TFT背板及其制造方法技术

技术编号:15120728 阅读:179 留言:0更新日期:2017-04-09 19:25
一种TFT背板,包括第一金属层、位于第一金属层上的电容绝缘层以及位于电容绝缘层上的第二金属层,第二金属层上形成有绝缘介质层,绝缘介质层上形成有第三金属层,第三金属层穿过绝缘介质层和电容绝缘层上形成的栅极过孔与第一金属层接触,第二金属层上形成有供栅极过孔通过的镂空部。本发明专利技术的TFT背板结构将第一金属层和第三金属层作为存储电容的一个极板,将第二金属层作为存储电容的另一个极板,而将存储电容分成三部分,从而可以在有限的版图面积下有效增加存储电容的面积。本发明专利技术还提供上述TFT背板的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种TFT背板及其制造方法
技术介绍
在平面显示领域,TFT背板的像素电路存储电容结构一般包括玻璃基板,直接形成于玻璃基板上的多晶硅层(p-Si层),直接形成于玻璃基板和多晶硅层上的栅极绝缘层(GI层,GateInsulationLayer),直接形成于栅极绝缘层上且位于多晶硅层上方的第一金属层,直接形成于栅极绝缘层和第一金属层上的电容绝缘层(CI层,CapacitanceInsulationLayer),直接形成于电容绝缘层上且位于第一金属层上方的第二金属层,其中,第一金属层作为驱动TFT的栅极,同时也作为存储电容的一个极板,第二金属层作为存储电容的另一个极板,第一金属层、第二金属层及夹在第一金属层和第二金属层之间的部分电容绝缘层形成存储电容。像素电路的存储电容在工作过程中会存储驱动TFT的栅极电位,随着显示屏分辨率的提高,所需要的电容容量也越来越大。在目前的像素电路存储电容结构中,分别以第一金属层和第二金属层作为电容的两个极板,由于电容的两个极板为平面结构,因此要获得较大的电容容量就需要很大的版图面积,而电容面积的增大会造成显示装置开口率的下降,影响显示效果。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种可在有限的版图面积下有效增加存储电容容量的TFT背板及其制造方法。本专利技术提供的TFT背板包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层以及位于所述电容绝缘层上的第二金属层,所述第二金属层上形成有绝缘介质层,所述绝缘介质层上形成有第三金属层,所述第三金属层穿过所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成的若干栅极过孔与所述第一金属层接触,所述第二金属层上形成有供所述栅极过孔通过的若干镂空部。根据本专利技术的一个实施例,所述第二金属层的一部分位于所述第一金属层的正上方,所述第三金属层包括位于所述第二金属层的正上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属层相接触的第二部分。根据本专利技术的一个实施例,所述第一金属层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分电容绝缘层形成一第一电容,所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间的部分绝缘介质层形成一第二电容,所述第二金属层、所述第三金属层的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容,所述TFT的存储电容包括所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。根据本专利技术的一个实施例,所述存储电容的面积等于所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容的面积之和。根据本专利技术的一个实施例,所述存储电容的面积等于所述第一金属层和所述第二金属层的有效投影面积、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第一部分的有效投影面积以及所述第二金属层的侧面与所述第三金属层的所述第二部分的有效投影面积之和减去所述栅极过孔总面积的两倍。根据本专利技术的一个实施例,所述TFT背板还包括基板、位于基板上氮化硅层、位于氮化硅层上的氧化硅层、位于氧化硅层上的多晶硅层、以及位于多晶硅层上的栅极绝缘层,所述第一金属层形成于所述栅极绝缘层上。根据本专利技术的一个实施例,所述第三金属层上形成有平坦化层,所述平坦化层上形成有阳极。本专利技术提供的TFT背板的制造方法,包括:形成第一金属层;在所述第一金属层上形成电容绝缘层;在所述电容绝缘层上形成第二金属层并图案化所述第二金属层,在所述第二金属层上形成若干镂空部;在所述第二金属层上形成绝缘介质层;在所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成若干栅极过孔,所述栅极过孔穿过所述第二金属层的所述镂空部和所述电容绝缘层由所述绝缘介质层延伸至所述第一金属层;在所述绝缘介质层上形成第三金属层,所述第三金属层包括位于所述第二金属层的上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属层相接触的第二部分。根据本专利技术的一个实施例,所述第一金属层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分电容绝缘层形成一第一电容,所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间的部分绝缘介质层形成一第二电容,所述第二金属层、所述第三金属层的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容,所述TFT的存储电容包括所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。根据本专利技术的一个实施例,所述存储电容的面积等于所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容的面积之和。本专利技术通过采用三层金属,并在第二金属层上开设镂空部,以及在电容绝缘层和绝缘介质层上开设栅极过孔,使第三金属层可以通过栅极过孔与第一金属层相连,从而将存储电容分成三部分,而在有限的版图面积下增加了存储电容的面积,有效提高了存储电容的容量。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。附图说明图1所示为本专利技术TFT背板的剖视示意图;图2为图1所示TFT背板的第一金属层及其下方膜层的平面版图示意图,由于氮化硅层、氧化硅层及栅极绝缘层均为透明材料层,因此,在图中仅可以看到基板、多晶硅层和第一金属层;图3为图1所示TFT背板的绝缘介质层及其下方膜层的平面版图示意图,由于电容绝缘层及绝缘介质层均为透明材料层,因此,该两种绝缘层在图中均不可见,但为了方便说明,该两种绝缘层中的开孔仍在图中有所显示;图4为图1所示TFT背板的第三金属层的平面版图示意图,为了便于说明第三金属层和其下方膜层的对应关系,图中还示出栅极过孔、多晶硅连接孔以及VDD连接孔;其中,300-基板,301-氮化硅层,302-氧化硅层,303-多晶硅层,304-栅极绝缘层,305-第一金属层,306-电容绝缘层,307-第二金属层,308-绝缘介质层,309-第三金属层,310-平坦化层,311-阳极,312-镂空部,313-栅极过孔,314-多晶硅连接孔,315-VDD连接孔,C1-第一电容,C2-第二电容,C3-第三电容。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对本专利技术详本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT背板,包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层以及位于所述电容绝缘层上的第二金属层,其特征在于,所述第二金属层上形成有绝缘介质层,所述绝缘介质层上形成有第三金属层,所述第三金属层穿过所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成的若干栅极过孔与所述第一金属层接触,所述第二金属层上形成有供所述栅极过孔通过的若干镂空部。

