高纯度高密度CuS网络状纳米结构的制备方法技术

技术编号:15108217 阅读:16 留言:0更新日期:2017-04-08 23:42
本发明专利技术涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明专利技术采用双温区真空管式炉,以硫粉为蒸发源,在真空环境中、在载气保护下,通过低温热蒸发的方法,在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构,包括CuS针状晶、墙状晶和薄片状晶等的网络状纳米结构。该方法具有制备严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点,且无需使用任何催化剂。这类纳米结构材料可望在光催化剂、太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构制备方法,属于材料制备

技术介绍
作为一种p型半导体材料,CuS由于其在催化剂、太阳能电池电极材料、光纤、锂离子电池电极材料等光学和电学方面的广泛应用在近几年已经吸引了世界范围内的广泛关注。此外,在生理医学等领域,CuS还是一种光热处理癌症的生物化学试剂,受到人们的重视(LakshmananSB,ZouX,HossuM,etal.LocalfieldenhancedAu/CuSnanocompositesasefficientphotothermaltransduceragentsforcancertreatment.JournalofBiomedicalNanotechnology,2012,8(6):883-890)。另一方面,众所周知,材料的大小和形貌会极大程度上影响材料的物理化学性能。纳米结构由于其较大的比表面积和特殊的结构使得材料具有较多的活性中心从而有增强的催化性能。因此,制备具有较大比表面积、较多表面活性中心的CuS纳米结构是材料化学的重要目标,研究其形貌可控生长的技术常常受到材料学者的极大关注。目前,已经有很多方法可以制备各种各样的CuS纳米结构,例如纳米空心球、纳米棒、纳米管、纳米线等。制备方法主要有化学法和物理法两大类,其中相较于化学反应的复杂,难于控制以及需要后续的提纯除杂等工序,物理方法通常具有工艺参数较容易控制,产物纯度比较高特点。本专利技术利用热蒸发物理气相沉积成本低、制备过程简单、工艺参数可控性强和制备材料多为晶体的特点,提出利用低温热蒸发技术直接蒸发S粉末作为蒸发源,在铜箔上无催化合成得到了高纯度、高密度CuS针状、片状等网络状纳米结构材料,所制备出的纳米结构产量大、密度高、纯度高,形貌多样可控,无需后处理,且制备方法经济环保。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种高纯度、高密度的CuS网络状纳米结构的制备方法;该方法在真空加热炉中,采用硫(S)作为蒸发源,在真空环境中通过低温热蒸发的方法,在载气作用下,在Cu箔上,无需使用任何催化剂,制备得到CuS网络状纳米结构。该方法具有材料合成与生长条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点;且通过精确控制制备工艺中的载气流量,可实现纳米结构形貌的调控,可以获得针状、片状的CuS网络状纳米结构,且所得的每种纳米结构各自的厚度均匀、形状清晰完整,可望在光催化剂、太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。本专利技术提出的高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法,其特征在于,所述方法在真空加热炉中,通过热蒸发硫在真空环境中、在载气带动下、在Cu箔上生长CuS网络状纳米结构,无需使用其他任何催化剂。本专利技术提出的CuS网络状纳米结构制备方法,包括以下步骤和内容:(1)在双温区真空管式炉中,将装有S粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域,在其气流下游距离装有S粉的坩埚10-30mm处的低温加热区放置Cu箔作为载片。(2)在加热前,先用真空泵对整个系统抽真空至0.1Pa以下,然后向系统中通入高纯惰性载气,并重复多次,以排除系统中的残余氧气。然后将高温加热区以10-30℃/min速率升温到200-400℃,将低温加热区以5-15℃/min速率升温到100-250℃,保温0.5-5小时。在加热过程中,在真空泵持续工作的前提下通入载气并保持载气流量为5-300标准立方厘米每分钟(sccm),且整个加热过程在惰性载气保护下完成,最后自然降温到室温,即可在Cu箔上得到高纯度、高密度的CuS网络状纳米结构。在上述制备方法中,所述步骤(1)中的蒸发源为市售分析纯硫粉。在上述制备方法中,所述步骤(1)中载片为市售Cu箔,厚度10μm到1mm。在上述制备方法中,所述步骤(2)中高纯惰性载气为氩气、氮气之中的一种。在上述制备方法中,所述步骤(2)中的惰性载气为高纯气体,纯度在99.99vol.%以上。在上述制备方法中,所述步骤(2)中的高温区蒸发S的温度为200-400℃。在上述制备方法中,所述步骤(2)中的低温区CuS生长温度为100-300℃。