一种处理FLASH存储器中数据的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种处理FLASH存储器中数据的方法，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元，至少由一块存储阵列构成一个FLASH存储器；所述FLASH存储器包括NOR FLASH存储器和NAND FLASH存储器；S30、在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理。本发明专利技术采用间隔行擦除方式，使得处于擦除状态中的存储单元，两侧均受到因处于非擦除状态中的存储单元电压耦合影响；从而保证FLASH存储器中整体擦除速度一致，以及确保FLASH存储器中数据擦除准确性。

Method and system for processing data in FLASH memory

The invention discloses a method of data processing in FLASH memory, which comprises the following steps: S10, a memory array is divided into 2n *m storage unit comprises at least a memory array consists of a FLASH memory; the memory of FLASH including NOR FLASH and NAND FLASH memory S30, in memory; the FLASH memory erased when the data set of memory cell rows on interval data erase processing. The invention adopts the interval for the way of erasing, making in the storage unit in the erased state, both sides are due in the memory cell voltage coupling effect in non erased state; so as to ensure the overall erase speed of FLASH memory, and ensure the accuracy of data erasure in FLASH memory.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器
，特别涉及一种处理FLASH存储器中数据的方法及系统。
技术介绍
FLASH存储器又称闪存，属于内存器件的一种，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还不会断电丢失数据，并且可以快速读取数据。目前，市场上FLASH存储器主要有以下两种：NORFLASH存储器和NANDFLASH存储器。其中，FLASH闪存器具有若干个存储单元，每个存储单元包括多个浮栅管。传统地，在FLASH闪存器上擦除数据时，是对连续行存储单元中的数据进行擦除。然而，在存储单元中擦除数据时，处于擦除状态的存储单元中直线电场(如图6所示)，容易受到邻近一侧处于非擦除状态中的存储单元上耦合干扰影响，导致处于擦除状态的单元中直线电场会发生弯曲。(如图7所示)。由于对存储单元擦除数据时，在对处于非擦除状态的存储单元的字线上施加正低压(正低压一般为电源电压，例如3.3V、1.8V等)或使其悬空(悬空的字线会被源端耦合成第一预设正向电压)，而使得邻近一侧处于擦除状态的存储单元中直线电场产生弯曲。进而，使得FLASH闪存器上存储单元的擦除速度不一致，最终影响FLASH闪存器上整体擦除效率和擦除准确性。
技术实现思路
本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种处理FLASH存储器中数据的方法，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元，至少由一块存储阵列构成一个FLASH存储器；所述FLASH存储器包括NORFLASH存储器和NANDFLASH存储器；S30、在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理。进一步，还包括以下步骤：S20、在所述FLASH存储器中写入数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据写入处理。进一步，还包括以下步骤：S21、在所述FLASH存储器中再次写入数据时，再对位于间隔设置行之间的存储单元进行数据写入处理；S31、在所述FLASH存储器中再次擦除数据时，再对位于间隔设置行之间的存储单元进行数据擦除处理。进一步，所述步骤S10进一步包括：11、当所述FLASH存储器为NORFLASH存储器时，将每行存储单元中浮栅管的控制栅极相连并形成2n条字线，将每列存储单元中浮栅管的漏极相连并形成m条位线，将每行每列存储单元中浮栅管的源极相连并形成一个源端。进一步，所述步骤S30进一步包括：S301、在所述NORFLASH存储器中擦除数据时，在间隔设置行上存储单元中的字线上施加第一预设负向电压；将所述存储单元中的位线悬空；在所述存储单元中的源端上施加第一预设正向电压；S302、根据施加的第一预设负向电压及第一预设正向电压；在间隔设置行上的存储单元上形成隧道效应，对所述FLASH存储器上非连续行的存储单元进行数据擦除。进一步，所述步骤S31进一步包括：S311、在所述NORFLASH存储器中再次擦除数据时，再在位于间隔设置行之间存储单元中的字线上施加第一预设负向电压；将所述存储单元中的位线悬空；在所述存储单元中的源端上施加第一预设正向电压；S312、根据施加的第一预设负向电压及第一预设正向电压；在位于间隔设置行之间的存储单元上形成隧道效应，对所述FLASH存储器上非连续行的存储单元进行数据擦除。进一步，所述步骤S20进一步包括：S201、在所述NORFLASH存储器中写入数据时，在间隔设置行上存储单元中的字线上施加第二预设正向电压；在所述存储单元中的位线上施加第三预设正向电压；将所述存储单元中的源端接地；S202、根据施加的第二预设正向电压及第三预设正向电压；在间隔设置行上的存储单元上形成热电子注入，对所述FLASH存储器上非连续行的存储单元进行数据写入。进一步，所述步骤S21进一步包括：S211、在所述NORFLASH存储器中再次写入数据时，再在位于间隔设置行之间存储单元中的字线上施加第二预设正向电压；在所述存储单元中的位线上施加第三预设正向电压；将所述存储单元中的源端接地；S212、根据施加的第二预设正向电压及第三预设正向电压；在位于间隔设置行之间的存储单元上形成热电子注入，对所述FLASH存储器上非连续行的存储单元进行数据写入。本专利技术还提供一种应用在处理FLASH存储器中数据的系统，包括：FLASH存储器，至少由一块存储阵列构成，将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元；所述FLASH存储器包括NORFLASH存储器和NANDFLASH存储器；数据擦除模块，在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理；数据写入模块，在所述FLASH存储器中写入数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据写入处理。进一步，当所述FLASH存储器为NORFLASH存储器时，每行存储单元中浮栅管的控制栅极相连并形成2n条字线，每列存储单元中浮栅管的漏极相连并形成m条位线，每行每列存储单元中浮栅管的源极相连并形成一个源端。与现有技术相比，本专利技术提供的一种处理FLASH存储器中数据的方法及系统，具有以下有益效果：1)本专利技术在FLASH存储器中，采用间隔行擦除方式，使得处于擦除状态中的存储单元，两侧均受到因处于擦除状态中的存储单元电压耦合影响；避免了连续擦除时，处于擦除状态中的存储单元，只受到一侧因处于非擦除状态中的存储单元的耦合干扰影响；从而保证FLASH存储器中整体擦除速度一致，以及确保FLASH存储器中数据擦除准确性。2)本专利技术在FLASH存储器中，放弃利用连续行写入方式，而采用间隔行写入方式，搭配间隔行擦除方式，可一次性擦除间隔行写入的数据，有利于提高擦除效率；避免了利用连续行写入方式时，因采用间隔行擦除方式，而需要两次擦除，才能擦除连续行写入的数据。3)本专利技术中在一次写入数据时，在间隔设置(奇数或偶数)行上的存储单元写入一数据；在再次写入数据时，在位于间隔设置(偶数或奇数)行之间的存储单元写入另一数据；搭配间隔擦除方式，不仅保证了FLASH存储器中整体擦除速度一致，以及确保FLASH存储器中数据擦除准确性；还提高了FLASH存储器的擦除效率以及FLASH存储器的存储空间利用率。附图说明下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对一种处理FLASH存储器中数据的方法及系统的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。图1是本专利技术一种处理FLASH存储器中数据的方法的流程示意图；图2是本专利技术另一种处理FLASH存储器中数据的方法的流程示意图；图3是本专利技术再一种处理FLASH存储器中数据的方法的流程示意图；图4是本专利技术一种处理FLASH存储器中数据的系统的组成结构示意图；图5是本专利技术另一种处理FLASH存储器中数据的系统的组成结构示意图；图6是本专利技术浮栅管中电场未受到干扰的结构示意图；图7是本专利技术浮栅管中电场一侧受到干扰的结构示意图；图8是本专利技术浮栅管中电场两侧均受到干扰的结构示意图；图9是本专利技术中位线连续数据写入编程的结构示意图；图10是本专利技术中位线非连续数据写入编程的结构示意图；图11是本专利技术又一种处理FLASH存储器中数据的方法的流程示意图。附图标号说明：10、FLASH存储器，11、控制栅极，12、浮置栅极，13、衬底，20、行译码器，21、电压控制模块，30、列译码器，31、电压控制子模块，40、电压控制器，50、数据写入模块，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元，至少由一块存储阵列构成一个FLASH存储器；所述FLASH存储器包括NOR FLASH存储器和NAND FLASH存储器；S30、在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理。

