LED灯制造技术

本实用新型专利技术公开一种LED灯，所述LED灯的LED芯片上覆盖有第一清胶层A；所述第一清胶层A的上覆盖有第一荧光粉层B。与现有技术相比，本实用新型专利技术的LED灯具有出光效率高、出光均匀、出光颜色一致性高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED灯，具体涉及LED灯的封装。
技术介绍
为了缩小封装体积、改善散热问题、提高均匀度以及提升晶片可靠度，而业界已将CSP技术传统定义为封装体积与LED晶片相同，或是体积不大于LED晶片20％，且功能完整的封装元件,目前体积最小的CSP产品正是倒装芯片(Flip-Chip)的封装元件。以目前封装制程来看，高功率封装以薄膜(thinfilm)晶片为基础，再将晶片贴合到陶瓷基板上，再进行荧光粉涂布，进而形成白光，而中低功率封装则多以水平晶片为基础，使用导线架并且需要打线制程，或是采方形扁平无引脚(QFN)封装型态，再喷涂荧光粉的方式进行。如图1所示，通常有以下三种加工方式：(1)预制荧光膜2＇，将荧光膜2＇粘贴到芯片1＇上，然后在荧光膜2＇之上覆盖透明硅胶层3＇(如图1A所示)；(2)直接在芯片1＇上喷涂荧光粉硅胶2＂(如图1B所示)；(3)保护材料5＇封装在芯片1＇的外周，然后荧光膜2＇覆盖在芯片1＇的上表面(如图1C所示)。相比之下，由于方式(1)和方式(2)制备出的CSP白光芯片1＇呈五面出光，因此发光效率较高，方式(3)中芯片1＇的周围包裹有保护材料5＇，仅有一面出光，因此发光效率较方式(1)和方式(2)低，但是方式(3)中的发光膜厚度较方式(1)和方式(2)中的均匀，进而方式(1)和方式(2)出光易出现色差，难以满足市场的需求。
技术实现思路
为了克服现有LED灯出光效率不高、出光不均匀等问题，本技术一方面提供一种LED灯，该LED灯的LED芯片上覆盖有第一清胶层A；所述第一清胶层A的上覆盖有第一荧光粉层B。根据本技术的一实施方式，所述第一荧光粉层B上还可以覆盖有第二清胶层C。所述第二清胶层C上还可以覆盖有第二荧光粉层D。根据本技术的另一实施方式，为了出光均匀，所述第一清胶层A全覆盖所述LED芯片或者局部覆盖所述LED芯片。根据本技术的另一实施方式，所述第一荧光粉层B可以是多层。所述第二荧光粉层D也可以是多层。根据本技术的另一实施方式，所述第一清胶层A的邻近所述第一荧光粉层B的表面可以是光滑的，也可以呈锯齿状或波浪状。所述第二清胶层C的邻近所述第二荧光粉层D的表面也可以呈锯齿状或波浪状。所述第一荧光粉层B远离所述第一清胶层A的表面是光滑。所述第一清胶层A和所述第二清胶层C的表面呈锯齿状或波浪状是为了更有利于出光效率及出光均匀。根据本技术的另一实施方式，所述第一清胶层A的折射率大于所述第一荧光粉层B的折射率。所述第一清胶层A、所述第一荧光粉层B、所述第二清胶层C和所述第二荧光粉层D的折射率逐渐减小。所述第一清胶层A、所述第一荧光粉层B、所述第二清胶层C和所述第二荧光粉层D中含有光扩散及扩散粒子有利于提高出光效率。本技术的另一方面提供一种LED灯的封装方法，包括如下步骤：先在所述LED灯的LED芯片上覆盖一层第一清胶层A；以及在所述第一清胶层A的外层覆盖第一荧光粉层B。根据本技术的一实施方式，在所述第一清胶层A的外层覆盖第一荧光粉层B步骤之后，在所述第一荧光粉层B上覆盖第二清胶层C。根据本技术的另一实施方式，在所述第一荧光粉层B上覆盖第二清胶层C步骤之后，在所述第二清胶层C上覆盖第二荧光粉层D。根据本技术的另一实施方式，所述第一清胶层A、所述第一荧光粉层B、所述第二清胶层C和所述第二荧光粉层D可以通过点胶、压膜或喷涂形成。当第一清胶层A和B和第一荧光粉层B和B外表面光滑时可以采用以上三种方式，当清胶层和荧光粉层外表面有一定形状时，不能采用点胶方式，可以采用压膜或喷涂方式。本技术的LED灯在芯片之上覆盖硅胶，然后再均匀覆盖荧光粉层，由此可以实现光效高、出光均匀的白光。与现有技术相比，本技术的LED灯具有出光效率高、出光均匀、出光颜色一致性高的特点。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式，本技术的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1A-图1C是现有LED灯封装结构示意图；图2是实施例1-3的LED灯封装结构示意图；图3是实施例4-5的LED灯封装结构示意图；以及图4是实施例6的LED灯封装结构示意图。