The invention relates to a preparation method of high electron mobility transistor device and method of rate, the device includes a substrate, sequentially disposed on the substrate epitaxial layer, a first insulating layer, a second insulating layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, a gate, and the source and drain electrically connected to the gate pin the source and drain pin, pin, and is disposed on the second insulating layer is located in the upper part, the gate pin, pin source and drain pin of the interval between the third insulating layer; wherein, the third insulating layer is made of organic materials. The present invention by adding a layer of insulating layer in the outermost layer of the device, reduce the roughness of the traditional device surface, reducing the impurity and electrostatic adsorption device surface, thereby reducing the device surface leakage, increase the pressure resistance of the device.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
,尤其是涉及一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法。
技术介绍
随着高效完备的功率转换电路和系统需求的日益增加,具有低功耗和高速特性的功率器件最近吸引了很多关注。GaN是第三代宽禁带半导体材料,由于其具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2e7cm/s)、高击穿电场(1e10--3e10V/cm),较高热导率,耐腐蚀和抗辐射性能,在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势,被认为是研究短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。GaN基AlGaN/GaN高迁移率晶体管是功率器件中的研究热点,这是因为AlGaN/GaN抑制结处形成高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG),同时异质结对2DEG具有良好的调节作用。由于AlGaN/GaNHEMTs器件的导通沟道是一层横向的二维电子气,且靠近器件表面,因此器件表面的特性对器件漏电有极大的影响,进而影响到器件的击穿电压。
技术实现思路
基于上述问题,本专利技术提供一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法,通过在器件最外层添加一层绝缘层,降低了传统器件表面的粗糙程度,减少了器件表面吸附的杂质和静电,从而降低了器件表面漏电,增大了器件的耐压性。根据本专利技术的一个方面,提供一种高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,包括:衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层,栅极、源极和漏极,与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部,位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层; ...
【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,包括:衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层,栅极、源极和漏极,与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部,位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层;其中,所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,包括:衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层,栅极、源极和漏极,与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部,位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层;其中,所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,所述外延层包括依次设置的P掺杂的GaN、未掺杂的GaN和未掺杂的AlGaN。3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,所述第一绝缘层的材质为与第二绝缘层的材料为SiO2。4.根据权利要求1-3中任一项所述的高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,所述栅极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述外延层连接,并且所述栅极的底部位于所述外延层内部,所述栅极引脚在所述栅极对应的位置通过贯穿所述第二绝缘层的第四过孔与所述栅极电连接。5.根据权利要求1-3中任一项所述的高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,所述源极通过贯穿所述第一绝缘层第二过孔与所述外延层接触,所述源极引脚在所述源极对应的位置通过贯穿所述第二绝缘层的第五过孔与所述源极电连接。6.根据权利要求1-3中任一项所述的高电子迁移率晶体管器件,其特征在于,所述漏极通过贯穿所述第一绝缘层第三过孔与所述外延层接触,所述漏极引脚在所述漏极对应的位置通过贯穿...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘美华,陈建国,林信南,
申请(专利权)人:北京大学,北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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