一种点触使能的控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种点触使能的控制电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1和开关J2；电阻R1、电阻R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；MOS管Q1的栅极通过开关J2连接至电容C1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q1的漏极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q1的源极接地；MOS管Q2的栅极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q2的漏极通过电阻R3连接至电源V1的正极，MOS管Q2的源极接地；MOS管Q4的栅极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q4的栅极还通过电阻R4与MOS管Q1的栅极连接；MOS管Q4的源极连接至电源V1的正极，MOS管Q4的漏极用于连接外部的用电设备。本实用新型专利技术摆脱了芯片的束缚，借由简单的几个元器件即可控制回路的长时间通断，功耗低。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于点触开关
，更具体地，涉及一种点触使能的控制电路。
技术介绍
现今市面所售产品中，以单键点触作为开关的设置无一例外都涉及到了芯片，运作原理是芯片长时间供电，待机，借由薄膜点触给予一个电平脉冲信号，芯片的控制引脚打开，当薄膜点触再次给予一个电平脉冲信号时，芯片控制引脚关闭，继续待机。现今市面所售产品中，需要使用点触作为开关的设计都使用到了芯片，使用芯片固然方便，不过故障后维修不易，成本略高，且芯片一直处于工作状态，持续耗电，而且容易受外界诸如静电之类的干扰。现有技术对电压兼容范围不宽，而且芯片的运行需要控制在一定的电压范围之内
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本技术提供了一种点触使能的控制电路，其目的在于无需芯片即可实现点触开关的持续导通与关断的功能。为实现上述目的，按照本技术的一个方面，提供了一种点触使能的控制电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1和开关J2；所述电阻R1、电阻R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；所述MOS管Q1的栅极通过开关J2连接至电容C1与电阻R2的串联连接端，所述MOS管Q1的漏极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，所述MOS管Q1的源极接地；所述MOS管Q2的栅极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，所述MOS管Q2的漏极通过电阻R3连接至电源V1的正极，所述MOS管Q2的源极接地；所述MOS管Q4的栅极与所述MOS管Q2的漏极连接，且所述MOS管Q4的栅极还通过所述电阻R4与所述MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q4的源极连接至所述电源V1的正极，所述MOS管Q4的漏极用于连接外部的用电设备。更进一步地，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均为NMOS管。更进一步地，所述MOS管Q4为PMOS管。更进一步地，所述电源V1为12V电源。本技术摆脱了芯片的束缚，借由简单的几个元器件即可控制回路的长时间通断，功耗低。实现了低成本转换，并且使用效果良好；同时，本实用新型结构简单，抗干扰能力强。附图说明图1是本技术提供的点触使能的控制电路的具体电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。本技术首次应用在瑞巴斯小型BMS控制板电池产品上。旨在以最简单的薄膜开关实现开启与关闭电池的使用。点触薄膜开关，又叫按键开关，使用时以满足操作力的条件向开关操作方向施压，开关功能则闭合接通，当撤销压力时开关即断开，其内部结构是靠金属弹片受力变化来实现通断的。表现为外界形式为按一下即导通一下，松手则断开。该技术主要解决了无需芯片即可实现点触开关的持续导通与关断的功能。如图1所示，本技术提供的点触使能的控制电路包括：MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1和开关J2；其中，电阻R1、电阻R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；MOS管Q1的栅极通过开关J2连接至电容C1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q1的漏极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q1的源极接地；MOS管Q2的栅极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，MOS管Q2的漏极通过电阻R3连接至电源V1的正极，MOS管Q2的源极接地；MOS管Q4的栅极与MOS管Q2的漏极连接，且MOS管Q4的栅极还通过电阻R4与MOS管Q1的栅极连接；MOS管Q4的源极连接至电源V1的正极，MOS管Q4的漏极用于连接外部的用电设备。