多基板热管理设备制造技术

技术编号:15195141 阅读:170 留言:0更新日期:2017-04-21 00:02
本文中提供了多基板热管理设备的实施例。在一些实施例中,多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。

Multi substrate thermal management device

An example of a multi substrate thermal management device is provided in this paper. In some embodiments, multiple substrate thermal management device includes a plurality of plates, the plurality of plates are vertically arranged in each other; a plurality of channels, wherein a plurality of channels extending through each of the plurality of plates; supply manifold, the supply manifold includes a supply channel, the the supply channel in the first position is coupled to the plurality of plates; and the return manifold, the return manifold includes a return channel, the return channel in the second position by a plurality of legs is coupled to the plurality of plates, wherein the supply channel and the return channel is fluid coupled to the plurality of channels in order to make the heat transfer, fluid flow through the plurality of plates.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体涉及基板处理设备。
技术介绍
设置在基板上的膜通常在高温下沉积。因此,处于升高温度下的完成基板在它们从工艺腔室中移除时会对氧气暴露敏感。因此,完成的基板通常被冷却至室温或接近于室温,以最小化基板对氧气暴露的敏感度。目前,在一些基板处理系统中,使用被动冷却方法来同时冷却多个处理过的基板。然而,被动冷却方法需要约5-10分钟以将基板温度降至低于30℃(例如,大约室温)。因此,处理系统的产量大大降低。或者,在一些处理系统中,使用主动冷却设备来冷却处理过的基板。然而,这种设备每次仅冷却一个基板,这也减少了处理系统的产量。此外,主动冷却设备仍然无法将处理过的基板快速冷却至室温或接近于室温。因此,专利技术人提供了一种用于与集成制造系统一起使用的改进的多基板热管理设备。
技术实现思路
本文中提供了用于处理基板的方法和设备的实施例。在一些实施例中,多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。在一些实施例中,用于处理基板的设备包括:工厂接口,所述工厂接口用于与基板处理平台对接,所述工厂接口包括坞站和工厂接口机器人,以便将基板从所述工厂接口传送到所述基板处理平台;多基板热管理设备,所述多基板热管理设备设置在所述工厂接口与所述基板处理平台之间,使得所述工厂接口机器人可将基板放入所述多基板热管理设备或将基板从所述多基板热管理设备移除;以及传热流体供应源,所述传热流体供应源被耦接到所述多基板热管理设备,以向所述多基板热管理设备提供传热流体。所述多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。在一些实施例中,多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方,其中所述多个板中的每一个包括均等地分布在上表面上以将基板支撑在其上的41个接触元件;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述多个支腿中的所述多个通道的直径从最上支腿至最下支腿减小,并且其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。以下描述本公开的其他和进一步实施例。附图说明可参考附图中描绘的本公开的说明性实施例来理解以上简要概述并以下更详细讨论的本公开的实施例。然而,附图仅例示了本公开的典型实施例,并且因此不应视为对范围的限制,因为本公开可允许其他等效实施例。图1是根据本公开的一些实施例的具有多基板热管理设备的处理系统的示意图。图2是根据本公开的一些实施例的多基板热管理设备的等距视图。图3是根据本公开的一些实施例的多基板热管理设备的横截面图。图4是根据本公开的一些实施例的多基板热管理设备的等距视图。图5是根据本公开的一些实施例的适用于与多基板热管理设备一起使用的升降设备的等距视图。图6是根据本公开的一些实施例的多基板热管理设备的侧视横截面图。图7是图6的多基板热管理设备的俯视图。