阵列基板、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

技术编号:15132202 阅读:121 留言:0更新日期:2017-04-10 14:03
一种阵列基板、显示面板以及显示装置,该阵列基板包括设置在衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个子像素;子像素内设置相互绝缘的第一电极和第二电极,第一电极包括多个第一电极条,第二电极包括多个第二电极条;多个第一电极条和多个第二电极条在衬底基板上的投影中,其中一个第二电极条的投影和与其在第一方向上相邻的第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S1;该第二电极条的投影和与其在与第一方向相反的方向上相邻的第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S2;多个子像素包括第一畴和第二畴,第一畴包括S1大于S2的部分,第二畴包括S1小于S2的部分。该阵列基板对关键尺寸偏差和重叠余量等工艺偏差的容忍度提高。

【技术实现步骤摘要】

本技术至少一实施例涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置
技术介绍
随着液晶显示技术的发展,薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)广泛地应用在各个领域。TFT-LCD中,通过控制液晶分子的偏转,从而实现对光线强弱的控制,然后通过彩膜层的滤光作用,实现彩色图像显示。通常,TFT-LCD以及其他电子产品具有多层结构。在制造过程中,构成多层结构的每一层一般采用沉积工艺或溅射工艺形成,然后在其上形成光刻胶,利用掩模版对光刻胶进行图案化,再以图案化的光刻胶为掩膜进行刻蚀得到图案化的膜层。在半导体器件中由于衬底基板上的半导体器件的各层的图案尺寸和图案密度不同而存在着某些工艺偏差。TFT-LCD包括面内开关(In-PlaneSwitching,IPS)模式和高级超维场(Advanced-SuperDimensionalSwitching,ADS)模式。在IPS模式和ADS中,通过像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场,使液晶盒内像素电极和公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换。
技术实现思路
本技术至少一实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置。该阵列基板通过对液晶模式的像素电极和公共电极及其排列进行改善,使得对关键尺寸偏差(CDbias)和重叠余量(overlaymargin)等工艺偏差的容忍度提高,从而可实现显示亮度的均一性。本技术至少一实施例提供一种阵列基板,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个子像素;所述子像素内设置相互绝缘的第一电极和第二电极,所述第一电极包括多个第一电极条,所述第二电极包括多个第二电极条,所述多个第一电极条之间电连接,所述多个第二电极条之间电连接;所述多个第一电极条和所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影中,其中一个所述第二电极条的投影和与其在第一方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S1;所述第二电极条的投影和与其在所述第一方向的相反方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S2,所述第一方向为沿所述数据线的一个延伸方向,或者,所述第一方向为沿所述栅线的一个延伸方向;所述多个子像素包括第一畴和第二畴,所述第一畴和所述第二畴位于同一子像素中或位于不同的子像素中,所述第一畴包括S1大于S2的部分,所述第二畴包括S1小于S2的部分。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一畴中所述第一电极条和所述第二电极条的延伸方向相同,所述第二畴中所述第一电极条和所述第二电极条的延伸方向相同,所述第一畴和所述第二畴中的电极条的延伸方向相同或不同。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一畴的电极条的延伸方向和所述第二畴的电极条的延伸方向的夹角大于等于零度且小于90度。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一畴还包括S1小于S2的部分,所述第二畴还包括S1大于S2的部分。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一畴和所述第二畴位于同一子像素中,所述子像素还包括与所述第一畴呈镜像对称的第三畴以及与所述第二畴呈镜像对称的第四畴。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一畴和所述第二畴位于不同的子像素中,所述第一畴位于第一子像素中,所述第二畴位于第二子像素中,所述阵列基板还包括与所述第一子像素呈镜像对称的第三子像素和与所述第二子像素呈镜像对称的第四子像素。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一畴和所述第二畴中,所述S1大于S2的部分的面积等于所述S1小于S2的部分的面积。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,0.03≤|S1-S2|/|S1+S2|≤0.3。