【技术特征摘要】
1.一种TFT背板,包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电
容绝缘层以及位于所述电容绝缘层上的第二金属层,其特征在于,所述
第二金属层上形成有绝缘介质层,所述绝缘介质层上形成有第三金属
层,所述第三金属层穿过所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成的若
干栅极过孔与所述第一金属层接触,所述第二金属层上形成有供所述栅
极过孔通过的若干镂空部。
2.根据权利要求1所述的TFT背板,其特征在于:所述第二金属
层的一部分位于所述第一金属层的正上方,所述第三金属层包括位于所
述第二金属层正上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属
层相接触的第二部分。
3.根据权利要求2所述的TFT背板,其特征在于:所述第一金属
层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的
部分电容绝缘层形成一第一电容,所述第二金属层、所述第三金属层的
第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间
的部分绝缘介质层形成一第二电容,所述第二金属层、所述第三金属层
的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二
部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容,所述TFT的存储电容包括
所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。
4.根据权利要求3所述的TFT背板,其特征在于:所述存储电容
的面积等于所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容的面积之和。
5.根据权利要求3所述的TFT背板,其特征在于:所述存储电容
的面积等于所述第一金属层和所述第二金属层的有效投影面积、所述第

\t二金属层和所述第三金属层的所述第一部分的有效投影面积以及所述
第二金属层的侧面与所述第三金属层的所述第二部分的有效投影面积
之和减去所述栅极过孔总面积的两倍。
6.根据权利要求1所述的TFT背板,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈曦周茂清
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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