The invention discloses a voltage regulator with a differential pressure detector and a bias current limiter. The voltage regulator includes an input terminal for receiving an input voltage, an output terminal for supplying an output voltage, a power transistor, a differential amplifier, a driver, a differential detector and a bias current limiter. The differential amplifier provides the driving signal based on the difference between the voltage reference and the feedback signal corresponding to the output voltage. The driver includes an impedance device and a drive transistor that receives a drive signal to change the bias current to the control terminal of the power transistor. Differential pressure detector and the bias current limiter is coupled to the input terminal and the output terminal equipment, impedance, and includes coupling together the first and second transistors and coupled to the second transistor bias current generator.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电压调节器的领域,并且更具体地涉及以压差(dropout)模式进行操作的电压调节器的电流消耗控制。
技术介绍
即使在输入电压和输出电压之间的差非常低(例如,100mV),电压调节器也保持输出电压稳定。如果输入电压足够高,则输出电压处于标称电平,并且电压调节器以闭环进行操作。然而,如果输入电压下降,则电压调节器开始以开环进行操作,其也被称为压差模式。当以压差模式进行操作时,电压调节器的电流消耗是显著的。示例性电压调节器10在图1中示出,并且包括用于接收输入电压VIN的输入端子12、用于供应输出电压VOUT的输出端子以及功率晶体管20,功率晶体管20具有耦合到输入端子12的第一导电端子22、耦合到输出端子14的第二导电端子24以及控制端子26。差分放大器30具有用于接收电压参考VREF的第一输入32和用于接收对应于输出电压VOUT的反馈信号VFB的第二输入34。差分放大器30的输出36基于在电压参考VREF和反馈信号VFB之间的差来提供驱动信号VDIFF。驱动器50包括耦合到功率晶体管20的控制端子26的阻抗设备52和驱动器晶体管54。驱动器晶体管54具有耦合到功率晶体管20的控制端子26的第一导电端子55以及控制端子57,控制端子57接收来自差分放大器30的驱动信号VDIFF,以便于改变对功率晶体管20的控制端子26的偏置电流IBIAS。因为驱动器50的输出58被耦合到功率晶体管20,所以跨阻抗设备52形成的电压表示功率晶体管的VGS。随着电压调节器10的负载电流ILOAD改变,功率晶体管20的VGS也改变。负载电流ILOAD和VGS之间的关 ...
【技术保护点】
一种电压调节器,包括:输入端子,所述输入端子配置为接收输入电压;输出端子,所述输出端子配置为供应输出电压;功率晶体管,所述功率晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述输出端子的第二导电端子、以及控制端子;差分放大器,所述差分放大器具有用于接收电压参考的第一输入、用于接收对应于所述输出电压的反馈信号的第二输入、以及用于基于在所述电压参考和所述反馈信号之间的差来提供驱动信号的输出;驱动器,所述驱动器包括耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的阻抗器件、以及驱动器晶体管,所述驱动器晶体管具有耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的第一导电端子、以及控制端子,所述控制端子从所述差分放大器接收所述驱动信号,以便于改变去往所述功率晶体管的所述控制端子的偏置电流;以及压差检测器和偏置电流限制器,耦合到所述功率晶体管。
【技术特征摘要】
