半导体集成电路双电压比较器模块制作方法技术

本发明专利技术公开半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，包括：焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3)，并在外壳(1)上烧结固定引线管柱，并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金；制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3)；将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上；在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上；将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座(2)进行封盖。本发明专利技术实现了量化生产电压比较器的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路设计
，具体地，涉及半导体集成电路双电压比较器模块制作方法。
技术介绍
随着科技的不断进步，设计出的电路种类繁多，有温控电路、稳压电路、液位探测电路、电池充电电路等等，像上述这些电路里都会涉及到电压比较大小的，都会用到一个电压比较器。现有的电压比较器模块的制作出的比较器体积庞大，制作复杂，无法满足量化生产的目的，那么设计一种适用于量化生产的电压比较器模块成为一种亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，该半导体集成电路双电压比较器模块制作方法克服了现有技术中的比较器体积庞大，制作复杂，无法满足量化生产问题，实现了量化生产电压比较器的目的。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，该半导体集成电路双电压比较器模块制作方法包括：步骤1，焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳和盖板，并在外壳上烧结固定引线管柱，并在外壳、盖板和引线管柱进行镀金；步骤2，制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；步骤3，清洗所述陶瓷板基座、外壳和盖板；步骤4，将陶瓷板基座粘接在外壳上；步骤5，在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上；步骤6，加热固化黑胶；步骤7，对芯片和陶瓷基板基座进行金丝键合；步骤8，将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座进行封盖。优选地，步骤3中，清洗所述陶瓷板基座、外壳和盖板的方法包括：将陶瓷基板基座、外壳和盖板分开放入盛有酒精的容器内；通过刷笔分别对陶瓷基板基座、外壳和盖板进行刷洗；将陶瓷基板基座、外壳和盖板清洗完成后以预设第一时间和预设第一温度进行烘烤。优选地，所述预设第一温度为65-75℃优选地，所述预设第一时间为3-8分钟。优选地，步骤4中，将陶瓷板基座粘接在外壳上的方法包括：将外壳平整地固定在夹具上，向外壳中涂覆均匀地注入黑胶，静置预设第二时间；将陶瓷基板基座放在涂覆有黑胶区域的外壳内，并摩擦陶瓷基板基座和外壳；在所述陶瓷基板基座上的无布线区域下挤压陶瓷基板基座。优选地，用注射器向管壳里两排接线柱中间区域注入黑胶。优选地，所述预设第二时间18-22分钟。优选地，步骤6中，加热固化黑胶的方法包括：将贴有芯片的陶瓷基板基座以预设第二温度和预设第三时间进行黑胶固化。优选地，所述预设第二温度设置为145-155℃。优选地，所述预设第三时间为0.5-1.5小时。通过上述的具体实施方式，本专利技术主要阐述了一种半导体集成电路双电压比较器模块的制作方法，产品结构设计合理，产品制作工艺更加科学实用，为一种具有较好工作特性、良好散热特性的半导体集成电路双电压比较器模块的批量化提供了有力保障。本专利技术的产品体积小，全金属封装；制作方法操作简单，可批量化生产。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是说明本专利技术的一种半导体集成电路双电压比较器模块的结构示意图；图2是说明本专利技术所述的一种半导体集成电路双电压比较器模块的陶瓷基板基座示意图；图3是说明本专利技术所述的一种半导体集成电路双电压比较器模块金丝键合示意图。附图标记说明1外壳2陶瓷基板基座3盖板具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本发明。本专利技术提供一种半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，该半导体集成电路双电压比较器模块制作方法包括：步骤1，焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳1和盖板3，并在外壳1上烧结固定引线管柱，并在外壳1、盖板3和引线管柱进行镀金；步骤2，制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；步骤3，清洗所述陶瓷板基座、外壳1和盖板3；步骤4，将陶瓷板基座粘接在外壳1上；步骤5，在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上；步骤6，加热固化黑胶；步骤7，对芯片和陶瓷基板基座2进行金丝键合；步骤8，将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座2进行封盖。