The invention relates to a semiconductor epitaxial wafer, which relates to the technical field of LED production. The utility model comprises a circular substrate and a semiconductor crystal layer arranged on the surface of the circular substrate. The utility model is characterized in that the edge of the upper surface of the substrate and the upper surface of the semiconductor crystal layer are provided with a continuous cutting angle. In the utility model, the epitaxial wafer is processed into a shape which is provided with a continuous cutting angle on the edge, so as to ensure the smooth surface of the epitaxial surface. The utility model can improve the genuine rate of the chip to reduce the production cost.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED生产
技术介绍
LED作为新型节能光源已经逐渐替代传统光源，并在更多领域得到广泛应用。制备LED的材料GaN和蓝宝石Al2O3也被业内深入研究。在制备半导体外延片时，采用的GaN晶格常数小约3.18埃，而采用的蓝宝石的晶格常数大约4.7埃，同时蓝宝石比氮化镓的热膨胀系数也大34%，因为成长衬底的晶格常数大于和半导体材料晶格失配，导致GaN在蓝宝石衬底上生长时，受到张应力，蓝宝石衬底上表面发生收缩，使衬底外周发生翘曲，GaN晶体在外周堆积，形成边缘突起，在衬底减薄时会引起边缘破片，影响研磨良率造成管芯面积的损失。
技术实现思路
本技术目的是为了解决外延片翘曲引起的研磨破片问题，提出一种半导体外延片。本技术包括圆形衬底和设置在所述圆形衬底上表面的半导体晶体层，其特征在于所述衬底上表面和半导体晶体层的上表面的边缘设置连续切角。本技术将外延片加工成边缘设置连续切角的形状，以确保制成的外延表面平整，在后续的芯片加工中不会因为翘曲引起研磨的破片。本技术可以提高芯片的正品率，以利于降低生产成本。进一步地，2%～4%是晶体堆积区域的宽度范围，小于2%只能局部去除边缘的堆积区域，大于4%则损失了有效面积。因此本技术所述切角在半导体晶体层上表面上的宽度为衬底下表面半径的2%～4%。另外，如切角所在的平面与半导体晶体层上表面的夹角小于0.5°则会研磨到晶片中心的晶体层表面，而如大于5°则会研磨到更多的衬底材料，降低切角效率，导致晶片外观的半径变小。因此，本技术所述切角所在的平面与半导体晶体层上表面的夹角为0.5°～5°。附图说明图1为本技术的一种结构示意图。...
【技术保护点】
一种半导体外延片，包括圆形衬底和设置在所述圆形衬底上表面的半导体晶体层，其特征在于所述衬底上表面和半导体晶体层的上表面的边缘设置连续切角。
【技术特征摘要】
1.一种半导体外延片，包括圆形衬底和设置在所述圆形衬底上表面的半导体晶体层，其特征在于所述衬底上表面和半导体晶体层的上表面的边缘设置连续切角。2.根据权利要求1所述的半导体外延片，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙一军，金豫浙，冯亚萍，李志聪，王国宏，
申请(专利权)人：扬州中科半导体照明有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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