其中，附图标记说明如下：1＇芯片；2＇荧光膜；2＂荧光粉硅胶；3＇透明硅胶层；5＇保护材料；1芯片；2第一清胶层A；3第一荧光粉层B；4第二清胶层C。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。实施例1如图2所示，使用1033款倒装芯片1，利用点胶机在芯片1之上覆盖一层硅胶，形成第一清胶层A2，将覆盖有硅胶层的芯片1放置到烘箱中于150℃下烘烤3个小时后取出，待含第一清胶层A2的芯片1降至室温后再使用点胶机覆盖一层第一荧光粉层B3，然后将产品放置到烘箱中烘烤3小时，得到成品，样号分别为DJ-1、DJ-2、DJ-3、DJ-4、DJ-5。对比例1采用与实施例1相同的原材料，相同的制作工艺，制作不含清胶层的样品，作为对比样品BY-1。实施例1和对比例1的样品的测试结果如下表1：表1：实施例1和对比文件1的样品的测试结果由测试结果可知，对比例1的样品BY-1的光效低约5lm/W。实施例2如图2所示，使用1033款倒装芯片1，利用压膜机在芯片1之上覆盖一层硅胶，形成第一清胶层A2，再采用压膜机覆盖一层第一荧光粉层B3，然后将产品放置到烘箱中烘烤3小时，得到成品，样号分别为YM-1、YM-2、YM-3、YM-4、YM-5。对比例2采用与实施例2相同的原材料，相同的制作工艺，制作不含清胶层的样品，作为对比样品，样号为BY-2。实施例2和对比例2的样品的测试结果如下表2：表2：实施例2和对比例2的样品的测试结果由测试结果可知，对比例2的样品BY-2的光效低约6lm/W。实施例3如图2所示，使用1033款倒装芯片1，利用点胶机在芯片1之上覆盖一层硅胶，形成第一清胶层A2，将覆盖有硅胶层的芯片1放置到烘箱中于150℃下烘烤3个小时后取出，待含第一清胶层A3的芯片1降至室温后再使用喷粉机覆盖一层荧光粉层，然后将产品放置到烘箱中烘烤1小时，得到成品，样号分别为PF-1、PF-2、PF-3、PF-4、PF-5。对比例3采用与实施例3相同的原材料，相同的制作工艺，制作不含清胶层的样品，作为对比样品，样号为BY-3。实施例3和对比例3的样品的测试结果如下表3：表3：实施例3和对比例3的样品的测试结果由测试结果可知，对比例3的样品BY-3的光效低约8lm/W。实施例4如图3所示，使用1033款倒装芯片1，利用点胶机在芯片1之上覆盖一层硅胶，形成第一清胶层A2，将覆盖有硅胶层的芯片1放置到烘箱中于150℃下烘烤3个小时后取出，待含第一清胶层A2的芯片1降至室温后再使用点胶机覆盖一层第一荧光粉层B3，然后将产品放置到烘箱中烘烤3小时，待含荧光粉层芯片1降至室温后再使用点胶机覆盖一层第二清胶层C4，得到成品，样号分别为DJ-6、DJ-7、DJ-8、DJ-9本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED灯，其特征在于，所述LED灯的LED芯片上覆盖有第一清胶层A；所述第一清胶层A的上覆盖有第一荧光粉层B。

【技术特征摘要】
1.一种LED灯，其特征在于，所述LED灯的LED芯片上覆盖有第一清胶层A；所述第一清胶层A的上覆盖有第一荧光粉层B。2.根据权利要求1所述的LED灯，其特征在于，所述第一荧光粉层B上覆盖有第二清胶层C。3.根据权利要求2所述的LED灯，其特征在于，所述第二清胶层C上覆盖有第二荧光粉层D。4.根据权利要求1或2所述的LED灯，其特征在于，所述第一清胶层A全覆盖所述LED芯片或者局部覆盖所述LED芯片。5.根据权利要求1或2所述的LED灯，其特征在于，所述第一清胶层A的邻近所述第一荧光粉层B的表面是光滑的或者呈锯齿状或波浪状。6.根据权利要求1或2所述的LED灯，其特征在于，所述第一荧光粉层B是多层。7.根据权利要求1或2所述的LED灯，其特征在于，所述第一荧光粉层B远离所述第一清胶层A的表面是光滑的或者呈锯齿状或波浪状。8.根据权利要求3所述的LED灯，其特征在于，所述第二清胶层C的邻近所述第二荧光粉层D...

【专利技术属性】
技术研发人员：王森，黄德忠，
申请(专利权)人：四川新力光源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51