The invention discloses a resistance change memory which is resistant to electromagnetic interference and belongs to the field of microelectronic technology and a preparation method thereof. The resistive memory for sandwich structure, composed of three layers of thin film, which comprises a bottom electrode layer, resistive functional layer and the top electrode layer, the bottom electrode and the top electrode layer is the electromagnetic shielding materials of Ti3C2ene film, the resistive layer for functional oxide materials. The invention also discloses a preparation method of a resistance change memory against electromagnetic interference. The present invention conductive and efficient electromagnetic shielding and cheap Ti3C2ene film as the electrode material, the preparation of RRAM is simple and lightweight, high strength, technological advantages, to meet the portable, wearable electronic devices demand.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
,尤其涉及一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
手机、电脑等电子设备越来越倾向于轻便化、智能化,电子元器件运行速度也越来越快。这些电子设备在发射信号和利用电能的过程中,电磁波会对电子元件产生电磁干扰,影响设备使用性能和使用寿命,加速废弃电子器件的产生,污染周围环境、不利于人体健康。一个行之有效的解决方案就是使用有效的电磁屏蔽材料,一方面减少无效的电磁发射,另一方面保护器件免遭外部信号干扰。阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)具有低廉的价格、简单的结构、超高的密度、低功耗、高速和与CMOS工艺兼容的优点,受到广泛的关注。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法,其特征在于:抗电磁干扰的阻变存储器为三明治结构,由三层薄膜构成,包括底电极层、阻变功能层和顶电极层,所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti3C2ene薄膜,所述阻变功能层为氧化物材料。一种抗电磁干扰阻变存储器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在基底材料上转移Ti3C2ene薄膜材料;(2)使用磁控溅射技术在Ti3C2ene薄膜材料上生长阻变功能层材料;(3)转移Ti3C2ene薄膜材料到阻变功能层材料上;(4)在顶层Ti3C2ene薄膜材料上悬涂光刻胶,使用光学曝光获得顶电极图形,使用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀得到顶电极,形成抗电磁干扰的阻变存储器件单元。所述Ti3C2ene薄膜的制备方法包括:(a)将3gTi3AlC2粉体加入到35ml质量分数为40%的HF溶液中;(b ...
【技术保护点】
一种抗电磁干扰的阻变存储器,该器件为三明治结构,由三层薄膜构成,包括底电极层、阻变功能层和顶电极层,其特征在于,所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti3C2ene薄膜,阻变功能层为氧化物材料。
【技术特征摘要】
1.一种抗电磁干扰的阻变存储器,该器件为三明治结构,由三层薄膜构成,包括底电极层、阻变功能层和顶电极层,其特征在于,所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti3C2ene薄膜,阻变功能层为氧化物材料。2.一种抗电磁干扰阻变存储器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在基底材料上转移Ti3C2ene薄膜材料;(2)使用磁控溅射技术在Ti3C2ene薄膜材料上生长阻变功能层材料;(3)转移Ti3C2ene薄膜材料到阻变功能层材料上;(4)在顶层Ti3C2ene薄膜材料上悬涂光刻胶,使用光学曝光获得顶电极图形,使用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀得到顶电极,形成抗电磁干扰的阻变存储器件单元。3.如权利要求2所述的一种抗电磁干扰的阻变存...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵鸿滨,屠海令,魏峰,杨志民,张国成,
申请(专利权)人:北京有色金属研究总院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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