光罩及其修复方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种光罩及其修复方法，包括：首先确定光罩中的缺陷区域，而后在光罩上选择该缺陷区域的外围预定区域，并在该外围预定区域沉积一层阻挡层，最后对缺陷区域进行修复，从而完成了对光罩，特别是先进材料如Mosi-binary类型的光罩的有效修复，同时阻挡层可补偿在缺陷区域修复时的不确定性，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。

Photomask and method for repairing the same

The embodiment of the invention discloses a mask and a repair method: first determine the defect area in the mask, and then select the mask in the periphery of the defective area in the periphery of the predetermined area and a predetermined area depositing a layer of barrier layer, finally to repair the defect area, thus completing the mask, especially effective repair of advanced materials such as mask Mosi-binary type, and the barrier layer can be compensated in the defect area to repair the uncertainty, because it only needs to determine the defect area, forming a barrier layer, the etching process defects in the defect area periphery, with the existing mask repair method compared with short cycle, better repair effect, can effectively improve the repair efficiency.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光罩及其修复方法。
技术介绍
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶元制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是整个半导体制造流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。目前，光罩在制造过程一般是在透光的透光玻璃上形成铬膜，再在铬膜上形成电子束微影用阻挤，然后以光罩布局软件控制电子束直写等方式，在阻挤上形成光罩图案，最后对光罩进行蚀刻，形成图形化的光罩，然而在实际制作过程中，由于环境中的微颗粒污染等原因，会造成光罩图案蚀刻不完全，形成多余的图案，造成缺陷。现有对常规类型(如Binary,PSM)光罩的缺陷修复，主要是用XeF2通过电子束(E-beam)，或用FeI2&I2通过Ga离子束，直接对光罩的缺陷蚀刻进行修复。然而，如图1所示，对先进材料即Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩，以上现有的两种方式，可能会有蚀刻的不确定性，将光罩的需要的部分也蚀刻掉，也可能无法蚀刻，均不能对其缺陷有效修复。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种光罩及其修复方法，可有效修复先进材料如Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩缺陷。本专利技术实施例提供的一种光罩修复方法，包括确定光罩中的缺陷区域；在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域，并在所述外围预定区域沉积一层阻挡层；对所述缺陷区域进行修复。具体地，确定光罩的缺陷区域包括：识别所述光罩中的遮光部分和透光部分，得到所述光罩的图形；将所述光罩的图形与参考图形进行对比，将所述光罩的图形中与所述参考图形不一致的区域确定为所述缺陷区域。具体地，在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域包括：在所述缺陷区域的外围画出所述外围预定区域的边界线，以确定所述外围预定区域；其中，所述外围预定区域仅覆盖所述光罩中的遮光部分。具体地，在所述外围预定区域沉积一层阻挡层包括：用电子束E-Beam或镓Ga聚焦离子束扫描所述外围预定区域，在所述E-Beam或Ga聚焦离子束扫描的区域沉积所述阻挡层。在上述各实施例中，所述阻挡层包括铬Cr，氧化铬CrO2，硅化钼MoSi，含氮硅化锆ZrSiN或含氮硅化钼MoSiN。在上述各实施例中，对所述缺陷区域进行修复包括：对所述缺陷区域进行蚀刻，去除所述缺陷区域中的遮光部分。本专利技术实施例还提供一种通过上述任一实施例所述的光罩修复方法得到的光罩。本专利技术实施例还提供一种光罩，包括透光部分和遮光部分，还包括：阻挡层，位于所述遮光部分的部分区域。