【技术特征摘要】
1.一种处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，包括以下步骤：S10、将一块存储阵列划分成2n行*m列存储单元，至少由一块存储阵列构成一个FLASH存储器；所述FLASH存储器包括NORFLASH存储器和NANDFLASH存储器；S30、在所述FLASH存储器中擦除数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据擦除处理。2.如权利要求1所述的处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，还包括以下步骤：S20、在所述FLASH存储器中写入数据时，对间隔设置行上的存储单元进行数据写入处理。3.如权利要求2所述的处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，还包括以下步骤：S21、在所述FLASH存储器中再次写入数据时，再对位于间隔设置行之间的存储单元进行数据写入处理；S31、在所述FLASH存储器中再次擦除数据时，再对位于间隔设置行之间的存储单元进行数据擦除处理。4.如权利要求1～3中任意一项所述的处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，所述步骤S10进一步包括：S11、当所述FLASH存储器为NORFLASH存储器时，将每行存储单元中浮栅管的控制栅极相连并形成2n条字线，将每列存储单元中浮栅管的漏极相连并形成m条位线，将每行每列存储单元中浮栅管的源极相连并形成一个源端。5.如权利要求4所述的处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，所述步骤S30进一步包括：S301、在所述NORFLASH存储器中擦除数据时，在间隔设置行上存储单元中的字线上施加第一预设负向电压；将所述存储单元中的位线悬空；在所述存储单元中的源端上施加第一预设正向电压；S302、根据施加的第一预设负向电压及第一预设正向电压；在间隔设置行上的存储单元上形成隧道效应，对所述FLASH存储器上非连续行的存储单元进行数据擦除。6.如权利要求4所述的处理FLASH存储器中数据的方法，其特征在于，所述步骤S31进一步包括：S311、在所述NORFLASH存储器中再次擦除数据时，再在位于间隔设置行之间存储单元中的字线上施加第一预设负向电压；将所述存储单元中的位线悬空；在所述存储单元中...

【专利技术属性】
技术研发人员：任军，李政达，
申请(专利权)人：合肥恒烁半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34