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,0.4μm≤|S1-S2|≤0.6μm。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极,或者,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一电极和所述第二电极异层设置或者同层设置。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述第一电极和所述第二电极均为透明导电电极。例如,在本技术一实施例提供的阵列基板中,所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影和所述多个第一电极条在所述衬底基板上的投影间隔且交替地排列。本技术至少一实施例还提供一种显示面板,包括上述任一阵列基板。本技术至少一实施例还提供一种显示装置,包括上述任一显示面板。有益效果:本技术至少一实施例提供的阵列基板通过对第一电极和第二电极(像素电极和公共电极)及其排布的设计,在存在工艺偏差的情况下,通过第一畴和第二畴的光透光率的补偿,使得通过相邻的子像素或一个子像素内不同区域的光可以通过相互补偿来达到光强均一的效果,从而使采用该阵列基板的整个显示面板的子像素的光通过率均匀,提高产品质量和画面品质。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例,而非对本技术的限制。图1a为一种阵列基板的平面示意图;图1b为图1a中虚线框A所示区域示意图;图1c为图1b中沿B-B’向剖面示意图;图1d为图1b中沿C-C’向剖面示意图;图2为本技术实施例一提供的一种阵列基板的平面示意图;图3为图2中沿B-B’向的剖面示意图;图4为图2中沿C-C’向的剖面示意图;图5为本技术实施例一提供的一种阵列基板的电极关键尺寸偏差与液晶效率的关系示意图;图6为本技术实施例一提供的一种阵列基板的电极偏移偏差与液晶效率的关系示意图;图7为本技术实施例一提供的另一种阵列基板的平面示意图;图8为本技术实施例二提供的一种阵列基板的平面示意图;图9为本技术实施例二提供的另一种阵列基板的平面示意图;图10为本技术实施例二提供的另一种阵列基板的平面示意图;图11为一种阵列基板剖面示意图。附图标记:101-衬底基板;102-栅线;103-过孔;104-薄膜晶体管;1041-栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个子像素;其特征在于,所述子像素内设置相互绝缘的第一电极和第二电极,所述第一电极包括多个第一电极条,所述第二电极包括多个第二电极条,所述多个第一电极条之间电连接,所述多个第二电极条之间电连接;所述多个第一电极条和所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影中,其中一个所述第二电极条的投影和与其在第一方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S1;所述第二电极条的投影和与其在所述第一方向的相反方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第一方向上的距离为S2,所述第一方向为沿所述数据线的一个延伸方向,或者,所述第一方向为沿所述栅线的一个延伸方向;所述多个子像素包括第一畴和第二畴,所述第一畴和所述第二畴位于同一子像素中或位于不同的子像素中,所述第一畴包括S1大于S2的部分,所述第二畴包括S1小于S2的部分。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多条栅线、
多条数据线和多个子像素;其特征在于,
所述子像素内设置相互绝缘的第一电极和第二电极,所述第一电极包括
多个第一电极条,所述第二电极包括多个第二电极条,所述多个第一电极条
之间电连接,所述多个第二电极条之间电连接;
所述多个第一电极条和所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影
中,其中一个所述第二电极条的投影和与其在第一方向上相邻的所述第一电
极条的投影在平行于第一方向上的距离为S1;所述第二电极条的投影和与
其在所述第一方向的相反方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第
一方向上的距离为S2,所述第一方向为沿所述数据线的一个延伸方向,或
者,所述第一方向为沿所述栅线的一个延伸方向;
所述多个子像素包括第一畴和第二畴,所述第一畴和所述第二畴位于同
一子像素中或位于不同的子像素中,所述第一畴包括S1大于S2的部分,所
述第二畴包括S1小于S2的部分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一畴中所述
第一电极条和所述第二电极条的延伸方向相同,所述第二畴中所述第一电极
条和所述第二电极条的延伸方向相同,所述第一畴和所述第二畴中的电极条
的延伸方向相同或不同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一畴的电极
条的延伸方向和所述第二畴的电极条的延伸方向的夹角大于等于零度且小
于等于90度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一畴还包括
S1小于S2的部分,所述第二畴还包括S1大于S2的部分。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一
畴和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:李会林允植崔贤植彭宽军贾玉娥张慧
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1