2015.10.13 US 14/881,4981.一种电压调节器,包括:输入端子,所述输入端子配置为接收输入电压;输出端子,所述输出端子配置为供应输出电压;功率晶体管,所述功率晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述输出端子的第二导电端子、以及控制端子;差分放大器,所述差分放大器具有用于接收电压参考的第一输入、用于接收对应于所述输出电压的反馈信号的第二输入、以及用于基于在所述电压参考和所述反馈信号之间的差来提供驱动信号的输出;驱动器,所述驱动器包括耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的阻抗器件、以及驱动器晶体管,所述驱动器晶体管具有耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的第一导电端子、以及控制端子,所述控制端子从所述差分放大器接收所述驱动信号,以便于改变去往所述功率晶体管的所述控制端子的偏置电流;以及压差检测器和偏置电流限制器,耦合到所述功率晶体管。2.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述压差检测器和偏置电流限制包括:第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件的第二导电端子、以及控制端子;第二晶体管,所述第二晶体管具有耦合到所述输出端子的第一导电端子、耦合在一起并且耦合到所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子和第二导电端子;以及偏置电流生成器,所述偏置电流生成器耦合到所述第二晶体管的所述第二导电端子。3.根据权利要求2所述的电压调节器,其中,所述偏置电流生成器被配置为生成第二偏置电流;并且其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为电流镜,使得用于所述功率晶体管的所述偏置电流反映所述第二偏置电流。4.根据权利要求2所述的电压调节器,其中,所述压差检测器和偏置电流限制器进一步包括:第三晶体管,所述第三晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子、以及第二导电端子;以及第四晶体管,所述第四晶体管具有耦合到所述第三晶体管的所述第二导电端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件并且耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的控制端子、以及耦合到所述差分放大器的第二导电端子。5.根据权利要求4所述的电压调节器,进一步包括:电流源,所述电流源被耦合在所述输入端子和所述差分放大器之间,并且还与所述第三晶体管和所述第四晶体管并联耦合。6.根据权利要求1所述的电压调节器,进一步包括:耦合到所述输出端子的电阻分压器;反馈路径,所述反馈路径被耦合在所述电阻分压器和所述差分放大器的第二输入之间,以对其提供所述反馈信号。7.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述阻抗器件被配置为具有阻抗,使得跨所述阻抗器件的电压对应于跨所述功率晶体管的电压。8.根据权利要求7所述的电压调节器,其中,所述阻抗器件包括电阻、配置为二极管的晶体管和与配置为二极管的晶体管串联耦合的电阻中的至少一个。9.根据权利要求1所述的电压调节器,进一步包括:电流源,所述电流源被耦合在所述输入端子和所述差分放大器之间。10.根据权利要求1所述的电压调节器,进一步包括:参考电压源,所述参考电压源被耦合到所述差分放大器的所述第一输入,提供所述参考电压。11.根据权利要求1所述的电压调节器,其中,所述功率晶体管包括p沟道MOSFET,并且所述驱动器晶体管包括n沟道MOSFET。12.一种电压调节器,包括:输入端子,所述输入端子配置为接收输入电压;输出端子,所述输出端子配置为供应输出电压;功率晶体管,所述功率晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述输出端子的第二导电端子、以及控制端子;差分放大器,所述差分放大器具有用于接收电压参考的第一输入、用于接收对应于所述输出电压的反馈信号的第二输入、以及用于基于在所述电压参考和所述反馈信号之间的差来提供驱动信号的输出;参考电压源,所述参考电压源被耦合到所述差分放大器的所述第一输入,提供所述参考电压;驱动器,所述驱动器包括耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的阻抗器件、以及驱动器晶体管,所述驱动器晶体管具有耦合到所述功率晶体管的所述控制端子的第一导电端子、以及控制端子,所述控制端子从所述差分放大器接收所述驱动信号,以便于改变去往所述功率晶体管的所述控制端子的偏置电流;以及压差检测器和偏置电流限制器,耦合到所述功率晶体管并且包括:第一晶体管,所述第一晶体管具有耦合到所述输入端子的第一导电端子、耦合到所述阻抗器件的第二导电端子、以及控制端子;第二晶体管,所述第二晶体管具有耦合到所述输出端子的第一导电端子、耦合在一起并且耦合至所述第一晶体管的所述控制端子的控制端子和第二导电端子;以及偏置电流生成器,所述偏置电流生成器耦合...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·皮特伊,
申请(专利权)人:意法设计与应用股份有限公司,
类型:发明
国别省市:捷克;CZ
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。