The invention discloses a dielectric insulation spiral arc resistance processing technology, the technology in the electronic component is arranged on the main body of the electrode, the electrode in a spiral shape, by means of the electric current, axial magnetic field perpendicular to the electrode surface of the chip, force the axial magnetic field produced by Lorenz, the electronic chip body in a spiral way exercise. Lead terminal disposed in the central area, finally reaching the current center area, the surface current density can decline, and weaken the strength of the end of the wire, so it is difficult to form a current arc between the center position at both ends of wire head. In the experiment of spiral MOV not only has a height of 3 4 times the energy absorption capacity, and showed MOV thermal breakdown melting capacity. The anti overvoltage temperature reaches the line L 1.7 pressure-sensitive type lead 2 times, the temperature reached at 150 to 174 DEG C, completely beyond the general level of the industry.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开一种抗拉弧方法,特别是一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术。
技术介绍
一、压敏电阻MOV的拉弧燃烧起火1、MOV拉弧起火一直是压敏制造行业头疼的问题,其拉弧起火主要原因是:压敏电阻的启动电流都是在毫安mA级别下就可以启动工作/拉弧,而电器路中里面所有的保险丝断开熔断器的断开时的工作电流都是在安培A级别下才启动断开保护,故而在电路自身产生的操作过电压(尤其电路中感性电路真空开断的电路如变频电路使其更容易产生)形成持续的谐振电压,其就可以使压敏电阻启动工作后,电路这时的工频电流穿入持续加在压敏电阻上,超过压敏电阻的工频耐受的承受范围,引起毫安级别下压敏电阻开始拉弧起火,其弧外温度在1500-1600℃,弧中心温度达2500-3500℃,电路中的其它保护器件根本来不及反应,从而带来巨大的财产损失和生命安全,这种拉弧起火还不包括整体电器外部环境的电力系统里的过电压过电流(雷电直击感应)的影响部分,可见对压敏电阻的拉弧起火的防火考虑有多重要!2、电器电路拉弧起火原因系统论分析表二、MOV的失效模式在交流情况下,由于趋肤效应的影响,导线电极的L式的布置使得电流只在芯片外环状区通过,芯片中心成为空白,整体芯片的电流通过量大大减少,从而使得芯片的电性能整体没有得以充分发挥,同时也埋下了拉弧起火的弊端。1、MOV的失效分类汇总:压敏电阻失效模式炸裂与穿孔与ac和dc下炸裂与穿孔的空间(位置)的关系见失效分类汇总表中的12项和13项。失效问题的再处理从以上失效分类汇总中看到15项的失效分类中14/15=93.33%失效与电子电路中的电流的性质好坏有关,也可能与 ...
【技术保护点】
一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术,其特征是:该技术为在电子元器件本体上设置有电极,电极呈螺旋线形,当通过电流时,产生垂直于芯片电极表面的轴向磁场以及径向电场,轴向磁场产生的洛伦兹的作用力,使得芯片体内的电子得以螺旋旋转前进并聚焦的方式运动,螺旋线式的引线端头在中心区域布置端头,无限地接近芯片中心点,让电流很难在芯片的中心部位引线两端头之间形成拉弧。
【技术特征摘要】
1.一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术,其特征是:该技术为在电子元器件本体上设置有电极,电极呈螺旋线形,当通过电流时,产生垂直于芯片电极表面的轴向磁场以及径向电场,轴向磁场产生的洛伦兹的作用力,使得芯片体内的电子得以螺旋旋转前进并聚焦的方式运动,螺旋线式的引线端头在中心区域布置端头,无限地接近芯片中心点,让电流很难在芯片的中心部位引线两端头之间形成拉弧。2.根据权利要求1所述的电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术,其特征是:所述的电子元器件本体呈片状,螺旋线形电极固定设置在芯片本体两侧。3.根据权利要求2所述的电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术,其特征是:所述的螺旋线形电极采用平面等角螺旋线或平面等速螺旋线。4.根据权利要求1所述的电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术,其特征是:所述的电子元器件本体呈柱状,螺旋线形电极固定设置在芯片本体两端。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖小驹,
申请(专利权)人:深圳市辰驹电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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