通过上述的具体实施方式，本专利技术主要阐述了一种半导体集成电路双电压比较器模块的制作方法，产品结构设计合理，产品制作工艺更加科学实用，为一种具有较好工作特性、良好散热特性的半导体集成电路双电压比较器模块的批量化提供了有力保障。本专利技术的产品体积小，全金属封装；制作方法操作简单，可批量化生产。根据图1所示，对外壳1进行加工，考虑到引线管柱后期有金丝键合要求，外壳1、盖板3和引线管柱都镀金处理。外壳1上有14个引线管柱是利用玻璃烧结固定。以下结合附图1-3对本专利技术进行进一步的说明，为了提高本专利技术的适用范围，特别使用下述的具体实施方式来实现。在本专利技术的一种具体实施方式中，步骤3中，清洗所述陶瓷板基座、外壳1和盖板3的方法包括：将陶瓷基板基座2、外壳1和盖板3分开放入盛有酒精的容器内；通过刷笔分别对陶瓷基板基座2、外壳1和盖板3进行刷洗；将陶瓷基板基座2、外壳1和盖板3清洗完成后以预设第一时间和预设第一温度进行烘烤。通过这样的清洗方式，可以实现陶瓷基板基座2、外壳1和盖板3进行清洗，并在清洗后进行烘干。在该种实施方式中，所述预设第一温度为65-75℃在该种实施方式中，所述预设第一时间为3-8分钟。在本专利技术的一种具体实施方式中，步骤4中，将陶瓷板基座粘接在外壳1上的方法包括：将外壳1平整地固定在夹具上，向外壳1中涂覆均匀地注入黑胶，静置预设第二时间；将陶瓷基板基座2放在涂覆有黑胶区域的外壳1内，并摩擦陶瓷基板基座2和外壳1；在所述陶瓷基板基座2上的无布线区域下挤压陶瓷基板基座2。通过上述的具体实施方式，本专利技术使黑胶更好的粘接陶瓷基板基座2与外壳1，黑胶受压外溢，外溢的量刚好达到基板外围半壁高度为适量。在该种实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，其特征在于，该半导体集成电路双电压比较器模块制作方法包括：步骤1，焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3)，并在外壳(1)上烧结固定引线管柱，并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金；步骤2，制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；步骤3，清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3)；步骤4，将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上；步骤5，在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上；步骤6，加热固化黑胶；步骤7，对芯片和陶瓷基板基座(2)进行金丝键合；步骤8，将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座(2)进行封盖。

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，其特征在于，该半导体集成电路双电压比较器模块制作方法包括：
步骤1，焊接半导体集成电路双电压比较器模块的外壳(1)和盖板(3)，并在外壳(1)上烧结固定引线管柱，并在外壳(1)、盖板(3)和引线管柱进行镀金；
步骤2，制作半导体集成电路双电压比较器的陶瓷板基座，所述陶瓷板基座上的导线镀上一层金层；
步骤3，清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3)；
步骤4，将陶瓷板基座粘接在外壳(1)上；
步骤5，在所述陶瓷板基座的焊盘上涂覆一层黑胶，并将制作半导体集成电路双电压比较器所需的芯片贴装于所述陶瓷板基座的涂覆一层黑胶得焊盘上；
步骤6，加热固化黑胶；
步骤7，对芯片和陶瓷基板基座(2)进行金丝键合；
步骤8，将金丝键合后的芯片和陶瓷基板基座(2)进行封盖。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，其特征在于，步骤3中，清洗所述陶瓷板基座、外壳(1)和盖板(3)的方法包括：
将陶瓷基板基座(2)、外壳(1)和盖板(3)分开放入盛有酒精的容器内；
通过刷笔分别对陶瓷基板基座(2)、外壳(1)和盖板(3)进行刷洗；
将陶瓷基板基座(2)、外壳(1)和盖板(3)清洗完成后以预设第一时间和预设第一温度进行烘烤。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路双电压比较器模块制作方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宁，洪火锋，何宏玉，俞昌忠，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34