In the low phase noise technique for use with crystal oscillator, gate bias control circuit of the first transistor is set to absorb or source of bias voltage to current common mode signal and the sensing of the corresponding. A common mode sensing circuit coupled to a two port of a crystal oscillator is used to sense the sensed common mode signal, and a current source is provided by the current source. The bias controller is provided with a bias controller which uses a second transistor coupled to the common mode sensing circuit and the first transistor.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年9月5日提交的美国临时专利申请序列号62/046,774的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
技术介绍
晶体振荡器是现代计算装置的主力,提供用于导出设置计算装置的性能极限的时钟、音调和波形的稳定参考。例如,晶体振荡器可以用于导出专用集成电路(ASIC)的系统时钟,并且ASIC的性能可以取决于振荡器的稳定性和从其导出的系统时钟。因此,ASIC可以包含针对晶体振荡器中的损耗和由于将晶体振荡器耦合至ASIC而产生的损耗进行补偿的电路。与晶体振荡器耦合的片上电路、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器或ASIC可以包括补偿和控制电路,诸如感测电路和偏置控制电路,其被设计为针对连接在晶体振荡器的两个端口上的晶体管设置偏置电压。感测电路感测晶体振荡器的两个端口上的共模信号,并且偏置控制电路针对晶体管设置偏置电压以补偿损耗。通常,偏置控制电路包括在一个输入上使用由电压基准发生器提供的电压来驱动的运算放大器(op-amp)。然而,op-amp和电压基准发生器引入噪声,并且可能不适合与一些协议和标准一起使用。例如,IEEE802.11ac需要也许利用可用op-amp和电压基准发生器不能实现的相位噪声性能。
技术实现思路
该
技术实现思路
介绍了利用用于与晶体振荡器一起使用的偏置控制电路来实现的低相位噪声技术的构思,并且该构思在下面的详细说明中进一步描述和/或在附图中进一步示出。因此,该
技术实现思路
既不应当被视为描述本质特征,也不应当用于限制所要求保护的主题的范围。在一方面,可以实现一种用以控制晶体振荡器的电子电路。共模感测电路耦合至晶体振荡器的两个 ...
【技术保护点】
一种用于控制晶体振荡器的电子电路,包括:共模感测电路,其耦合至所述晶体振荡器的两个端口并且被配置成感测所述两个端口上的共模信号;第一晶体管,其耦合至所述晶体振荡器的所述两个端口;以及偏置控制器,其被配置成基于所感测的共模信号来对所述第一晶体管的栅极设置偏置电压,所述偏置控制器包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极耦合至所述共模感测电路,并且所述第二晶体管的源极电阻性地耦合至所述第一晶体管的栅极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 US 62/046,7741.一种用于控制晶体振荡器的电子电路,包括:共模感测电路,其耦合至所述晶体振荡器的两个端口并且被配置成感测所述两个端口上的共模信号;第一晶体管,其耦合至所述晶体振荡器的所述两个端口;以及偏置控制器,其被配置成基于所感测的共模信号来对所述第一晶体管的栅极设置偏置电压,所述偏置控制器包括第二晶体管,所述第二晶体管的栅极耦合至所述共模感测电路,并且所述第二晶体管的源极电阻性地耦合至所述第一晶体管的栅极。2.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述共模感测电路包括一对等值电阻器。3.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述共模感测电路、所述第一晶体管和所述偏置控制器构成第一芯片,并且所述晶体振荡器构成第二芯片。4.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述第一晶体管还耦合至电流源。5.根据权利要求4所述的电子电路,其中所述偏置电压还根据流入或流出所述电流源的电流的量来设置。6.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述第一晶体管的栅极还通过电容器耦合至时钟分配电路。7.根据权利要求6所述的电子电路,其中所述时钟分配电路生成用于处理符合IEEE802.11ac标准信号的时钟。8.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个是场效应晶体管(FET)。9.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述第二晶体管的源极还耦合至接地电容器和接地电阻器。10.根据权利要求1所述的电子电路,其中所述共模感测电路、所述第一晶体管和所述偏置控制器被实现在片上系统(SoC)上。11.一种用于控制晶体振荡器的方法,包括:将共模感测电路耦合至所述晶体振荡器的两个端口;感测所述晶体振荡器的所述两个端口上的共模信号;将第一晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·A·帕莱曼德姆,N·刘,P·尤帕德雅雅,王晓悦,
申请(专利权)人:马维尔国际贸易有限公司,
类型:发明
国别省市:巴巴多斯;BB
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