光电组件的生产制造技术

本发明专利技术涉及一种用于生产光电组件的方法。在所述方法中，多个光电半导体芯片被布置在载体上。进一步提供一种在光电半导体芯片的区域中的分离的模制化合物的共同压缩，允许分离的模制主体形成在光电半导体芯片的区域中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于生产光电组件的方法。
技术介绍
本专利申请要求德国专利申请102013220790.5的优先权，其公开内容被通过引用合并到此。光电组件可以包括用于生成光辐射的光电半导体芯片以及用于辐射转换的至少一种磷。（多种）磷可以将半导体芯片的光辐射的部分转换为一个或多个其它光辐射。以此方式，可以生成混合辐射，其色彩轨迹取决于已转换的辐射对于未转换的辐射的比率。在一种已知配置中，充当转换主体并且包括所述至少一种磷的平坦层被布置在半导体芯片上。在一种已知生产方法中，多个光电半导体芯片被布置在载体上。与半导体芯片分离地生产的多个转换层被布置在半导体芯片上。利用反射化合物灌封各半导体芯片之间的以及其周围的区块。这种布置可以随后被单独化。为了防止磷层的前侧在应用反射灌封化合物期间被湿化，力求包括陡峭前侧边沿的配置。考虑到表面张力，反射灌封化合物可能停止在这样的前边沿处。可以通过陶瓷开始层的单独化来生产包括这样的性质的磷层。然而，生产陶瓷磷层与高支出关联。进一步的要求是低色彩轨迹散射。为此目的，磷层在生产之后经经受测量以便检测转换性质，并且被分类。在布置在半导体芯片上之前，基于此而选择磷层，以便能够生产其光辐射包括预先限定的色彩轨迹的组件。该过程同样与高支出关联。
技术实现思路
本专利技术的目的是指定一种用于改进的光电组件的生产的方案。借助于如权利要求1中要求保护的方法来实现该目的。在从属权利要求中指定本专利技术的进一步有利的实施例。根据本专利技术的一个方面，提出一种用于生产光电组件的方法。所述方法涉及：在载体上布置多个光电半导体芯片。更进一步地提供：在所述光电半导体芯片的区块中共同压缩分离的模制化合物。以此方式，分离的模制主体被形成在所述光电半导体芯片的区块中。在所述方法中，分配给单独的半导体芯片的分离的模制主体被直接形成在所述半导体芯片的位置处。这是通过在每个半导体芯片的区块中提供对应的模制化合物并且联合地压缩所述模制化合物来做到的。可以由以此方式形成的所述模制主体来包封可以被设计用于生成光辐射的所述光电半导体芯片。可以在低支出的情况下执行所述方法。考虑到压缩所述模制化合物，出现在所述半导体芯片的区块中并且被布置在所述半导体芯片上的所述模制主体可以在前侧的区块中包括陡峭边沿。如果适当，则这证明关于随后执行的灌封处理是适宜的。通过压缩所述模制化合物所形成的所述模制主体可以包括在前侧的方向上至少部分地打开或加宽的形状。这样的形状促进反射器的生产。具有所述光电半导体芯片和模制主体的载体可以构成光电组件或封装。对于这样的布置而言还可能的是充当中间产品，并且用于要在后面执行的进一步的方法步骤。例如，考虑单独化处理。在此意义上，所述方法可以被用于联合地生产通过所述单独化而彼此分离的多个光电组件。可以以这样的方式来执行单独化：由此所形成的光电组件包括载体的部分、半导体芯片以及半导体芯片的区块中的关联的模制主体。对于通过单独化形成的光电组件而言还可能的是包括载体的部分以及多个光电半导体芯片和模制主体。以下更详细地描述所述方法的进一步的可能的实施例。可以考虑例如其中模制化合物是磷化合物的情况。通过压缩磷化合物所形成的模制主体可以因此是磷主体。在所述方法的该实施例中，分配给单独的半导体芯片的分离的磷主体被直接形成在半导体芯片的位置处，而不是磷层被分离地生产并且布置在光电半导体芯片上。在所述方法的该实施例中，这是借助于在每个半导体芯片的区块中提供对应的磷化合物并且联合地压缩磷化合物来执行的。可以由以此方式形成的磷主体来包封光电半导体芯片。在以此方式所生产的光电组件的操作期间，半导体芯片可以生成光辐射。利用关联的磷主体可以引起由半导体芯片生成的光辐射的辐射转换。可以通过叠加已转换的辐射部分和未转换的辐射部分来生成混合辐射，所述混合辐射可以经由磷主体被发射。为此目的，磷化合物以及由此形成的磷主体包括用于辐射转换的至少一个转换材料。已转换的辐射对于未转换的辐射的比率并且因此可以由装配有磷主体的半导体芯片生成的光辐射的色彩轨迹取决于形成磷主体的磷化合物被压缩的强度或被压缩了多长。