非正常失电应急处理电路制造技术

一种非正常失电应急处理电路，包括一个应急电源供应电路和一个掉电状态检测电路，应急电源供应电路包括电容器、二极管和三极管，所掉电状态检测电路包括三个电压检测芯片。本实用新型专利技术的工作原理是：应急电源供应电路为掉电后的应急处理所需要的动作提供电源，掉电状态检测电路判断掉电状态。三片电压检测芯片的组合，能够得到一组电压状态信号，通过不同的电路组合方式可以组成“与”和“或”的逻辑结论。本实用新型专利技术利用一个电容器、一个二极管和一个三极管组成的应急电源供应电路为后续处理电路供电，利用三片电压检测芯片的组合准确判断掉电状态，可快速有效判断汽车电子系统非正常失电。

【技术实现步骤摘要】

:本技术涉及电学领域，尤其涉及电子电路，特别是一种非正常失电应急处理电路。
技术介绍
：电子系统经常发生非预期的非正常失电，在汽车系统中，非正常失电影响电子设备的安全性。现有技术中，利用微处理来判断正常掉电或失电状态，能够处理复杂的逻辑判断，可区别是突然失电情况还是正常掉电，但是其AD采样时间过长，依赖于软件处理速度，不能满足快速响应要求；比如AD采样时间一般在80ms到100ms，不然很一般掉电过程会在10m内完成；容易触发误动作，微处理器耗电较大，从另一方面减少了失电时的处理时间。另外，还在主电源上用大电容来维持失电后的电量供应，其优点是能够在短时间内保持整个系统正常工作；但是，效果有限。在1A的负载电流下，从10V跌落倒5V，1mF的电容也只能维持5ms；成本过高。对于容量特别大的电容比如470uF以上的电容，价格是呈指数上升的，容量越大的电容的体积也越来越大。不适合当前越来越小型化的设计。在突然的非预期失电的情况下，电子可进行比较简单的应急处理动作，这些应急处理动作仍需要失电前状态的某些标志位信息作为处理的依据，主动元件的寄存器在失电后就失去了能量供应，不能工作；读取非易失存储器，比如EEPROM等，耗电较大，达数mA，并且还需要支持I2C或SPI协议的芯片读取，这个级别的芯片耗电大，价格也较贵。所以不适用于应急处理的情况；突然失电时间很短，响应速度不够；因此，难以进行可靠的应急处理动作。
技术实现思路
：本技术的目的在于提供一种非正常失电应急处理电路，所述的这种非正常失电应急处理电路要解决现有技术中难以快速有效判断汽车电子系统非正常失电的技术问题。本技术的这种非正常失电应急处理电路包括一个应急电源供应电路和一个掉电状态检测电路，其中，所述的应急电源供应电路包括一个电容器、一个二极管和一个三极管，所述的二极管的正极与一个电源的正极连接，所述的二极管的负极与所述的电容器的一端连接，所述的电容器的另一端接地，二极管的负极又与所述的三极管的集电极连接，所述的三极管的发射极接地，所述的三极管的基极与一个微处理器的信号端连接，二极管的负极又与一个后续处理电路的电源端连接，所述的掉电状态检测电路包括一个第一电压检测芯片、一个第二电压检测芯片和一个第三电压检测芯片，所述的第一电压检测芯片的一端与所述的电源的正极连接，所述的第一电压检测芯片另有一端接地，第一电压检测芯片包括有一个第一开关电路，所述的第一开关电路的一端串联一个电阻器后与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与一个场效应晶体管的栅极连接，所述的场效应晶体管的栅极串联一个电阻器后接地，所述的场效应晶体管的源极和漏极各自与所述的后续处理电路的两个电源端连接，第一开关电路的另一端接地，所述的第二电压检测芯片的一端与一个第一电压元件的正极连接，所述的第一电压元件的负极接地，所述的第二电压检测芯片另有一端接地，第二电压检测芯片包括有一个第二开关电路，所述的第二开关电路的一端串联一个电阻器后与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与所述的场效应晶体管的栅极连接，第二开关电路的另一端接地，所述的第三电压检测芯片的一端与一个第二电压元件的正极连接，所述的第二电压元件的负极接地，所述的第三电压检测芯片另有一端接地，第三电压检测芯片包括有一个第三开关电路，所述的第三开关电路的一端与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与所述的场效应晶体管的栅极连接，第三开关电路的另一端接地。进一步的，所述的第三开关电路的一端串联一个电阻器后与所述的后续处理电路的电源端连接。进一步的，所述的第三开关电路的一端与第二开关电路的一端连接。本技术的工作原理是：应急电源供应电路为掉电后的应急处理所需要的动作提供电源，掉电状态检测电路判断掉电状态。由于技术针对失电状态判断，需要区别是非正常失电还是正常掉电，因此需要根据多个电压信号的状态的组合才能判断。其次，在判断电压时，特别是对于低压信号，比如5V，3V系统而言，普通齐纳管动辄数伏的精度无法满足需求。三片电压检测芯片的组合，能够得到一组电压状态信号，通过不同的电路组合方式可以组成“与”和“或”的逻辑结论。系统内的稳压电源，通过二极管隔离后，专门为电容器充电。由于在失电后，微处理器以及整个原有电源都会关闭，仅有应急部分的电路会启动工作，所以后续动作的耗电会很小，用比较小电容即能支持足够的时间。三极管是电容器的放电回路，在正常掉电的情况下，通过三极管给电容器放电。对三极管的控制还同时作为启动和关闭失电应急处理功能的使能。本技术与现有技术相对比，其效果是积极和明显的。本技术利用一个电容器、一个二极管和一个三极管组成的应急电源供应电路为后续处理电路供电，利用三片电压检测芯片的组合准确判断掉电状态，可快速有效判断汽车电子系统非正常失电。附图说明：图1是本技术的非正常失电应急处理电路的一个实施例的原理图。