防反接电路和背光驱动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种防反接电路和用于液晶显示系统的背光驱动装置，其能够防止因端口反接而对电路造成的影响。该防反接电路具有正、负输入端以及正、负输出端，其包括：采样模块，其接收所述正、负输出端的电压而产生采样电压；比较模块，其将该采样电压与参考电压的比较结果作为切换控制信号输出；切换模块，其包括第一开关电路与第二开关电路，该第一开关电路与该第二开关电路分别根据该切换控制信号及其反相信号将该正、负输入端与该正、负输出端对应导通。该背光驱动装置包括防反接电路，从而能够根据端口电压判断是否出现反接现象，并根据判断结果将正极电压与负极电压切换至正确的输出端口，从而防止因端口反接而造成的不必要损失。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路领域，更具体地，涉及防反接电路和液晶显示系统的背光驱动装置。
技术介绍
在搭建电子电路或者使用电子产品做实验时，经常会涉及两个电路或者电路与其他设备的端口对接。在端口对接过程中，很有可能会出现端口反接的情况，例如第一电路的正输出端与负输出端在正常情况下应分别与第二电路的正输入端和负输入端对应连接，但是由于失误，所述第一电路的正输出端与负输出端分别与所述第二电路的负输入端和正输入端相连。这种反接的情况可能会损坏电路，造成不必要的经济损失，并且需要消耗多余的人力成本和时间成本重新搭建电路。液晶显示系统(LiquidCrystalDisplay，LCD)具备轻薄、节能、无辐射等诸多优点，因此被广泛地应用于高清晰数字电视、台式计算机等电子设备中。液晶显示系统中的背光驱动装置用于对LED灯串组进行驱动，所述背光驱动装置具有正输出端和负输出端，应分别与LED灯串组的阳极端与阴极端连通，使LED灯串组的阳极端与阴极端之间具有正电压差，从而产生背光。然而在对背光驱动装置的端口和LED灯串组的两端进行对接时，容易出现反接的现象，即所述LED灯串组的阳极端与背光驱动装置的负输出端导通而LED灯串组的阴极端与背光驱动装置的正输出端导通。此时，LED灯串组不能产生正确的背光，甚至有可能会击穿LED灯串组中的LED，导致电路损坏。因此，期待进一步防止因端口反接而造成的影响。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本技术提供一种防反接电路和背光驱动装置，其能够消除因端口反接而造成的影响。根据本技术的一方面，提供了一种防反接电路，其具有正、负输入端以及正、负输出端，其中，防反接电路包括：采样模块，其接收正、负输出端的电压而产生采样电压；比较模块，其将采样电压与参考电压的比较结果作为切换控制信号输出；切换模块，其包括第一开关电路与第二开关电路，第一开关电路与第二开关电路分别根据切换控制信号及切换控制信号的反相信号将正、负输入端与正、负输出端对应导通。优选地，比较模块包括：参考电压源，其负极接地，正极输出参考电压；电压比较器，其反相输入端与参考电压源的正极相连，电压比较器的正相输入端接收采样电压并输出切换控制信号，其中，电压比较器对参考电压与采样电压进行比较得到切换控制信号。优选地，比较模块还包括第一电阻，其一端接地，另一端与电压比较器的正相输入端相连，从而保证电压比较器的正相输入端的初始值为0。优选地，切换模块还包括反相器，其将切换控制信号反相得到切换控制信号的反相信号。优选地，第一开关电路包括第一晶体管与第二晶体管，第二开关电路包括第三晶体管与第四晶体管，其中，第一晶体管与第四晶体管为N型MOSFET，第二晶体管与第三晶体管为P型MOSFET。优选地，第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极相连，用于接收切换控制信号，第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极相连，用于接收切换控制的反相信号；第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极相连至正输出端，第二晶体管的源极与第三晶体管的源极相连至所述正输入端，第三晶体管的漏极与第四晶体管的漏极相连至所述负输出端，第一晶体管的源极与第四晶体管的源极相连至所述负输入端。根据本技术的另一方面，提供一种用于液晶显示系统的背光驱动装置，液晶显示系统包括LED灯串组，LED灯串组中各个LED灯串分别具有第一端口和第二端口，各个LED灯串的第一端口相连于同一节点，背光驱动装置包括:驱动电路，其具有反馈端和驱动端，驱动端用于提供输出电压，驱动电路用于对流经各个LED灯串的电流进行调控；选择电路，其具有多个选择输入端和一个选择输出端，多个选择输入端分别对应与各个LED灯串的第二端口相连，选择电路选择LED灯串组中的其中一个LED灯串，被选择的LED灯串的第二端口连接至选择电路的选择输出端，其中，背光驱动装置还包括防反接电路，防反接电路选自如上所述的防反接电路，防反接电路的正、负输入端分别与驱动电路的驱动端、反馈端相连，防反接电路的负输出端与选择电路的选择输出端相连，防反接电路的正输入端与LED灯串的第一端口相连。优选地，防反接电路具有正、负输入端以及正、负输出端，防反接电路能够对正、负输出端的电压进行采样而得到采样电压，并根据采样电压与参考电压的比较结果产生切换控制信号。切换控制信号为低电平时，防反接电路的正输入端与正输出端相通、负输入端与负输出端相通；切换控制信号为高电平时，防反接电路的正输入端与负输出端相通、负输入端与正输出端相通。本技术的有益效果是，能够根据端口电压判断电路端口是否出现反接现象，并根据判断结果将正极电压与负极电压切换至正确的输出端口，从而防止因端口反接而造成的不必要损失。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。图1示出本技术第一实施例的防反接电路与被控电路的正确连接关系的示意性框图；图2输出本技术第一实施例的防反接电路与被控电路在端口反接时的示意性框图；图3示出根据本技术第一实施例的防反接电路的示意性框图；图4示出根据本技术第一实施例中比较模块的示意性电路；图5示出根据本技术第一实施例切换模块的示意性电路图；图6示出一种现有的背光驱动装置的示意性框图；图7示出本技术第二实施例的背光驱动装置在电路正接时的示意性框图；图8示出本技术第二实施例的背光驱动装置在电路反接时的示意性框图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本技术的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本技术。下面，参照附图对本技术进行详细说明。图1示出本技术明第一实施例的防反接电路与被控电路的正确连接关系的示意性框图。图2输出本技术第一实施例的防反接电路与被控电路在端口反接时的示意性框图。如图1与图2所示，防反接电路100具有正输出端OUT_p、负输出端OUT_n以及正输入端IN_p和负输入端IN_n。供电电路300对防反接电路100的正输入端IN_p提供正极电压Vp，并且对防反接电路100的负输入端IN_n提供负极电压Vn。被控电路200具有第一输入端IN1和第二输入端IN2。防反接电路100的正输出端OUT_p为被控电路200提供第一电压Va，防反接电路100的负输出端OUT_n为被控电路200提供第二电压Vk。如图1所示，当防反接电路100的正输出端OUT_p与被控电路200的第一输入端IN1相连且防反接电路100的负输出端OUT_n与被控电路200的第二输入端IN2相连时，说明防反接电路100与被控电路200的端口连接正确，此时防反接电路100将正极电压Vp由正输出端OUT_p输出至被控电路200的第一输入端IN1，并且将负极电压Vn由防反接电路100的负输出端OUT_n输出至被控电路200的第二输入端IN2，使得第一电压Va与正极电压Vp基本相等，第二电压Vk与负极电压Vn基本相等。如图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防反接电路，其具有正、负输入端以及正、负输出端，其中，所述防反接电路包括：采样模块，其接收所述正、负输出端的电压而产生采样电压；比较模块，其将所述采样电压与参考电压的比较结果作为切换控制信号输出；切换模块，其包括第一开关电路与第二开关电路，所述第一开关电路与所述第二开关电路分别根据所述切换控制信号及所述切换控制信号的反相信号将所述正、负输入端与所述正、负输出端对应导通。

【技术特征摘要】
1.一种防反接电路，其具有正、负输入端以及正、负输出端，其中，所述防反接电路包括：采样模块，其接收所述正、负输出端的电压而产生采样电压；比较模块，其将所述采样电压与参考电压的比较结果作为切换控制信号输出；切换模块，其包括第一开关电路与第二开关电路，所述第一开关电路与所述第二开关电路分别根据所述切换控制信号及所述切换控制信号的反相信号将所述正、负输入端与所述正、负输出端对应导通。2.根据权利要求1所述的防反接电路，其中，所述比较模块包括：参考电压源，其负极接地，正极输出参考电压；电压比较器，所述电压比较器的反相输入端与所述参考电压源的正极相连，所述电压比较器的正相输入端接收所述采样电压并输出所述切换控制信号，其中，所述电压比较器对所述参考电压与所述采样电压进行比较得到所述切换控制信号。3.根据权利要求2所述的防反接电路，其中，所述比较模块还包括第一电阻，其一端接地，另一端与所述电压比较器的正相输入端相连，从而使所述电压比较器的正相输入端的初始值为0。4.根据权利要求1所述的防反接电路，其中，所述切换模块还包括反相器，其将所述切换控制信号反相得到所述切换控制信号的反相信号。5.根据权利要求4所述的防反接电路，所述第一开关电路包括第一晶体管与第二晶体管，所述第二开关电路包括第三晶体管与第四晶体管，其中，所述第一晶体管与所述第四晶体管为N型MOSFET，所述第二晶体管与所述第三晶体管为P型MOSFET。6.根据权利要求5所述的防反接电路，其中，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极相连，用于接收所述切换控制信号，所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，用于接收所述切...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢佳惠，田申，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32