【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本公开涉及设备和方法,且更具体地涉及光谱仪以及涉及光谱测定方法。离子迁移光谱仪(IMS)能够通过电离材料(例如,分子、原子等等)以及测量其在已知电场下使所产生的离子行进已知距离的时间来识别感兴趣的样本的材料。每个离子的迁徙时间能够由检测器测量,且该迁徙时间与离子的迁移率相关联。离子的迁移率涉及其质量以及几何结构。因此,通过在检测器在测量离子的迁徙时间,推断离子的标识是可能的。这些迁徙时间可以被用图形或数字显示为等离子体色谱图。其他类型的光谱仪,诸如质谱仪,同样根据如由它们的质荷比确定的它们的迁移率分析离子。为了提高光谱仪识别感兴趣样本中的离子的能力,建议使用射频RF电场(例如,通过分割它们)提供能够用来推断离子的标识的附加信息来修改一些离子。这在离子的测量中提供了附加的自由度,且因此可以提高解析离子之间的差异的能力。在存在杂质或者在困难的操作环境中执行测量的情况下,或者在样本包括具有类似几何结构和质量等的离子的情况下,检测和识别离子的IMS的能力和离子改性是解决这些问题的一种方式。期望增加通过应用射频电场改性的离子的比以及改性过程的能量效率。现在将通过仅示例的方式参考附图对本公开的实施方式进行描述,其中:图1为光谱仪的局部剖面的视图;图2示出了图1所示的光谱仪的原理图,并且在插图中示出了离子改性电极的布置;图3示出了诸如图1和图2中所示的设备的操作方法的流程图;图4示出了选择不同频率的离子改性电压时,母离子与子离子之 ...
【技术保护点】
一种离子迁移光谱仪,包括:离子生成器,用于电离样本;检测器,通过漂移室与所述离子生成器隔开,其中离子能够沿着所述漂移室从所述离子生成器向所述检测器行进;门,用于控制离子从所述离子生成器到所述漂移室的通路;离子调节器,布置在所述离子生成器和所述检测器之间且包括第一电极和第二电极;以及电压供应器,被配置为在所述第一电极和所述第二电极之间提供时变电压,其中所述时变电压具有至少2.5MHz的频率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.23 GB 1315145.11.一种离子迁移光谱仪,包括:
离子生成器,用于电离样本;
检测器,通过漂移室与所述离子生成器隔开,其中离子能够沿着所述漂移室从所述离
子生成器向所述检测器行进;
门,用于控制离子从所述离子生成器到所述漂移室的通路;
离子调节器,布置在所述离子生成器和所述检测器之间且包括第一电极和第二电极;
以及
电压供应器,被配置为在所述第一电极和所述第二电极之间提供时变电压,其中所述
时变电压具有至少2.5MHz的频率。
2.根据权利要求1所述的离子迁移光谱仪,其中,所述离子生成器布置在电离室中,其
中,所述门将所述电离室与所述漂移室隔开。
3.根据权利要求1或2所述的离子迁移光谱仪,其中,所述离子调节器布置在所述漂移
室和所述电离室的一者中。
4.根据权利要求3所述的离子迁移光谱仪,包括漂移气体入口和漂移气体出口,被布置
为提供沿着所述漂移室并通过所述离子调节器的漂移气体流。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的离子迁移光谱仪,其中,所述电压供应器被配置为
将所述第一电极的电压变为小于所述第二电极的电压。
6.根据前述权利要求中任一项所述的离子迁移光谱仪,其中,所述电压供应器被配置
为使所述第二电极的电压比所述第一电极的电压变化更快。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的离子迁移光谱仪,其中,所述时变电压包括提供至
所述第一电极和所述第二电极的等幅度的时变电压,其中提供至所述第二电极的电压具有
与提供至所述第一电极的电压相反的相位。
8.根据前述权利要求中任一项所述的离子迁移光谱仪,其中,所述第一电极和所述第
二电极在所述离子行进的方向上间隔开,且所述电压供应器被配置为将所述第一电极的电
压控制在根据将所述离子从所述离子生成器向所述检测器移动的电压分布以及所述第一
电极沿着所述电压分布的位置选择的电压。
9.根据前述权利要求中任一项所述的离子迁移光谱仪,其中,所述第一电极和所述第
二电极中的至少一者包括贯穿所述离子行进的方向布置的导体,所述导体之间具有所述离
子能够行进通过的间隙,且所述第一电极和所述第二电极中单独的另一个电极包括贯穿离
子行进通过所述间隙的路径中的行进方向布置的导体。
10.根据权利要求9所述的离子迁移光谱仪,其中,所述第一电极和所述第二电极中的
至少一者包括网格。
11.一种光谱仪,包括:
离子生成器,用于电离样本;
检测器,通过漂移室与所述离子生成器隔开,其中离子能够沿着所述漂移室从所述离
子生成器向所述检测器行进;
离子调节器,布置在所述离子生成器和所述检测器之间且包括第一电极和第二电极,
其中所述第一电极和所述第二电极在所述离子行进的方向上间隔开;以及
电压供应器,被配置为在所述第一电极和所述第二电极之间提供时变电压以及将所述
第一电极的电压变为小于所述第二电极的电压。
12.根据权利要求11所述的光谱仪,其中,所述电压供应器被配置为使所述第二电极的
电压比所述第一电极的电压变化更快。
13.根据权利要求11或12所述的光谱仪,其中,所述电压供应器被配置为将所述第一电
极的电压控制在所选择的电压。
14.根据权利要求13所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·阿特金森,A·克拉克,B·格兰特,
申请(专利权)人:史密斯探测沃特福特有限公司,
类型:发明
国别省市:英国;GB
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