低噪声放大电路制造技术

技术编号:15172760 阅读:107 留言:0更新日期:2017-04-15 21:30
本实用新型专利技术涉及一种低噪声放大电路。上述低噪声放大电路,包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元,其中,对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元,对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元,所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压;或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。该低噪声放大电路中的多级低噪声放大器仅需要一种或两种偏置单元为其进行偏置,就能使各级低噪声放大器处于最佳的工作状态,其结构简单、成本低,同时也节约了PCB板的使用面积。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路
,特别是涉及低噪声放大电路。
技术介绍
Ka波段宽带卫星的运用将会成为未来卫星宽带通信的行业趋势。Ka波段主要是26.5~40GHz,这大大提高了通信的带宽。一系列的配套设备和组件对于整个通信网络的构建具有至关重要的作用。其中,对于地面小站来说,收发机是构建地面小站的关键部件。在用于卫星广播的应用中,收发机的下变频模块(lownoiseblock,LNB)是接收信号的最关键模块。下变频模块接收从卫星发射的微弱信号,下变频模块对其进行放大以及下变频为中频信号,再经过调制解调器进行后续处理。由于接收机系统噪声系数主要由低噪声放大器决定,因此设计一款增益合理、噪声低、性能可靠稳定、大动态范围的放大器在接收前端的设计中显得尤为重要。传统的低噪声放大电路是由多个复杂的电子元器件构成,其成本高、占用PCB板的面积大。
技术实现思路
基于此,有必要针对电路结构复杂、成本高、占用PCB板面积大的问题,提供一种低噪声放大电路。一种低噪声放大电路,包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元,其中,对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元,对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元,其中,所述前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器,所述后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器,所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压;或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。在其中一个实施例中,所述第一偏置单元包括第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻、第二电阻连接,所述第一电阻的另一端接地,所述第二电阻的另一端与正电压供电端连接;所述第一三极管的集电极经所述第三电阻、第四电阻与负电压供电端连接;所述第一三极管的发射极经所述第五电阻与所述正电压供电端连接;所述低噪声放大器为晶体管放大器,所述晶体管放大器的源极接地;所述晶体管放大器的栅极与所述第三电阻、第四电阻的公共点连接;所晶体管放大器的漏极与所述第一三极管的发射极连接。在其中一个实施例中,所述第一偏置单元第二三极管;所述第二三极管的发射极经所述第二电阻与所述正电压供电端连接,所述第二三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接;所述第二三极管的基极分别与所述第一电阻、第一三极管的基极连接。在其中一个实施例中,所述第二偏置单元为直流偏置芯片;所述直流偏置芯片包括多组对应设置的栅极偏置引脚和漏极偏置引脚;其中,所述栅极偏置引脚为所述晶体管放大器的栅极提供正电压、所述漏极偏置引脚为所述晶体管放大器的漏极提供负电压;以及还包括为所述第一偏置单元提供电压的正电压输出端和负电压输出端。在其中一个实施例中,所述低噪声放大电路中包括三级级联的第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器。在其中一个实施例中,对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器分别进行偏置的均为所述第一偏置单元;对所述第三级晶体管放大器进行偏置的为第二偏置单元;其中,所述第二偏置单元的正电压输出端分别与所述第一偏置单元中的第五电阻连接;所述第二偏置单元的负电压输出端分别与所述第一偏置单元中的第四电阻连接;所述第二偏置单元任意一组中的所述栅极偏置引脚、漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。在其中一个实施例中,所述低噪声放大电路包括对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器同时进行偏置的PNP型通用双晶体管;以及对所述第三级晶体管放大器进行偏置的为第二偏置单元;其中,所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的栅极分别与PNP型通用双晶体管的集电极连接;所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的漏极分别与所述PNP型通用双晶体管的发射极连接;所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的源极接地;所述第二偏置单元的正电压输出端与所述PNP型通用双晶体管的发射极连接;所述第二偏置单元的负电压输出端与所述PNP型通用双晶体管的集电极连接;所述第二偏置单元任意一组中的所述栅极偏置引脚、漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。在其中一个实施例中,对三级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元;所述第一偏置单元中的第一三极管的发射极均加载正电压,第一三极管的集电极均加载负电压。