【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种LED芯片的
,特别是指一种免焊线正装LTD芯片。
技术介绍
目前,常见的LED灯丝内部的芯片有两种,一种是正装芯片,另一种是倒装芯片。正装芯片电极在上方,从上至下材料为:P电极,发光层,N电极,衬底。现有正装LED芯片需要进行金线焊接制程,其成本高,且制程会因封装的热胀冷缩导致金线易虚焊断路,金线遮光发光亮度较低,同时由于金线的焊点较小,会使导热性较差。为了提高芯片的发光效率,技术人员研发了倒装芯片。倒装芯片的衬底被剥去,芯片材料是透明的,使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出。倒装芯片虽然在发光效率上存在优势,但倒装芯片的价格较高,制备LED灯丝的工艺也更复杂,造成生产成本的大幅上升。目前,市面上一些已有的正装倒置芯片的LED,其需要先在线路及芯片电极进行锡膏点焊后抛光,同时由于芯片电极面小,如此点焊制程良率均匀性不高,且在贴附时,很容易发生锡膏与电极点未接触的情况,导致芯片与电路之间无法导通,进而导致LED芯片出现次品,依然使生产成本难以降低,另外该制程较为耗时,不利大量生产。有鉴于此,本设计人针对上述LED芯片设计上未臻完善所导致的诸多缺失及不便,而深入构思,且积极研究改良试做而开发设计出本技术。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种导热性好,封装成本较低,可利于快速大量化生产的免焊线正装LED芯片。为了达成上述目的,本技术的解决方案是:一种免焊线正装LED芯片,其包括设于底部的蓝宝石线路基板、N电子层、P电子层、及保护层,所述N电子层设于蓝宝石线路基板上方,该N电子层具有高端及低端,所述P电子层设于该N电子层的高端上,该P电子层 ...
【技术保护点】
一种免焊线正装LED芯片,其特征在于,包括:设于底部的蓝宝石线路基板、N电子层、P电子层、及保护层,所述N电子层设于线路该基板上方,该N电子层具有高端及低端,所述P电子层设于该N电子层的高端上,该P电子层上设有P电极,N电子层的低端上设有N电极,所述保护层包覆在P电极及N电极的外侧,所述P电极及所述N电极的面积分别占该LED芯片光罩面积的1/8‑1/3。
【技术特征摘要】
1.一种免焊线正装LED芯片,其特征在于,包括:设于底部的蓝宝石线路基板、N电子层、P电子层、及保护层,所述N电子层设于线路该基板上方,该N电子层具有高端及低端,所述P电子层设于该N电子层的高端上,该P电子层上设有P电极,N电子层的低端上设有N电极,所述保护层包覆在P电极及N电极的外侧,所述P电极及所述N电极的面积分别占该LE...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑敏,
申请(专利权)人:厦门忠信达工贸有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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