,第一过压保护单元和第二过压保护单元中的至少一者包括OVP芯片。其中,第一过压保护单元和第二过压保护单元中的至少一者还包括:两个电阻单元,其中一个电阻单元与OVP芯片并联,并联后的电路再与另一个电阻单元串联。其中,第一过压保护单元包括:第一OVP芯片、第一电阻单元和第二电阻单元,第一电阻单元与第一OVP芯片并联,并联后的电路再与第二电阻单元串联;第二过压保护单元包括:第二OVP芯片、第三电阻单元和第四电阻单元,第三电阻单元与第二OVP芯片并联,并联后的电路再与第四电阻单元串联;第一OVP芯片与第二OVP芯片的保护电压相同。其中,还包括:第五电阻单元、第六电阻单元、第一电容单元和/或第二电容单元,分别按照以下顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间:第一电容单元、第五电阻单元、第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元、第六电阻单元、第二电容单元、待保护单元。其中,第一电容单元和第二电容单元的电容值之和小于6.5微法。其中,浪涌保护单元包括浪涌管。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种供电装置,包括上述任一项的保护装置,还包括待保护单元,待保护单元包括电源管理单元。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种终端,包括终端本体以及上述的供电装置。根据本专利技术提供的一种保护装置、供电装置及终端,该保护装置包括第一过压保护单元、浪涌保护单元和第二过压保护单元,第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元以及待保护单元按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间;第一过压保护单元、第二过压保护单元分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受直流电压的影响;浪涌保护单元用于加载在自身的电压或电流出现浪涌时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受浪涌的影响;采用上述方案,既可解决VBUS线路上的浪涌问题,也可解决VBUS线路上的直流高压问题,避免了现有方案导致的VBUS与GND短路的问题,降低了客退率,提升了用户体验。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种保护装置的示意图;图2为本专利技术实施例二提供的一种供电装置的示意图;图3为本专利技术实施例三提供的一种终端的示意图。具体实施方式应当理解的是,此处所描述的具体实施例仅用于解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。本专利技术中描述的终端可包括智能手机、笔记本电脑、PAD(平板电脑)等终端。下面通过具体实施方式结合附图对本专利技术作进一步详细说明。实施例一本实施例提供一种保护装置,参见图1,图1为本实施例提供的一种保护装置的示意图,该保护装置包括:第一过压保护单元11、浪涌保护单元12和第二过压保护单元13;第一过压保护单元11、浪涌保护单元12、第二过压保护单元13以及待保护单元(图1中未示出)按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间;待保护单元包括电源管理单元,即PMU芯片。第一过压保护单元11、第二过压保护单元13分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时,保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受直流电压的影响;示例性的,当加载在第一过压保护单元11或第二过压保护单元13的直流电压等于或大于对应阈值时,将各个单元的电压限制在各自所能承受的电压范围内,让各个单元继续工作;或者,将电源端VBUS和地端之间短路,后面的单元停止工作,保护被保护的单元不受冲击而损坏。在图1中,当加载在第一过压保护单元11的直流电压等于或大于对应阈值时,上述的距离电源端VBUS比自身更远的单元包括浪涌保护单元12、第二过压保护单元13、待保护单元等。在图1中,当加载在第二过压保护单元13的直流电压等于或大于对应阈值时,上述的距离电源端VBUS比自身更远的单元包括待保护单元等。其中,第一过压保护单元11对应的阈值与第二过压保护单元13对应的阈值相等,或者第一过压保护单元11对应的阈值大于第二过压保护单元13对应的阈值。其中,第一过压保护单元11和第二过压保护单元13中的至少一者包括OVP芯片。即第一过压保护单元11包括OVP芯片,或者第二过压保护单元13包括OVP芯片,或者第一过压保护单元11和第二过压保护单元13都包括OVP芯片。其中,第一过压保护单元11和第二过压保护单元13中的至少一者还包括:两个电阻单元,其中一个电阻单元与OVP芯片并联,并联后的电路再与另一个电阻单元串联。在一种实施方式中,第一过压保护单元11包括:第一OVP芯片(U1)111、第一电阻单元(R1)112和第二电阻单元(R2)113,第一电阻单元112与第一OVP芯片111本文档来自技高网...
一种保护装置、供电装置及终端

【技术保护点】
一种保护装置,其特征在于,包括第一过压保护单元、浪涌保护单元和第二过压保护单元,所述第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元以及待保护单元按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在所述电源端VBUS和地端之间;所述第一过压保护单元、第二过压保护单元分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时,保护并联在所述电源端VBUS和所述地端之间且距离所述电源端VBUS比自身更远的单元免受所述直流电压的影响;所述浪涌保护单元用于加载在自身的电压或电流出现浪涌时,保护并联在所述电源端VBUS和所述地端之间且距离所述电源端VBUS比自身更远的单元免受浪涌的影响。

【技术特征摘要】
1.一种保护装置,其特征在于,包括第一过压保护单元、浪涌保护单元和第二过压保护单元,所述第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元以及待保护单元按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在所述电源端VBUS和地端之间;所述第一过压保护单元、第二过压保护单元分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时,保护并联在所述电源端VBUS和所述地端之间且距离所述电源端VBUS比自身更远的单元免受所述直流电压的影响;所述浪涌保护单元用于加载在自身的电压或电流出现浪涌时,保护并联在所述电源端VBUS和所述地端之间且距离所述电源端VBUS比自身更远的单元免受浪涌的影响。2.如权利要求1所述的保护装置,其特征在于,所述第一过压保护单元对应的阈值与所述第二过压保护单元对应的阈值相等,或者所述第一过压保护单元对应的阈值大于所述第二过压保护单元对应的阈值。3.如权利要求1所述的保护装置,其特征在于,所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元中的至少一者包括OVP芯片。4.如权利要求3所述的保护装置,其特征在于,所述第一过压保护单元和所述第二过压保护单元中的所述至少一者还包括:两个电阻单元,其中一个电阻单元与所述OVP芯片并联,并联后的电路再与另一个电阻单元串联。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:涂瑞高思
申请(专利权)人:宇龙计算机通信科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1