在其中一个实施例中,对所述第一级晶体管放大器进行偏置的为所述第一偏置单元;对所述第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器同时进行偏置的为第二偏置单元;所述第二偏置单元的正电压输出端与所述第一偏置单元中的第五电阻连接;所述第二偏置单元的负电压输出端与所述第一偏置单元中的第四电阻连接;所述第二偏置单元中第一组所述栅极偏置引脚、所述漏极偏置引脚分别对应与所述第二级晶体管放大器的栅极、漏极连接;所述第二偏置单元中第二组所述栅极偏置引脚、所述漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。在其中一个实施例中,还包括多个隔直电容,所述隔直电容串接于相邻两级所述低噪声放大器之间。上述低噪声放大电路,包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元,其中,对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元,对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元,所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压;或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。该低噪声放大电路中的多级低噪声放大器仅需要一种或两种偏置单元为其进行偏置,就能使各级低噪声放大器处于最佳的工作状态,其结构简单、成本低,同时也节约了PCB板的使用面积。附图说明图1为一实施例低噪声放大电路的结构框架图;图2为一实施例中第一偏置单元的电路图;图3为另一实施例中第一偏置单元的电路图;图4为一实施例中直流偏置芯片管脚排布图;图5为一实施例中晶体管放大器的漏极电流-漏极电压特性曲线图;图6为一实施例中低噪声放大电路的电路图之一;图7为一实施例中低噪声放大电路的电路图之二;图8为一实施例中低噪声放大电路的电路图之三;图9为一实施例中低噪声放大电路的电路图之四。具体实施方式为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对技术进行更全面的描述。附图中给出了技术的较佳实施例。但是,本技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。一种低噪声放大电路,对接收或将要发送的信号进行放大处理,使其该电路中的总噪声系数小、功率增益高,其低噪声放大电路可以用在Ka波段、Ku波段、X波段中的收发系统中等。如图1所示的为低本文档来自技高网
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低噪声放大电路

【技术保护点】
一种低噪声放大电路,其特征在于,包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元,其中,对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元,对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元,其中,所述前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器,所述后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器,所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压;或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路,其特征在于,包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元,其中,对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元,对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元,其中,所述前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器,所述后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器,所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压;或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。2.根据权利要求1所述的低噪声放大电路,其特征在于,所述第一偏置单元包括第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻、第二电阻连接,所述第一电阻的另一端接地,所述第二电阻的另一端与正电压供电端连接;所述第一三极管的集电极经所述第三电阻、第四电阻与负电压供电端连接;所述第一三极管的发射极经所述第五电阻与所述正电压供电端连接;所述低噪声放大器为晶体管放大器,所述晶体管放大器的源极接地;所述晶体管放大器的栅极与所述第三电阻、第四电阻的公共点连接;所晶体管放大器的漏极与所述第一三极管的发射极连接。3.根据权利要求2所述的低噪声放大电路,其特征在于,所述第一偏置单元还包括第二三极管;所述第二三极管的发射极经所述第二电阻与所述正电压供电端连接,所述第二三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接;所述第二三极管的基极分别与所述第一电阻、第一三极管的基极连接。4.根据权利要求2所述的低噪声放大电路,其特征在于,所述第二偏置单元为直流偏置芯片;所述直流偏置芯片包括多组对应设置的栅极偏置引脚和漏极偏置引脚;其中,所述漏极偏置引脚为所述晶体管放大器的漏极提供正电压、所述栅极偏置引脚为所述晶体管放大器的栅极提供负电压;以及还包括为所述第一偏置单元提供电压的正电压输出端和负电压输出端。5.根据权利要求4所述的低噪声放大电路,其特征在于,所述低噪声放大电路中包括三级级联的第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器。6.根据权利要求5所述的低噪声放大电路,其特征在于,对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器分别进行...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈家诚范丛明姚建可丁庆
申请(专利权)人:深圳市华讯方舟卫星通信有限公司华讯方舟科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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