多层配线基板的制造方法技术

技术编号:15127929 阅读:158 留言:0更新日期:2017-04-10 06:49
一种多层配线基板的制造方法,其具有:工序(1),使用敷形法或直接激光法,设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔;以及工序(2),通过在所述通孔用孔内形成填充电镀层来形成通孔,所述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行:在所述填充电镀层堵住所述通孔用孔的开口部之前将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化反复进行两次以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多层配线基板的制造方法,尤其涉及使用填充电镀液来形成层间连接的多层配线基板的制造方法。
技术介绍
以往采用如下多层配线基板的制造方法:在形成有配线的内层材料上,将半固化片或树脂膜和其上层的金属箔层叠一体化,利用激光设置通孔用孔,形成基底无电解镀层后,通过采用填充电镀液形成的电镀层(以下,有时简称为“填充电镀层”。)来填埋上述通孔用孔。此外,以往还制造了不填埋通孔用孔的多层配线基板,对于孔径(通孔用孔的开口径)与绝缘层厚度(通孔用孔的深度)相比为大于或等于1.2倍左右之大、即纵横比小于或等于0.8左右的通孔,要求以较少的镀层厚度进行层间连接而制造多层配线基板。作为制造不填埋通孔用孔的多层配线基板的方法,使用如下方法:在内层配线上层叠绝缘树脂和金属箔,通过激光打孔机打出非贯通孔,进行无电解镀铜和一般的电镀铜(不是填充电镀的电镀铜)(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-182273号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题通过利用敷形法、直接激光法的激光加工而形成的通孔用孔中,在作为激光加工入口的通孔用孔的开口部产生金属箔的突出,而由于该金属箔的突出,使得通孔用孔的截面形状中,开口部有时甚至变得比内部或底部窄。对于这样的通孔用孔,利用以往的一般的电镀铜来进行不填埋通孔用孔的电镀铜时,有如下问题:由于向通孔用孔的内部的分散能力(throwingpower)低,因此若要形成用于确保连接可靠性的厚度的电镀铜层,则在表面的金属箔上也会形成厚的电镀铜层,从而要对表面的金属箔和电镀铜层加在一起的厚度进行蚀刻,因此微细配线形成性差。此外,作为使表面的金属箔上的电镀铜层的厚度变薄的方法,可考虑优先在通孔用孔内形成镀层的、使用填充电镀的方法。然而,在使用填充电镀时,有如下问题:在开口部的金属箔的突出析出的填充电镀层会在通孔用孔的内部被填充电镀物填充之前堵住通孔用孔的开口部,成为产生镀层空洞的原因之一。此外,近年来,小型化、薄型化的要求越来越高,有通孔用孔的直径变得更小、绝缘层厚度变得更薄、纵横比变得更大的倾向,但也存在许多具有纵横比较小、无需由填充电镀物填充的通孔用孔(一般的通孔用孔)的多层配线基板。对这样的多层配线基板的通孔用孔进行电镀铜时,使用填充电镀设备进行作业便于减少使用设备,使工序简化。本专利技术鉴于上述问题而完成,其目的在于提供一种多层配线基板的制造方法,其在避免表面的金属箔上的电镀层变厚的同时抑制通孔用孔内的镀层空洞的产生,并且能够通过填充电镀设备来形成未被填充电镀物填充的一般通孔。用于解决课题的方法本专利技术涉及以下内容。1.一种多层配线基板的制造方法,其具有:工序(1),将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化,使用敷形法或直接激光法,在上述上层配线用金属箔和绝缘层中设置:从上述上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间;工序(2),在上述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后,形成填充电镀层,从而形成将上述上层配线用金属箔与内层配线连接的通孔;以及工序(3),对形成上述填充电镀层后的上层配线用金属箔进行配线形成,从而形成上层配线,上述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行:在上述填充电镀层堵住上述通孔用孔的开口部之前,将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化反复进行两次以上。2.根据项1中的多层配线基板的制造方法,通过将上述工序(2)中在填充电镀层堵住上述通孔用孔的开口部之前反复进行使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化,从而上述填充电镀层形成为追随通孔用孔的内壁和底面的形状。3.根据项1或2中的多层配线基板的制造方法,上述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机:形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出与上述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充,并且在形成镀层空洞之前。4.根据项1至3的任一项中的多层配线基板的制造方法,上述工序(2)中在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低时电流密度的降低率大于或等于即将使其降低之前的50%。5.根据项1至4的任一项中的多层配线基板的制造方法,上述工序(2)中在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加时的电流密度大于或等于上述即将使其暂时降低之前的电流密度。专利技术的效果根据本专利技术,能够提供一种多层配线基板的制造方法,其在避免表面的金属箔上的电镀层变厚的同时抑制通孔用孔内的镀层空洞的产生,并且能够通过填充电镀设备来形成未被填充电镀物填充的一般通孔。附图说明图1表示本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序(1)。图2表示本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序(2)。图3表示本专利技术的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序(3)。图4表示比较例的多层配线基板的制造方法的工序(2)。图5表示本专利技术的一个实施方式(实施例1)的多层配线基板的制造方法的填充电镀的电流密度。具体实施方式作为本专利技术的多层配线基板的制造方法,可举出如下多层配线基板的制造方法,其具有:工序(1),将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化,使用敷形法或直接激光法,在上述上层配线用金属箔和绝缘层中设置:从上述上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间;工序(2),在上述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后,形成填充电镀层,从而形成将上述上层配线用金属箔与内层配线连接的通孔;以及工序(3),对形成上述填充电镀层后的上层配线用金属箔进行配线形成,从而形成上层配线,上述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行:在上述填充电镀层堵住上述通孔用孔的开口部之前将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化反复进行两次以上。本专利技术的多层配线基板的制造方法中,在工序(1)中,使用敷形法或直接激光法来设置通孔用孔,因此在通孔用孔的开口部产生上层配线用金属箔的突出,在该上层配线用金属箔的突出与通孔用孔的内壁之间形成下方空间。上层本文档来自技高网...
多层配线基板的制造方法

【技术保护点】
一种多层配线基板的制造方法,具有:工序(1),将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化,使用敷形法或直接激光法,在所述上层配线用金属箔和绝缘层中设置:从所述上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间;工序(2),在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后,形成填充电镀层,从而形成将所述上层配线用金属箔与内层配线连接的通孔;以及工序(3),对形成所述填充电镀层后的上层配线用金属箔进行配线形成,从而形成上层配线,所述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行:在所述填充电镀层堵住所述通孔用孔的开口部之前,将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化反复进行2次以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.09 JP 2013-211871;2014.07.18 JP 2014-147751.一种多层配线基板的制造方法,具有:
工序(1),将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箔层叠一体化,使
用敷形法或直接激光法,在所述上层配线用金属箔和绝缘层中设置:从所述上层配线用金
属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以
及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间;
工序(2),在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后,形成填充
电镀层,从而形成将所述上层配线用金属箔与内层配线连接的通孔;以及
工序(3),对形成所述填充电镀层后的上层配线用金属箔进行配线形成,从而形成上层
配线,
所述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行:在所述填充电镀层堵住所述通孔用孔的
开口部之前,将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉田信之
申请(专利权)人:日立化成株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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