具体地，在该实施例中，所述阻挡层包括铬Cr，氧化铬CrO2，硅化钼MoSi，含氮硅化锆ZrSiN或含氮硅化钼MoSiN。本专利技术实施例提出的上述光罩及其修复方法，首先确定光罩中的缺陷区域，而后在光罩上选择该缺陷区域的外围预定区域，并在该外围预定区域沉积一层阻挡层，最后对缺陷区域进行修复，从而完成对先进材料如Mosi-binary类型(比如OMOG)的光罩的有效修复，同时阻挡层可补偿在缺陷区域修复时的不确定性，由于只需要确定缺陷区域、在缺陷区域外围形成阻挡层、蚀刻缺陷等过程，与现有光罩修复方法相比周期短，修复效果更好，可有效提升修复效率。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本专利技术的实施例，并且连同描述一起用于解释本专利技术的原理。参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本专利技术，其中：图1为现有光罩修复示意图。图2为根据本专利技术一个实施例的光罩修复方法的示意流程图。图3A至图3D为根据该实施例的光罩修复方法中各制作阶段的示意截面图和俯视图。图4为根据本专利技术另一个实施例的光罩修复方法的示意流程图。图5A至图5E为根据该实施例的光罩修复方法中各制作阶段的示意截面图和俯视图。图6是本专利技术一个实施例光罩修复方法修复过程的光罩实物图。图7是本专利技术另一个实施例光罩修复方法修复过程的光罩实物图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。下面结合图2和图3A-3D说明根据本专利技术的光罩及其修复方法的实施例。图2为本专利技术光罩修复方法一个实施例的流程示意图。图3A至图3D为本专利技术光罩修复方法一个实施例中各制作阶段的截面图和俯视图。如图2所示，该实施例的光罩修复方法包括：步骤S201，确定光罩中的缺陷区域303。如图3A所示，经过步骤S201后的光罩包括透光部分301、遮光部分302以及缺陷区域303。其中，透光部分301可以是石英玻璃，遮光部分可以是铬(Cr)膜。具体地，可通过将光罩图形与参考图形对比来确定缺陷区域303。在一些实施例中，可以通过专用照相机对光罩进行超高清拍照，然后通过专用计算机图像识别软件根据照片中的图案识别光罩中的遮光部分和透光部分，从而得到光罩的图形，然后通过专用软件将光罩图形与参考图形进行逐像素点扫描对比，将光罩图形与参考图形不一致的区域确定为缺陷区域。在步骤S202，在光罩上选择缺陷区域303的外围预定区域304，如图3B所示，经过步骤S202后的光罩包括透光部分301、遮光部分302、缺陷区域303和外围预定区域304。其中，透光部分301可以是石英玻璃，遮光部分可以是铬(Cr)膜。可选地，上述外围预定区域304的选择可通过计算机软件完成。在一些实施例中，如图3B所示，在确定光罩图形中的缺陷区域后，可以通过专用软件以缺陷区域的边界为起点向缺陷区域外围扩展一定距离，画出外围预定区域的边界线，从而确定外围预定区域304。需要注意地是，在确定外围预定区域304时，不能将缺陷区域外围的透光部分划分到上述外围预定区域304中，以避免造成对光罩透光部分的遮挡。也就是说，上述一定距离选取时，其最大取值不能超过缺陷区域边界到该缺陷区域周围的遮光部分边界的距离。在一个具体实施方式中，可以通过专用计算机图像处理软件对光罩拍照后得到的光罩图像进行处理，在该光罩图像中的缺陷区域的边界向缺陷区域外围扩展一定距离，该一定距离可以像素(pixel)为单位，例如10pixels，30pixels，60pixels等，具体需要根据要修复的光罩图形的大小做适当调整。在步骤S203，在外围预定区域304沉积阻剂形成阻挡层305。如图3C所示，经过步骤S203后的光罩包括透光部分301、遮光部分302、缺陷区域303和阻挡层305。其中，阻剂可以是形成不透光层，并对蚀刻气体不发生直接反应的物质，例如，Cr，氧化铬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光罩修复方法，其特征在于，包括：确定光罩中的缺陷区域；在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域，并在所述外围预定区域沉积一层阻挡层；对所述缺陷区域进行修复。

【技术特征摘要】
1.一种光罩修复方法，其特征在于，包括：确定光罩中的缺陷区域；在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域，并在所述外围预定区域沉积一层阻挡层；对所述缺陷区域进行修复。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定光罩的缺陷区域包括：识别所述光罩中的遮光部分和透光部分，得到所述光罩的图形；将所述光罩的图形与参考图形进行对比，将所述光罩的图形中与所述参考图形不一致的区域确定为所述缺陷区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光罩上选择所述缺陷区域的外围预定区域包括：在所述缺陷区域的外围画出所述外围预定区域的边界线，以确定所述外围预定区域；其中，所述外围预定区域仅覆盖所述光罩中的遮光部分。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外围预定区域沉积一层阻挡层包括：用...

【专利技术属性】
技术研发人员：任快侠，田明静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11