【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示
,尤其是涉及一种显示器薄膜晶体管结构以及具有该薄膜晶体管结构的显示器。
技术介绍
有机发光显示器是利用有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)制成的显示屏,由于其具有自主发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、功率低、可用于挠性面板、且使用温度范围广、低压直流驱动、视角广、颜色丰富等一系列的优点,与液晶显示器相比,有机发光显示器还不需要背光源,其响应速度可达液晶显示器的1000倍,制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此有机发光显示器有望成为下一代主流平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。有机发光显示器屏体的基本结构是:包括一玻璃基板,在玻璃基板上形成有由像素电路、阳极、有机发光层、阴极等各层组成的有机发光单元,并用封装盖把有机发光单元封装在玻璃基板与封装盖之间,阳极、阴极在非发光区位置通过引线引出,与集成电路(IC)或柔性电路板(FPC)进行绑定。其中,像素电路主要包括薄膜晶体管(TFT)以及与TFT相连的线路(扫描线、数据线等)。TFT的主要作用是驱动显示器上的像素点,每个像素点至少由一个TFT驱动,因此在显示器中包含有由多个TFT组成的阵列结构。在平板显示器制造过程中,由于一些不可预知因素,例如小颗粒灰尘或者工艺偏差常常会造成不良的发生,特别是当缺陷发生在TFT部分时,常会造成点缺陷,即通常说的坏点现象,所谓坏点 ...
【技术保护点】
一种显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,包括形成在基板(10)上的第一薄膜晶体管(A)、第二薄膜晶体管(B)、源极引线(11)、漏极引线(12)、栅极搭界(13)以及介电层(14),每一薄膜晶体管(A、B)包括半导体层(21)、栅极(22)、源极(23)和漏极(24),该栅极搭界(13)、该第一薄膜晶体管(A)的栅极(22)以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22)位于第一金属层中,该源极引线(11)、该漏极引线(12)、该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)和漏极(24)以及该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)和漏极(24)位于第二金属层中,该源极引线(11)与该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)相连,该漏极引线(12)与该第一薄膜晶体管(A)的漏极(24)相连,该源极引线(11)与该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)之间或者该漏极引线(12)与该第二薄膜晶体管(B)的漏极(24)之间断开形成缺口(30),该栅极搭界(13)对应于该缺口(30)设置,该介电层(14)设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
【技术特征摘要】
1.一种显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,包括形成在基板(10)上的
第一薄膜晶体管(A)、第二薄膜晶体管(B)、源极引线(11)、漏极引线(12)、栅
极搭界(13)以及介电层(14),每一薄膜晶体管(A、B)包括半导体层(21)、栅极
(22)、源极(23)和漏极(24),该栅极搭界(13)、该第一薄膜晶体管(A)的栅极(22)
以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22)位于第一金属层中,该源极引线(11)、该
漏极引线(12)、该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)和漏极(24)以及该第二薄膜晶
体管(B)的源极(23)和漏极(24)位于第二金属层中,该源极引线(11)与该第一薄
膜晶体管(A)的源极(23)相连,该漏极引线(12)与该第一薄膜晶体管(A)的漏极
(24)相连,该源极引线(11)与该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)之间或者该漏极
引线(12)与该第二薄膜晶体管(B)的漏极(24)之间断开形成缺口(30),该栅极搭
界(13)对应于该缺口(30)设置,该介电层(14)设置在该第一金属层与该第二金
属层之间。
2.根据权利要求1所述的显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,该源极
引线(11)与该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)之间断开形成该缺口(30),该栅极
搭界(13)与该源极引线(11)之间以及该栅极搭界(13)与该第二薄膜晶体管(B)
的源极(23)之间均具有重叠区,该漏极引线(12)与该第二薄膜晶体管(B)的漏极
(24)相连。
3.根据权利要求1所述的显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,该漏极
引线(12)与该第二薄膜晶体管(B)的漏极(24)之间断开形成该缺口(30),该栅极
搭界(13)与该漏极引线(12)以及该栅极搭界(13)之间与该第二薄膜晶体管(B)
的漏极(24)之间均具有重叠区,该源极引线(11)与该第二薄膜晶体管(B)的源极
(23)相连。
4.根据权利要求1所述的显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,该显示
器薄膜晶体管结构还包括扫描线、数据线和像素电极(15),该第一薄膜晶体管
(A)的栅极(22)以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22)与该扫描线电性连接,该
\t源极引线(11)与该数据线电性连接,该漏极引线(12)与该像素电极(15)电性连
接。
5.根据权利要求4所述的显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,该第一
薄膜晶体管(A)的半导体层(21)和该第二薄膜晶体管(B)的半导体层(21)形成在
该基板(10)上,该第一薄膜晶体管(A)的半导体层(21)和该第二薄膜晶体管(B)
的半导体层(21)上覆盖形成有绝缘层(16),该栅极搭界(13)、该第一薄膜晶体
管(A)的栅极(22)以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22)形成在该绝缘层(16)
上,该介电层(14)形成在该绝缘层(16)上,该介电层(14)覆盖该栅极搭界(13)、
该第一薄膜晶体管(A)的栅极(22)以及该第二薄膜晶体管(B)的栅极(22),该源
极引线(11)、该漏极引线(12)、该第一薄膜晶体管(A)的源极(23)和漏极(24)以
及该第二薄膜晶体管(B)的源极(23)和漏极(24)形成在该介电层(14)上。
6.根据权利要求5所述的显示器薄膜晶体管结构,其特征在于,该基板
(10)上还形成有缓冲层(17),该第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:王迪,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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