为了促进理解,已尽可能使用相同附图标记来指定各图所共有的相同元件。附图未按比例绘制,并且为了清楚起见,可以简化。一个实施例的元件和特征可有利地并入其他实施例,而不进一步地叙述。具体实施方式本公开的实施例总体涉及用于集成基板制造系统的多基板热管理设备。本专利技术的多基板热管理设备的实施例有利地直接安装到基板处理工具的工厂接口(FI)上,并且将多个基板同时冷却或加热,由此增大基板处理工具的产量,同时还将对基板处理工具所占据的占地面积的任何负面影响最小化。图1是可适于与本文所公开的本专利技术的设备一起使用的示例性的多腔室处理系统100的示意性俯视图。可根据本文所提供的教导内容适当修改的合适的多腔室处理系统的示例包括和处理系统或可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)购得的其他适合的处理系统。其他处理系统(包括来自其他制造商的那些)可适配成受益于本公开。在一些实施例中,多腔室处理系统100一般可以包括真空密封处理平台102、工厂接口104和系统控制器140。处理平台102可以包括多个工艺腔室190A-F和耦接到传送腔室188的至少一个负载锁定腔室184(示出两个)。传送机器人106(以下关于图2和图3所述)设置在传送腔室188的中心,以便在负载锁定腔室184与工艺腔室190A-F之间传送基板。工艺腔室190A-F可配置成执行各种功能,包括涵盖原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻、预清洁、脱气、取向与定中心、退火和其他基板工艺的层沉积。每个工艺腔室190A-F均可包括狭缝阀或其他可选择性密封的开口,以便选择性地将工艺腔室190A-F的相应内部容积流体耦接到传送腔室188的内部容积。类似地,每个负载锁定腔室184均可包括端口,以便选择性地将负载锁定腔室184的相应内部容积流体耦接到传送腔室188的内部容积。工厂接口104通过负载锁定腔室184耦接到传送腔室188。在一些实施例中,每个负载锁定腔室184均可包括耦接到工厂接口104的第一端口123和耦接到传送腔室188的第二端口125。负载锁定腔室184可耦接到压力控制系统,所述压力控制系统抽空负载锁定腔室184并使负载锁定腔室通气,以便促进在传送腔室188的真空环境与工厂接口104的基本周围(例如,大气)环境之间传送基板。在一些实施例中,工厂接口104包括至少一个坞站183和至少一个工厂接口机器人185(示出一个),以便将基板从工厂接口104传送到处理平台102,以便通过负载锁定腔室184进行处理。坞站183被配置成接纳一个或多个(示出四个)前开式联合晶片盒(FOUP)187A-D。任选地,一个或多个计量站(未示出)可耦接到工厂接口104,以便促进来自FOUP187A-D的基板的测量。工厂接口104中设置的工厂接口机器人185能够线性移动和旋转移动(箭头182),以使基板匣盒在负载锁定腔室184与一个或多个FOUP187A-D之间穿梭。在一些实施例中,本专利技术的多基板热管理设备设置在负载锁定腔室184中,以便促进在处理平台102与工厂接口104之间传送一个或多个基板前调节(例如,加热或冷却)一个或多个基板。例如,在一些实施例中,可将多基板热管理设备用于在一个或多个处理过的基板从处理平台102中移除并暴露于坞站183的周围环境前,冷却所述一个或多个处理过的基板。或者,多基板热管理设备可耦接到坞站183而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多基板热管理设备,所述多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.01 US 62/032,322;2014.10.01 US 14/504,0211.一种多基板热管理设备,所述多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。2.根据权利要求1所述的多基板热管理设备,其中所述多个板中的每一个包括在上表面上的多个接触元件以将基板支撑在其上。3.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件包括41个接触元件。4.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件是由氮化硅(SiN)形成。5.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件具有距所述多个板中的每一个的上表面约0.007英寸的高度。6.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件均等地分布在所述多个板中的每一个周围。7.根据权利要求1所述的多基板热管理设备,其中所述多个支腿包括多个通道,所述多个通道被流体耦接到所述多个板中的所述多个通道。8.根据权利要求7所述的多基板热管理设备,其中所述多个支腿中的所述多个通道的直径从最上支腿至最下支腿减小。9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·贝拉K·韦洛尔A·康斯坦特J·纽曼J·伯拉尼克J·舒浩勒W·威弗R·沃派特B·莱尔顿
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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