在上述制备方法中,所述步骤(2)中的整个加热保温时间0.5-5小时。在上述制备方法中,所述步骤(2)中载气流量5-300标准立方厘米每分钟。其中,制备CuS针状晶体构成的网络状纳米结构时载气流量为5-80sccm时;制备CuS围墙状晶体构成的网络状纳米结构时载气流量为80-150sccm;制备CuS薄片晶体构成的网络状纳米结构时载气流量为150-250sccm。采用本技术制备CuS网络状纳米结构,具有设备和工艺简单、材料合成与生长条件严格可控、产品收率高、产量大、密度高、成本低廉等优点,所获得的CuS网络状纳米结构形状均匀整齐,形貌厚度可控,纯度高。附图说明图1是本专利技术实施例1所制得的CuS针状晶网络状纳米结构的扫描电镜表面照片图2是本专利技术实施例2所制得的CuS围墙状晶网络状纳米结构的扫描电镜表面照片图3是本专利技术实施例3所制得的CuS薄片晶网络状纳米结构的扫描电镜表面照片图4是本专利技术实施例1、2和3所制得的三种CuS网络状结构的XRD图谱具体实施方式下面结合实施例对本专利技术的技术方案做进一步说明。本专利技术提出一种高纯度、高密度的CuS网络状纳米结构的制备方法,其特征在于,所述方法在真空加热炉中,通过热蒸发硫在真空环境中、在载气带动下、在Cu箔上生长CuS网络状纳米结构,无需使用任何催化剂。本专利技术提出的CuS网络状纳米结构制备方法,包括以下步骤和内容:(1)所采用蒸发源为市售分析纯的硫粉。(2)所采用载片为市售Cu箔,厚度10μm到1mm。(3)在双温区真空管式炉中,将装有S粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域,在其气流下游距离装有S粉的坩埚10-30mm处的低温加热区放置Cu箔作为载片。(4)在加热前,先用真空泵对整个系统抽真空至0.1Pa以下,然后向系统中通入高纯惰性载气,并重复多次,以排除系统中的残余氧气。然后将高温加热区以10-30℃/min速率升温到200-400℃,将低温加热区以5-15℃/min速率升温到100-250℃,保温0.5-5小时。(5)在加热过程中,在真空泵持续工作的前提下通入载气并保持载气流量为5-300标准立方厘米每分钟(sccm),且整个加热过程在惰性载气保护下完成,最后自然降温到室温,即可在Cu箔上得到高纯度、高密度的CuS网络状纳米结构。(6)实验所用惰性载气为高纯氩气或氮气。(7)实验所用载气流量5-300标准立方厘米每分钟。通过精确控制载气流量,可以得到不同形貌的纳米结构。其中,制备CuS针状晶体构成的网络状纳米结构时载气流量为5-80sccm时;制备CuS围墙状晶体构成的网络状纳米结构时载气流量为80-150sccm;制备CuS薄片晶体构成的网络状纳米结构时载气流量为本文档来自技高网
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【技术保护点】
高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法,其特征在于,所述纳米结构为网络状CuS;所述方法通过低温热蒸发S粉在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构,包括以下步骤和内容:(1)在双温区真空管式炉中,将装有分析纯S粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域,在其气流下游距离装有S粉的坩埚10‑30 mm处的低温加热区放置厚度10 μm到1 mm 的Cu箔作为载片;(2)在加热前,先用真空泵对整个系统抽真空至0.1Pa以下,然后向系统中通入高纯惰性载气氩气或氮气,并重复多次,以排除系统中的残余氧气;然后将高温加热区以10‑30 ℃/min速率升温到200‑400 ℃,将低温加热区以5‑15 ℃/min速率升温到100‑250 ℃,保温0.5‑5小时;在加热过程中,在真空泵持续工作的前提下通入载气并保持载气流量为5‑300标准立方厘米每分钟(sccm),且整个加热过程在惰性载气保护下完成,最后自然降温到室温,即可在Cu箔上得到高纯度、高密度的CuS网络状纳米结构。

【技术特征摘要】
1.高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法,其特征在于,所述纳米结构为网络状CuS;所述方法通过低温热蒸发S粉在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构,包括以下步骤和内容:
(1)在双温区真空管式炉中,将装有分析纯S粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域,在其气流下游距离装有S粉的坩埚10-30mm处的低温加热区放置厚度10μm到1mm的Cu箔作为载片;
(2)在加热前,先用真空泵对整个系统抽真空至0.1Pa以下,然后向系...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭志坚钱静雯申振广李汉青符秀丽
申请(专利权)人:中国地质大学北京
类型:发明
国别省市:北京;11

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