图2是本技术的非正常失电应急处理电路的另一个实施例的原理图。具体实施方式：实施例1：如图1所示，本技术的非正常失电应急处理电路包括一个应急电源供应电路和一个掉电状态检测电路，其中，所述的应急电源供应电路包括一个电容器C1、一个二极管D4和一个三极管T2，所述的二极管D4的正极与一个电源Powersupply的正极连接，所述的二极管D4的负极与所述的电容器C1的一端连接，所述的电容器C1的另一端接地，二极管D4的负极又与所述的三极管T2的集电极连接，所述的三极管T2的发射极接地，所述的三极管T2的基极经过一个电阻器R6和一个开关SW后与一个微处理器MCU的信号端连接，二极管D4的负极又与一个后续处理电路的电源VBU连接，所述的掉电状态检测电路包括一个第一电压检测芯片SW10、一个第二电压检测芯片SW20和一个第三电压检测芯片SW30，所述的第一电压检测芯片SW10的一端与所述的电源Powersupply的正极连接，所述的第一电压检测芯片SW10另有一端接地，第一电压检测芯片SW10包括有一个第一开关电路，所述的第一开关电路的一端串联一个电阻器R7后与所述的后续处理电路的电源VBU连接、同时经过一个二极管D1后与一个场效应晶体管T1的栅极连接，所述的场效应晶体管T1的栅极串联一个电阻器R4后接地，所述的场效应晶体管T1的源极和漏极各自与所述的后续处理电路的电源VBU和VBU1连接，第一开关电路的另一端接地，所述的第二电压检测芯片SW20的一端与一个第一电压元件VG1的正极连接，所述的第一电压元件VG1的负极接地，所述的第二电压检测芯片SW20另有一端接地，第二电压检测芯片SW20包括有一个第二开关电路，所述的第二开关电路的一端串联一个电阻器R8后与所述的后续处理电路的电源VBU连接、同时经过一个二极管D2后与所述的场效应晶体管T1的栅极连接，第二开关电路的另一端接地，所述的第三电压检测芯片SW30的一端与一个第二电压元件VG2的正极连接，所述的第二电压元件VG2的负极接地，所述的第三电压检测芯片SW30另有一端接地，第三电压检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非正常失电应急处理电路，包括一个应急电源供应电路和一个掉电状态检测电路，其特征在于:所述的应急电源供应电路包括一个电容器、一个二极管和一个三极管，所述的二极管的正极与一个电源的正极连接，所述的二极管的负极与所述的电容器的一端连接，所述的电容器的另一端接地，二极管的负极又与所述的三极管的集电极连接，所述的三极管的发射极接地， 所述的三极管的基极与一个微处理器的信号端连接，二极管的负极又与一个后续处理电路的电源端连接，所述的掉电状态检测电路包括一个第一电压检测芯片、一个第二电压检测芯片和一个第三电压检测芯片，所述的第一电压检测芯片的一端与所述的电源的正极连接，所述的第一电压检测芯片另有一端接地，第一电压检测芯片包括有一个第一开关电路，所述的第一开关电路的一端串联一个电阻器后与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与一个场效应晶体管的栅极连接，所述的场效应晶体管的栅极串联一个电阻器后接地，所述的场效应晶体管的源极和漏极各自与所述的后续处理电路的两个电源端连接，第一开关电路的另一端接地，所述的第二电压检测芯片的一端与一个第一电压元件的正极连接，所述的第一电压元件的负极接地，所述的第二电压检测芯片另有一端接地，第二电压检测芯片包括有一个第二开关电路，所述的第二开关电路的一端串联一个电阻器后与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与所述的场效应晶体管的栅极连接，第二开关电路的另一端接地，所述的第三电压检测芯片的一端与一个第二电压元件的正极连接，所述的第二电压元件的负极接地，所述的第三电压检测芯片另有一端接地，第三电压检测芯片包括有一个第三开关电路，所述的第三开关电路的一端与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与所述的场效应晶体管的栅极连接，第三开关电路的另一端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种非正常失电应急处理电路，包括一个应急电源供应电路和一个掉电状态检测电路，其特征在于:所述的应急电源供应电路包括一个电容器、一个二极管和一个三极管，所述的二极管的正极与一个电源的正极连接，所述的二极管的负极与所述的电容器的一端连接，所述的电容器的另一端接地，二极管的负极又与所述的三极管的集电极连接，所述的三极管的发射极接地，所述的三极管的基极与一个微处理器的信号端连接，二极管的负极又与一个后续处理电路的电源端连接，所述的掉电状态检测电路包括一个第一电压检测芯片、一个第二电压检测芯片和一个第三电压检测芯片，所述的第一电压检测芯片的一端与所述的电源的正极连接，所述的第一电压检测芯片另有一端接地，第一电压检测芯片包括有一个第一开关电路，所述的第一开关电路的一端串联一个电阻器后与所述的后续处理电路的电源端连接、同时经过一个二极管后与一个场效应晶体管的栅极连接，所述的场效应晶体管的栅极串联一个电阻器后接地，所述的场效应晶体管的源极和漏极各自与所述的后续处理电路的两个电源端连接，第一开关电路的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱凌，
申请(专利权)人：延锋伟世通电子科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31