【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造领域,特别是涉及一种复合结构SiC芯片的激光分离方法。
技术介绍
应用SiC半导体的宽禁带和高温稳定性使得其在高温半导体器件方面有无可比拟的优势。采用SiC材料已制成了MESFET、MOSFET、JEFT、BJT等多种器件,他们的工作温度可达500℃以上,可提供在极端环境下的电子系统的使用。SiC是1-10GHZ范围的大功率微波放大器的理想材料,目前LED固体照明是SiC器件的主要应用领域,在航天宇航的应用领域SiC器件是不可取代,可以抵御太空强大的射线辐射,同时能够在强电磁干扰作用下正常工作。SiC本身这种材料十分坚硬,是一种非常难切割的材料。用砂轮切割必须选用主轴功率较大的设备,刀具的选择也非常有讲究,并且速度最大只能达到4mm/s,对于小芯片的效率极为低下,并且用砂轮切出的SiC芯片会形成一个V角,这样在后期封装的过程中会有一定尺寸风险。而用激光进行分离可以缩短切割速率,最高速率能够达到600mm/s,并且划片槽的尺寸相比砂轮缩短到原来的1/2。相同芯片尺寸下圆片上的数量可以提高30%-50%,从而降低成本。然而现有技术中的激光分离方法的生产效率较低,获得的良品率也不高。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的目的是提供一种良品率高、生产效率高的复合结构SiC芯片的激光分离方法。技术方案:为达到此目的,本专利技术采用以下技术方案:本专利技术所述的一种复合结 ...
【技术保护点】
一种复合结构SiC芯片的激光分离方法,其特征在于:包括如下的步骤:S1:在SiC外延片(103)上完成复合结构SiC圆片的制备;S2:测量复合结构SiC圆片切割道区域的厚度;S3:把复合结构SiC圆片贴在划片膜上,划片膜设于切割片架上;S4:测量复合结构SiC圆片切割道区域与划片膜的总厚度;S5:通过激光扫描在SiC外延片(103)背面的最底层金属(104)与SiC外延片(103)背面之间形成第一SD层;S6:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/4处形成第二SD层;S7:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/3处形成第三SD层;S8:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/2处形成第四SD层;S9:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面3/4处形成第五SD层;S10:通过激光扫描在SiC外延片(103)正面的最底层介质(102)与SiC外延片(103)正面之间形成第六SD层;S11:对全部扫描完后的复合结构SiC圆片进行裂片,形成复合结构SiC芯片 ...
【技术特征摘要】
1.一种复合结构SiC芯片的激光分离方法,其特征在于:包括如下的步骤:
S1:在SiC外延片(103)上完成复合结构SiC圆片的制备;
S2:测量复合结构SiC圆片切割道区域的厚度;
S3:把复合结构SiC圆片贴在划片膜上,划片膜设于切割片架上;
S4:测量复合结构SiC圆片切割道区域与划片膜的总厚度;
S5:通过激光扫描在SiC外延片(103)背面的最底层金属(104)与SiC外延
片(103)背面之间形成第一SD层;
S6:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/4
处形成第二SD层;
S7:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/3
处形成第三SD层;
S8:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面1/2
处形成第四SD层;
S9:通过激光扫描在SiC外延片(103)内部距离SiC外延片(103)背面3/4
处形成第五SD层;
S10:通过激光扫描在SiC外延片(103)正面的最底层介质(102)与SiC外
延片(103)正面之间形成第六SD层;
S11:对全部扫描完后的复合结构SiC圆片进行裂片,形成复合结构SiC芯片。
2.根据权利要求1所述的复合结构SiC芯片的激光分离方法,其特征在于:
所述划片膜为蓝膜或者UV膜。
3.根据权利要求1所述的复合结构SiC芯片的激光分离方法,其特征在于:
所述步骤S5中激光扫描的速度为100mm/s-400mm/s,激光功率衰减模组角度为
82°-105°,第一SD层与SiC外延片(103)正面之间的距离为300um-360um。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘昊,陈刚,柏松,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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