由于联合地压缩所有磷化合物，因此在提供有磷主体的半导体芯片的情况下，仅可能出现低的或甚至可忽略的色彩轨迹散射。复杂的分类在此不发生。例如，光电半导体芯片可以是发光二极管或LED芯片。后者可以例如被设计用于生成蓝色光辐射。磷主体可以被设计为将蓝色光的部分转换为例如绿色至红色谱范围中的一个或多个光辐射。可以例如以此方式生成白色混合辐射。也可以利用不包括任何用于辐射转换的转换材料的模制化合物执行所述方法。这将在以下甚至进一步更详细地被讨论。下文中，描述所述方法的进一步的实施例，其中，可以使用磷填充模制化合物和无磷模制化合物两者。可以借助合适的工具执行模制化合物的压缩。这可以是例如压缩模制安装的模具工具。工具可以包括相对于彼此移动以用于压缩模制化合物并且由此进行压缩的两个工具部分或工具半部分。具有光电半导体芯片的载体可以被布置在工具部分上，并且如果适当，则由工具部分保持。对于压缩而言，仅一个工具部分可以移动，或两个工具部分可以相对于彼此联合地移动。在所述方法的进一步的实施例中，在执行压缩之前，模制化合物在光电半导体芯片的区块中应用在载体上。结果，可以在半导体芯片的位置处以高稳定性来生产模制主体。可以以半导体芯片被模制化合物包封或包围这样的方式来应用模制化合物。半导体芯片可以被布置在载体上的预先限定的栅格中。在可以与上面描述的在载体上应用模制化合物关联而考虑的进一步的实施例中，在针对压缩模制化合物所提供的侧的区块中使用包括平坦形状的工具部分来执行压缩。具有半导体芯片的载体如上面指示那样可以被布置在进一步的工具部分上。借助于两个工具部分的相对移动，可以在载体与包括平坦侧的工具部分之间压缩模制化合物。在此情况下，模制化合物可以被按压得扁平，并且侧向地扩展开。以此方式所形成的模制主体可以包括平坦前侧和陡峭前边沿。包括平坦侧的工具部分可以是例如合适的扁平工具（例如压缩模制安装的扁平模具工具）的部分。在所述方法的进一步的实施例中，模制化合物在压缩之前应用在辅助载体上。在此情况下，模制化合物可以在与载体上的半导体芯片的栅格对应的预先限定的栅格中应用在辅助载体上。对于压缩而言，提供有模制化合物的辅助载体和提供有半导体芯片的载体可以被布置在工具的对应工具部分上。两个工具部分可以随后相对于彼此移动，以便在辅助载体与载体之间压缩模制化合物。在该处理的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生产光电组件的方法，包括以下方法步骤：在载体（100）上布置多个光电半导体芯片（110）；以及在所述光电半导体芯片（110）的区块中共同压缩分离的模制化合物（120），其中，分离的模制主体（125）被形成在所述光电半导体芯片（110）的区块中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.15 DE 102013220790.51.一种用于生产光电组件的方法，包括以下方法步骤：
在载体（100）上布置多个光电半导体芯片（110）；以及
在所述光电半导体芯片（110）的区块中共同压缩分离的模制化合物（120），其中，分离
的模制主体（125）被形成在所述光电半导体芯片（110）的区块中。
2.如权利要求1所述的方法，
其中，所述模制化合物（120）在被压缩之前在所述光电半导体芯片（110）的区块中应用
在所述载体（100）上。
3.如前述权利要求中的任一项所述的方法，
其中，在针对压缩所述模制化合物（120）提供的侧的区块中使用包括平坦形状的工具
部分（140）执行压缩。
4.如权利要求1或2所述的方法，
其中，在针对压缩所述模制化合物（120）提供的侧的区块中使用包括结构的工具部分
来执行压缩。
5.如前述权利要求中的任一项所述的方法，
其中，所述模制化合物（120）被在压缩之前应用在辅助载体（141、142、143、144）上。
6.如权利要求5所述的方法，
其中，所述辅助载体（142、143、144）在针对压缩所述模制化合物（120）提供的侧的区块
中包括结构（151、152、153）。
7.如前述权利要求中的任一项所述的方法，
进一步包括：
在压缩之后固化所述模制化合物（120）。
8.如前述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M平德尔，S耶雷比克，T格尔特尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE