An example of a multi substrate thermal management device is provided in this paper. In some embodiments, multiple substrate thermal management device includes a plurality of plates, the plurality of plates are vertically arranged in each other; a plurality of channels, wherein a plurality of channels extending through each of the plurality of plates; supply manifold, the supply manifold includes a supply channel, the the supply channel in the first position is coupled to the plurality of plates; and the return manifold, the return manifold includes a return channel, the return channel in the second position by a plurality of legs is coupled to the plurality of plates, wherein the supply channel and the return channel is fluid coupled to the plurality of channels in order to make the heat transfer, fluid flow through the plurality of plates.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体涉及基板处理设备。
技术介绍
设置在基板上的膜通常在高温下沉积。因此,处于升高温度下的完成基板在它们从工艺腔室中移除时会对氧气暴露敏感。因此,完成的基板通常被冷却至室温或接近于室温,以最小化基板对氧气暴露的敏感度。目前,在一些基板处理系统中,使用被动冷却方法来同时冷却多个处理过的基板。然而,被动冷却方法需要约5-10分钟以将基板温度降至低于30℃(例如,大约室温)。因此,处理系统的产量大大降低。或者,在一些处理系统中,使用主动冷却设备来冷却处理过的基板。然而,这种设备每次仅冷却一个基板,这也减少了处理系统的产量。此外,主动冷却设备仍然无法将处理过的基板快速冷却至室温或接近于室温。因此,专利技术人提供了一种用于与集成制造系统一起使用的改进的多基板热管理设备。
技术实现思路
本文中提供了用于处理基板的方法和设备的实施例。在一些实施例中,多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。在一些实施例中,用于处理基板的设备包括:工厂接口,所述工厂接口用于与基板处理平台对接,所述工厂接口包括坞站和工厂接口机器人,以便将基板从所述工厂接口传送到所述基板处理平台;多基板热管理设备,所述多基板热管理设备设置在所述工厂接口与所述基板处理平台之间,使 ...
【技术保护点】
一种多基板热管理设备,所述多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.01 US 62/032,322;2014.10.01 US 14/504,0211.一种多基板热管理设备,所述多基板热管理设备包括:多个板,所述多个板竖直地布置在彼此上方;多个通道,所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个;供应歧管,所述供应歧管包括供应通道,所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板;以及返回歧管,所述返回歧管包括返回通道,所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板,其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道,以使传热流体流过所述多个板。2.根据权利要求1所述的多基板热管理设备,其中所述多个板中的每一个包括在上表面上的多个接触元件以将基板支撑在其上。3.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件包括41个接触元件。4.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件是由氮化硅(SiN)形成。5.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件具有距所述多个板中的每一个的上表面约0.007英寸的高度。6.根据权利要求2所述的多基板热管理设备,其中所述多个接触元件均等地分布在所述多个板中的每一个周围。7.根据权利要求1所述的多基板热管理设备,其中所述多个支腿包括多个通道,所述多个通道被流体耦接到所述多个板中的所述多个通道。8.根据权利要求7所述的多基板热管理设备,其中所述多个支腿中的所述多个通道的直径从最上支腿至最下支腿减小。9.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:K·贝拉,K·韦洛尔,A·康斯坦特,J·纽曼,J·伯拉尼克,J·舒浩勒,W·威弗,R·沃派特,B·莱尔顿,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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