一种OLED制备方法和OLED器件技术

本发明专利技术的目的是提供一种OLED制备方法和OLED器件，以解决在金属阳极上形成无机物膜层时，由于无机物膜层制备过程中的物质或气体与有机膜层反应，致使有机膜层出现孔洞导致OLED不良的问题。所述OLED制备方法，包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤；所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，先在所述阳极金属膜层上形成所述无机物膜层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种OLED制备方法和OLED器件。
技术介绍
目前的显示类型主要包括液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)、等离子显示(PlasmaDisplayPanel，PDP)和电子墨水显示等多种。其中，OLED显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继LCD显示器之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，有机衬底的OLED不仅具有传统OLED的优良特性，而且有机衬底良好的柔韧性使其不论在性能上还是用途上都具有更加诱人的应用前景。然而，有机衬底上形成图案化的阳极层后，在阳极层上采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)沉积无机物膜层时，由于无机物膜层制备过程中的物质或气体会与有机衬底发生反应(例如，采用SiH4和N2O作为气源，利用PECVD方法在等离子体环境中通过反应：SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2制备SiO2薄膜的过程时，反应过程中所使用的气体N2O会与有机衬底发生反应)，致使有机衬底会产生孔洞，而有机衬底产生的孔洞会导致OLED不良。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种OLED制备方法和OLED器件，以解决在金属阳极上形成无机物膜层时，由于无机物膜层制备过程中的物质或气体与有机膜层反应，致使有机膜层出现孔洞导致OLED不良的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：本专利技术实施例提供一种OLED制备方法，包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤；所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，先在所述阳极金属膜层上形成无机物膜层。本专利技术实施例中，是在所述阳极金属膜层上先形成无机物膜层，该所述阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离，使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与所述有机膜层接触，避免所述有机膜层出现孔洞，提高OLED的品质。优选的，所述方法还包括：在所述无机物膜层上形成光刻胶，使所述光刻胶形成与所述阳极相同的图案；使所述无机物膜层图案化；使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。优选的，通过干刻法使所述无机物膜层图案化。优选的，通过湿刻法使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。优选的，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述阳极层之上形成所述无机物膜层的。本专利技术实施例提供一种OLED器件，以所述方法制备。优选的，所述有机膜层为有机衬底。优选的，所述阳极的材料为银、铝、铜材料。优选的，所述无机物膜层的材料为氧化硅材料。本专利技术实施例有益效果如下：在所述阳极金属膜层上先形成无机物膜层，该所述阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离，使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与所述有机膜层接触，避免所述有机膜层出现孔洞，提高OLED的品质。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种OLED制备方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种较具体的OLED制备方法流程图；图3为本专利技术实施例中，在有机膜层上形成金属膜层的示意图；图4为本专利技术实施例中，在金属膜层上形成无机物膜层的示意图；图5为本专利技术实施例中，在无机物膜层上进行刻蚀后的示意图；图6为本专利技术实施例中，在无机物膜层上形成光刻胶膜层后的示意图；图7为本专利技术实施例中，对无机物膜层的未被光刻胶遮挡的部分进行干刻后的示意图；图8为本专利技术实施例中，对阳极金属膜层的未被光刻胶遮挡的部分进行湿刻后的示意图；图9为本专利技术实施例中，去除光刻胶膜层后的示意图。具体实施方式下面结合说明书附图对本专利技术实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。本专利技术实施例提供一种OLED制备方法，包括：在有机膜层上形成阳极金属膜层并使阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤；使阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层之前，先在阳极金属膜层上形成无机物膜层，具体的，参见图1所示步骤，包括：101、在有机膜层上形成阳极金属膜层。102、在阳极金属膜层上形成无机物膜层。103、使阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层。本专利技术实施例有益效果如下：在阳极金属膜层上先形成无机物膜层，该阳极金属膜层在无机物膜层形成过程中可以对有机膜层进行保护和隔离，使无机物膜层制备过程中的物质或气体不会与有机膜层接触，避免有机膜层出现孔洞，提高OLED的品质。参见图2，本专利技术实施例还提供一种较具体的OLED制备方法，包括：201、在有机膜层上形成阳极金属膜层。其中，有机膜层可以是OLED的有机衬底，具体可以为聚对苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalateTwoFormicAcidGlycolEster，PEN)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚醚砜树脂(PolyethersulfoneResin，PES)以及聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)等或含此类材料的复合有机衬底具体的，可以通过真空蒸镀、磁控溅射或化学气相淀积等方法在有机膜层上进行形成阳极金属膜层，其中，形成的阳极金属膜层覆盖下方的有机膜层。形成的金属膜层的材质以及膜层厚度可以根据需要进行灵活设置。例如，金属膜层的材质可以为银、铝、铜材料。202、在阳极金属膜层上形成无机物膜层。具体的，通过等离子体增强化学气相沉积法在阳极层之上形成无机物膜层。无机物膜层的材料为氧化硅材料。具体的，可以为SiO，也可以为SiO2。例如，通过采用SiH4和N2O作为气源，采用PECVD在等离子体环境中形成SiO2薄膜，SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2。其中，N2O为一种会与有机膜层发生反应的气体，由于阳极金属膜层覆盖了有机衬底，使得在利用SiH4和N2O作为气源形成SiO2薄膜时，N2O不会与有机膜层接触，进而可以避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED制备方法，包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤，其特征在于，所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，先在所述阳极金属膜层上形成无机物膜层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED制备方法，包括在有机膜层上形成阳极金属膜层并使所述
阳极金属膜层形成包括阳极的图案的阳极层的步骤，其特征在于，
所述使所述阳极金属膜层形成包括所述阳极的图案的所述阳极层之前，
先在所述阳极金属膜层上形成无机物膜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述无机物膜层上形成光刻胶，使所述光刻胶形成与所述阳极相同的
图案；
使所述无机物膜层图案化；
使所述阳极金属膜层形成所述阳极层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过干刻法使所述无机物膜
层图案化。
4.如权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾鹏飞，刘凤娟，孙宏达，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11