本技术提供的点触使能的控制电路的工作原理如下：(1)供电为12V系统，当电路接通时点触开关J2先是断开的，端点8无电压，Q1截止。由于R1电阻的上拉作用所以端点3的电压为12V高电平，而且端点3持续快速通过电阻R2给电容C1充电，C1电容两端电压也在短时间内上升到12V高电平(即端点7为高电平)。(2)由于端点3为12V高电平，于是Q2的NMOS管被打开，端点9被强制下拉为0V低电平，Q4-PMOS管导通，而且一直保持这样的状态不变。此时电路长时间对外用电设备有输出12V稳定的电压。(3)当J2被按下的一瞬间，由于之前的C1电容的两端被充满，端点7为12V高电平，这个高电压就会顺着开关导到端点8，Q1的NMOS管打开，端点3被强制下拉到地，电平为0V。Q2的G极(即端点3)电平此时被下拉为0V，则Q2-NMOS管截止。端点9根据电阻R3的上拉作用此时电平为12V高，Q4-PMOS管截止，而且一直保持这样的状态不变。此时电路长时间对外无输出。(4)根据上面步骤(3)，端点3被强制下拉到地，电平为0V，电容两端放电完毕，端点7也为0V，端点8此时持续保持高电平，点触开关此时为断开的。当点触开关再次被按下的时候，端点7与端点8导通，端点8电平被下拉，引起了Q1的截止。Q1的截止会使得端点3重新被电阻R1上拉为高电平，根据步骤(2)的运作推导，Q4的PMOS管又会被打开。(5)循环往复，点触按钮开关每被按下一次，端点9的电平都会反转一次，也借由此控制Q4-PMOS管的导通与截止，达到我们的设计目的。根据点触开关的通断来引起MOS管G极的电平来回反转并保持，从而促使总开关的持续导通或关闭。本技术摆脱了芯片的束缚，借由简单的几个元器件即可控制回路的长时间通断，功耗低。实现了低成本转换，并且使用效果良好；同时，本实用新型结构简单，抗干扰能力强。使用原始元件数量仅8个，无需使用芯片，成本低。反应迅速且适用范围广。在本技术中，MOS管Q1和MOS管Q2均可以为NMOS管，具体可以采用型号为D4184的NMOS管。MOS管Q4可以为PMOS管。而且本实用新型使用的是MOS管器件，成本低廉，质量可靠。同时，由于使用MOS管作为最终开关器件，控制电流能力强；使用MOS管实现这样的双稳态电路，操作精准，控制范围之内不会出现误动作。本技术由MOS管与个别元器件直接组成双稳态电路，无需匹配，即拿即用，方便量产。简单易行，浅显易懂，成本低，元器件少，结构合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种点触使能的控制电路，其特征在于，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1和开关J2；所述电阻R1、电阻R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；所述MOS管Q1的栅极通过开关J2连接至电容C1与电阻R2的串联连接端，所述MOS管Q1的漏极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，所述MOS管Q1的源极接地；所述MOS管Q2的栅极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，所述MOS管Q2的漏极通过电阻R3连接至电源V1的正极，所述MOS管Q2的源极接地；所述MOS管Q4的栅极与所述MOS管Q2的漏极连接，且所述MOS管Q4的栅极还通过所述电阻R4与所述MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q4的源极连接至所述电源V1的正极，所述MOS管Q4的漏极用于连接外部的用电设备。

【技术特征摘要】
1.一种点触使能的控制电路，其特征在于，包括MOS管Q1、MOS管Q2、
MOS管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1和开关J2；
所述电阻R1、电阻R2和电容C1依次串联连接在电源V1的正、负极之间；
所述MOS管Q1的栅极通过开关J2连接至电容C1与电阻R2的串联连接
端，所述MOS管Q1的漏极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，所述MOS
管Q1的源极接地；
所述MOS管Q2的栅极连接至电阻R1与电阻R2的串联连接端，所述MOS
管Q2的漏极通过电阻R3连接至电源V1的正极，所述MOS管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁柱，
申请(专利权)人：深圳市沃特玛电池有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44