The utility model provides a semiconductor chip package structure comprises a substrate having opposite first surface and the second surface; functional area and a pad, both located on the first surface of the substrate side; a protection substrate is pressed with the first surface of the substrate alignment; the supporting unit is arranged on the substrate protection, located between the protection substrate and the substrate, the functional area is located in the support unit is formed by the sealing cavity; the supporting unit is provided with a hole, the first surface of the wafer on the corresponding position of the pad is not in contact with the supporting unit, effectively prevent the support unit in reliability test in the subsequent stress acting on the pad, the pad to avoid damage or stratified case.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
,尤其涉及晶圆级半导体芯片的封装技术。
技术介绍
现今主流的半导体芯片封装技术是晶圆级芯片尺寸封装技术(WaferLevelChipSizePackaging,WLCSP),是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品芯片尺寸与单个晶粒尺寸差不多,顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。晶圆级芯片尺寸封装技术是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。半导体芯片上通常集成有敏感器件,在对其进行封装时,需要对其上的敏感器件进行保护,请参考图1,公开一种晶圆级半导体芯片的封装结构,晶圆1包括多颗网格状排布的半导体芯片10,半导体芯片10的其中一面上具有功能区11以及位于功能区11外围并与功能区11电连接的焊垫12。由于功能区集成有敏感器件,为了对功能区11进行保护,在晶圆1上压合保护基板2,保护基板2上设置有多个网格状排布的支撑单元3,支撑单元3与半导体芯片10一一对应,当晶圆1与保护基板2对位压合后,支撑单元3位于晶圆1与保护基板2之间使晶圆1与保护基板2之间形成间隙,避免保护基板2与晶圆1直接接触,功能区11位于支撑单元3包围形成的密封腔13内。由于焊垫12与功能区11位于晶圆1的第一表面,为了实现焊垫12与外部电路电连接,在晶圆1与保护基板2对位压合之后,通过TSV或者TSL工艺在晶圆1的第二表面形成与焊垫12电连接的焊接凸起25,通过焊接凸起25电连接其他电路实现在焊垫12与其他电路之间形成电连接。于本实施例中,为了实现焊垫12与其他电路电连接,在晶圆1的第二表面侧设置有 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片封装结构,包括:基底,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;功能区以及焊垫,两者均位于所述基底第一表面侧;保护基板,与所述基底第一表面对位压合;支撑单元,设置于所述保护基板上,位于所述保护基板与所述基底之间,所述功能区位于所述支撑单元包围形成的密封腔内;其特征在于,所述支撑单元上设置有开孔,使所述基底的第一表面上对应焊垫的位置不接触所述支撑单元。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片封装结构,包括:基底,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;功能区以及焊垫,两者均位于所述基底第一表面侧;保护基板,与所述基底第一表面对位压合;支撑单元,设置于所述保护基板上,位于所述保护基板与所述基底之间,所述功能区位于所述支撑单元包围形成的密封腔内;其特征在于,所述支撑单元上设置有开孔,使所述基底的第一表面上对应焊垫的位置不接触所述支撑单元。2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于,所述支撑单元的材质为感光胶。3.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:位于所述基底的第二表面且与所述焊垫一一对应的通孔,所述通孔底部暴露所述焊垫;位于所述通孔的底部以及侧壁的金属布线层,所述金属布线层延伸至所述基底的第二表面,所述金属布线层与所述焊垫电连接;覆盖所述基底的第二表面的阻焊层,所述阻焊层填充所述通孔且所述阻焊层对应通孔的位置形成凹槽,所述凹槽的深度与所述通孔的深度之间的差值为0-20微米;位于所述阻焊层上开口,所述开口底部暴露所述金属布...
【专利技术属性】
技术研发人员:王之奇,谢国梁,胡汉青,王文斌,
申请(专利权)人:苏州晶方半导体科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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